磁控溅射电致变色非昌态氧化钨薄膜

利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨近于最佳的工艺条件，在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ＾２，溅射气体压强１．４３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０民化学循环后，漂白     

电子束蒸发氧化钨薄膜电致变色性能的研究

报道了电子束蒸发制备的氧化钨薄膜的电臻变色特性和开关寿命，给出了电极电压和电解浓浓度对氧化钨薄膜电致变色性能的影响。     

氧化钨薄膜电致变色状态下物相组份及表面形貌变化的研究

通过对直流磁控溅射方法得到ＷＯｘ膜层的电化学和光学性能测试，以及ＸＰＤ和ＳＴＭ的物相，形貌分析，发现该ＷＯｘ膜层具有良好的电致变色性能，原始沉积态ＷＯｘ膜层为非晶态，其着退色状态仍在非晶特性，而晶ＷＯｘ膜层在着色态和退色态之间发生物相组份的可逆变化，且表面形貌有很大差异。     

电致变色氧化钨薄膜的干法锂化研究

采用电子束加热蒸发金属Ｌｉ对ＷＯ３电致变色薄膜进行干法锂化，利用Ｘ光电子能谱和电化学方法分析不同锂化程度ＷＯ３薄膜的化学组分和电致变色性能。实验表明，当锂化ＷＯ３薄膜中Ｌｉ原子与Ｗ原子的数目比在０．１５左右时有良好的可逆性和着色效率。利用该方法制备了性能良好的单片式导Ｌｉ＋全固态电致变色薄膜器件Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／ＷＯ３·Ｌｉ／ＬｉＦ·ＡｌＦ３／Ｖ２Ｏ５／Ａｌ。     

五氧化二钒薄膜结构与电致变色效应

采用反应蒸发制备Ｖ２Ｏ５薄膜,用Ｘ射线衍射分析和分光光度计分别测量薄膜晶体结构和光谱特性,利用标准三电极法从锂离子电解质溶液中向Ｖ２Ｏ５薄膜注入锂离子,实验结果表明：刚制备的薄膜为非晶结构,热处理使得膜结晶：Ｖ２Ｏ５薄膜呈较强的阳极电致变色和较弱的阴极电致变色双理效应;     

电致变色灵巧窗的设计与研制

从电致变色器件的工作原理出发，对电致变色灵巧窗的基本结构和各层材料的作用进行分析和讨论，对组成灵巧窗的各层薄膜材料进行研究和制备，并研制了性能优良的ＩＴＯ／ＷＯ３／ＬｉＣｌＯ４－ＰＣ／ＮｉＯ／ＩＴＯ以及ＩＴＯ／ＮｉＯ／ＬｉＣｌＯ４－ＰＣ／ＩＴＯ结构的半固态灵巧窗和ＩＴＯ／ＷＯ３／ＬｉＮｂＯ３／ＮｉＯ／ＩＴＯ结构的全固态灵巧窗。     

电沉积法制备电致变色材料

应用电沉积法制备WO3、NiO、M0O3,WO3/M0O3等电致变色薄膜。WO3薄膜、NiO薄膜、M0O3薄膜具有较好的电致变色特性,漂白态和着色态的透射率之差平均为30％左右。WO3/M0O3掺杂薄膜漂白态和着色态的透射率之差平均为40％左右,显示掺杂有利于增强薄膜的电致变色特性。WO3 NiO互补型电致变色体系漂白态和着色态的透射率之差平均为40％左右,显示互补型电致变色材料有利于增强电致变色特性。在双注入模型的基础上,根据过渡金属配合物显色机理,提出解释电致变色机理的“配位场模型”,认为在电致变色中可能存在三种电子跃迁方式。     

NiOxHx能效窗口薄膜的电致变色性

介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光密度的变化关系，以及不同厚度的电致变色薄膜与光透过度的关系。同时对电色薄膜的时间响应性、光密度变化与注入的电荷密度的联系也进行了研究。     

