目标光电指纹信息技术

不同目标或目标在不同状态下，其各个光波段的辐射特性是不同的，目标的这种性质类似于人类的指纹信息。利用光电指纹信息可以对目标的种类、目标的状态、姿态等进行细致的侦察和分析，进而为各种作战应用提供更为丰富的目标信息。     

光电对抗技术的现状及发展趋势

光电对抗是电子战与信息战的重要组成部分,在现代战争中显示出了惊人的作战效能。随着微电子、新型材料等高新技术的不断发展,光电对抗在未来的军事斗争中将扮演越来越重要的角色。本文试从侦察与反侦察、干扰与反干扰等方面,对光电对抗技术、装备、作战平台的现状及发展趋势进行综述。     

光电对抗技术的现状及发展趋势

光电对抗是电子战与信息战的重要组成部分，在现代战争中显示出了惊人的作战效能。随着微电子、新型材料等高新技术的不断发展，光电对抗在未来的军事斗争中将扮演越来越重要的角色。本文试从侦察与反侦察、干扰与反干扰等方面，对光电对抗技术、装备、作战平台的现状及发展趋势进行综述。     

光电对抗技术评述

在现代战争中，光电对抗技术在军事上得到了广泛的应用。随着光电子技术的迅猛发展，光电对抗技术在光电侦察与反侦察、干扰与反干扰等军事应用中发挥了重要作用。本文对光电对抗技术发展进行评述。     

反空地导弹的光电对抗技术

为了有效地抗空地精确制导武器,在防空体系中大力发展光电对抗技术具有十分重要的意义。对抗空地导弹可采用光电主动侦察,光电被动告警（激光告警、红外告警、紫外告警与光电综合告警）,光电无源干扰（烟幕、伪装与光电假目标）,激光有源欺骗式干扰以及强激光致盲干扰 等。     

硅16元线列探测器

本文介绍了一种硅 pin 线列光电探测器的设计、制造及其特性。     

光电薄膜技术的新动向

在当今光电技术日新月异发展的形势下,薄膜技术已渗透到光电子学的多种领域中。随着光纤通讯、光计算机、光信息存储与传输的迅猛发展与应用,各种新型光电薄膜器件与薄膜技术正在相辅相成地不断开拓中。光电薄膜器件的产品也以7.7％的年增长率发展着。市场对于光电薄膜器件产品的要求不仅是其光电物理特性,而且包括应用于整机系统中的可靠性、再现性和一致性。每一种光电薄膜器件的产品化都伴随着它的成套技术设备的定型。没有     

探测功率10^—10W的光电器件的计算与设计

本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10~(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P~+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10~(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。     

机载光电对抗技术

为了提高军用飞机的战场生存能力，光电对抗技术在军用飞机上的得到了越来越广泛的应用。本文概括地叙述了光电对抗技术在军用飞机上的重要性和各种应用，从而显示了光电对抗技术在现在和未来战争中的重要性。     

无线光电自动跟踪平台研究

为了实现运动载体上光电跟踪设备的光轴稳定以保持对机动目标的精确瞄准跟踪,光电自动稳定跟踪平台采用直流力矩伺服电机直接驱动,以光纤陀螺仪作为惯性速率敏感元件构成光轴稳定内回路,以光电编码器作为位置反馈和目标偏差检测反馈元件组成外回路,采用高速DSP运动控制模块为核心建立具有开放式结构、标准模块化的多功能转台串级伺服控制系...     

光电探测器及光电接收装置性能检测方法：—苏标ГОСТ17772—88简介

本文对ГОСТ17772-88规定的检测方法、测试步骤、对测试仪器的要求以及测量结果的误差等做简单介绍。     

GDB—601型微通道板光电倍增管

介绍ＧＤＢ－６０１型微通道板光电倍增管的结构、参数及其应用。     

高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p型欧姆接触、AuGeNi n型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50 μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右;器件在2.7 GHz以下有平坦的增益.     

混合式光电探测器

混合式探测器(Hybrid Photodetector,HPD)作为一种新型的光电探测器件,是真空与半导体类结合型探测器件。HPD包括沉积在输入光窗表面的光电探测阴极、固态半导体阳极芯片和保持系统真空度的固态阳极。工作时,光信号通过沉积在输入光窗表面的光电阴极转化为光电子,经过高能电场加速后获得高能量轰击阳极半导体芯片表面,产生大量的电子空穴对,电子空穴对在半导体内部进行迁移,并通过自身的雪崩效应实现倍增,最终以电流信号输出。该探测器摒弃了传统的光电倍增管的微通道板(Micro Channel Plate,MCP)等倍增器件,克服了倍增单元信号易饱和的缺陷,增大了探测器的动态范围。HPD探测器综合了光电倍增管的高灵敏度和半导体芯片优异的空间和能量分辨率,具有探测面积大、探测灵敏度高、倍增效应强、动态范围宽等优点。在高能物理、医学成像和天体物理中有着重要的应用。此外,该探测器具有多种结构,分为近贴聚焦结构、交叉聚焦结构和漏斗聚焦结构,能够满足不同使用范围的探测需求;随着半导体阳极技术的发展,HPD阳极从单一芯片逐渐过渡到阵列式阳极结构,满足了大面积探测的需求。同时数字式读出和倍增信号技术的封装技术的发展,提高了HPD探测器的信号倍增和读出速度,改善了器件的集成化程度,有利于探测信号读出速率和信噪比的提升。近年来,其单光子计数和高动态响应等能力逐步被重视,将会在未来的光电探测领域发挥更为重要的作用。     

浅谈光电开关的工作原理及应用

采用光电转换原理控制电路通断使输出信号产生逻辑翻转的一类电器称为光电开关.与传统的机械行程开关相比,光电开关具有无触点控制、无机械碰撞、能识别色标、响应速度快、控制精度高等特点,故在工业自控设备中应用得极其广泛.许多包装机、印刷机、纺织机等都用它进行限位、换向、同步、测速及其他控制,如零度、长度、液位、料位、数量等控制.     

光电器件

ASMC-QxB2-Txxx：高亮度LED;ACPL-3130/J313、ACNW3130：光电耦合器;ZLE60400：AMC光学延伸卡;[编者按]     

MATLAB仿真技术在光电测量系统设计过程中的应用

1　引　　言　　近年来 ,随着光电跟踪技术的发展及计算机技术的广泛应用 ,现代光电测量设备逐渐向跟踪精度高、响应速度快的高性能综合测量系统发展。同时 ,光电测量设备也不可避免地越来越昂贵和复杂 ,因此在光电测量设备开发过程中 ,如何在满足系统性能指标的基础上尽可能地降低成本、缩短研制周期就显得非常重要。目前一些发达国家在光电测量设备的设计过程中大量地应用了仿真设计技术 ,利用仿真设计软件可对光电测量设备中的各种硬件设备进行模拟 ,并在仿真界面中显示设备的全部工作过程及各项参数。高精度的设计仿真有助于确定设备模…     

海上光电威胁与对抗分析

在高科技战争中,日益严重的光电威胁尤其是光电制导武器的威胁对舰船的生存提出了严峻的挑战。分析了海上光波段频谱的应用,论述了舰船面临的光电威胁以及光电对抗的技术途径和发展趋势。     

光电互联技术分析

随着电子产品向高容量、高速度、高频率的方向发展，电互联技术成为电子产品更快、更好发展的障碍，光电互联技术的出现弥补了电互联的不足。本文在分析光电互联原理的基础上，介绍应用于光电互联领域的光电器特性和封装特点，并总结光互联的发展方向和研究难点。