不同膜厚WO3薄膜的电致变色特性研究

研究了膜厚对WO3薄膜的电致变色特性的影响。WO3电致变色薄膜采用真空电子束蒸发技术制备，采用光学膜厚极值法和石英晶体振荡法膜厚测量技术监控WO3薄膜的膜厚及其光学特性。对不同光学膜厚的WO3薄膜的初始态、着色态和退色态的光谱特性进行了对比，同时研究了透射比和电流的时间响应特性。     

WO3—SiO2复合薄膜制备、结构和气致变色性能

采用溶胶－凝胶法在玻璃衬底上成功制备了具有良好气致变色性能的透明,均匀,附着力强的WO3－SiO2复合薄膜,讨论了络合剂的量和乙醇与水的比例对溶胶稳定性的成膜均匀性的影响,用热重－差热,X射线衍射,红外光谱分析对薄膜在热处理过程中的结构变化特征进行分析,用扫描电镜对薄膜表面微观形貌进行观察,初步研究了镀铂薄膜的气致变色性能,研究结果表明,溶胶稳定性随着H2O2的增加而增加,但溶胶成膜均匀性降低,增加乙醇与水的比例,可提高溶胶的成均均匀性和溶胶稳定性,结构分析和性能测试的结果表明,360℃热处理的复合薄膜具有高浓度相界,氢原子迁移速率高,变色响应速率快,气致变色性能优于单一组分薄膜。     

射频溅射沉积TaOx薄膜离子导体性能

利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以ＷＯ３／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ为基体，制备了一系列厚度大于２００ｎｍ的ＴａＯｘ薄膜，并用Ａｒｎｏｌｄｕｓｓｅｎ方法检测离子导电性能。结果表明，当溅射功率为１５０Ｗ、氧含量１０～８０％条件下制备的ＴａＯｘ薄膜均为离子导体。其中氧含量２０—４０％时离子导电性能最佳。用ＴａＯｘ薄膜作为离子导体制备的Ａｌ／ＮｉＯｘ／ＴａＯｘ／ＷＯｘ／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ电致变色器件，其着色态在可见光谱范围（０．３８—０．７８μｍ）的平均反射比为１１．２％，漂白态时对应的平均反射比可达８３．２％。本文还讨论了ＴａＯｘ离子导体的离子导电机理。     

用几何靶溅射方法制备AlSb多晶薄膜

采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30%和200℃),然后在N_2气氛下,300～540℃,对沉积的薄膜进行退火.用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形貌.结果表明:几何靶可以很好地控制薄膜中Al和Sb原子的比例.制备的ALSb薄膜经过退火之后形成了面心立方结构的AlSb半导体化合物,平均晶粒大小约28rm.较高的退火温度有利于AlSb薄膜的晶粒生长.     

P型透明导电氧化物薄膜的研究

p-TCO薄膜可能开辟一个新的应用领域,但其导电率远小于n-TCO薄膜的导电率,成为制约p-n型TCO应用的关键问题之一。该文归纳了p-TCO的种类和晶体结构,讨论了其半导体机制和能带结构。综述了最近p-TCO薄膜的制备技术和研究进展,分析了导电机理和跃迁模型。认为应综合考虑掺杂、量子效应与尺寸效应、能带结构和载流子浓度与迁移率,才能解决其电导率低的问题。     

绒面ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备

利用中频交流磁控溅射方法，采用氧化锌铝(98wt％ZnO 2wt％A12O3)陶瓷靶材制备了绒面ZAO(ZnO：Al)薄膜，考察了所制备的绒面ZAO薄膜与绒面SnO2：F薄膜在绒度、粗糙度、表面形貌以及电学性质的差异，利用原子力显徽镜对薄膜表面形貌进行了分析并计算出薄膜表面粗糙度，利用紫外可见分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性。结果表明：所制备的绒面ZAO薄膜具有与绒面SnO2：F薄膜相比拟的各种性能，在非晶硅太阳电池中具有潜在的应用前景。     

工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响

以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变Ar/N2流量比得到了一系列氮化硅薄膜.用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了Si-N的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密.实验结果表明:纯N2条件下制备的薄膜比使用Ar和N2混合气体条件下制备的薄膜中的SiNx含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释.