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聚变堆第一壁涂层材料TiC和TiN的残余应力研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用X衍射法测定了聚变堆第一壁涂层材料TiC和TiN薄膜的残余应力.对涂层材料不同的制备方法(化学气相沉积CVD和物理气相沉积PVD)、基体材料(Mo、石墨和316LSS)、涂层厚度及沉积温度对残余应力的影响进行了研究.结果表明,CVD与PVD制备的涂层的残余应力均为压应力,且CVD较PVD产生的残余应力要低,Ti/Mo(CVD)随涂层厚度(14μm~60μm)的增加,残余应力增加.PVD涂层的残余应力主要为本征应力,高达数GPa.其值随沉积温度(200℃~650℃)的升高而降低.对残余应力产生的原因作了初步讨论 相似文献
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金属等离子体浸没离子植入和沉积(MePIIID)是一项将阴极电弧沉积和等离子体浸没离子植入结合起来的混合工艺。本文评述了由真空电弧产生的金属等离子体的性能,并讨论了MePIIID的结果。描述了各种类型的MePIIID,并将它们与表面改性的传统方法如离子束辅助沉积(IBAD)作了比较。由于使用了各种离子粒种和能量,MePIIID是一项非常通用的方法。在一种极端情况下,用能量范围为20-50eV的离子 相似文献
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采用AlCl3H2CO2化学气相沉积(CVD)系统,在不同CVD工艺条件下,氧化铝被沉积在预涂层TiC的316LSS、石墨和钼基体上。氧化铝涂层经SEMXray和电子能谱分析表明:该涂层为正化学计量致密Al2O3。工艺研究表明:温度升高使Al2O3沉积速率迅速增加;AlCl3浓度达2%左右,沉积速率增加缓慢;CO2浓度小于10%时,沉积速率迅速下降。 相似文献
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等离子体辅助化学气相沉积译沉积薄膜具有许多优点。在膜生长期间使用离 能轰击膜是生产致密结构的一种重要技术。本文讨论了在高能轰击对用等离子体沉积工艺生产的膜的应力水平及结构的影响方面研究的最近进展。诊断设备,诸如原位椭圆汁,能量选择质谱仪及残余气体分析器,能对PACVD过程仔细监测,因此可精确地控制生长面的条件。新的等离子体源,比如螺旋波等离子体源,可发射出高的离子通量。 相似文献
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^90Y标记抗体的双功能络合剂的研究—异硫氰基苄基DTPA与… 总被引:1,自引:0,他引:1
比较了异硫氰基苄基DTPA(SCN-Bz-DTPA)、环化DTPA酸酐(CDTPA)两种双功能络合剂与单克隆抗体(McAb)的偶联、偶联物与^90Y标记和标记物稳定性的差异。结果表明,无论在络合剂对单克隆抗体免疫活性影响方面,还是在标记物稳定性方面,SCN-Bz-DTPA都优于CDTPA。 相似文献
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研究了1-苯基-3-甲基-4(2-氯苯氯基)哟唑酮-5(PMCBP)与三辛基氧化膦(TOPO)、二正辛基亚砜(DOSO、二环己基亚砜(DCyHSO)和磷酸酸古丁酯(TBP)的二甲苯溶液从盐酸介质中对肴的协同萃取,实验证实有明显的协萃效应,采用斜率法测定了PMCBP单独和协萃铕的配合物组成,它们分别为EuA2.Cl.HA和EuA2.Cl.B(B为TOPO、DOSO、DCyHSO TBP)。计算了它们 相似文献
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本文介绍了第一壁TiC涂层材料的化学气相沉积(CVD)工艺;研究了涂层工艺条件对涂层微观结构、沉积速率和基体对涂层生长的影响;给出了涂层厚度与涂层工艺条件之间的经验关系式。讨论了TiC/石墨、TiC/MO、TiC/316LSS涂层材料的电子束热冲击损伤机理和热疲劳损伤机理,并对TiC/石墨、TiC/Mo、TiC/316LSS用做现行Tokamak第一壁材料的可行性进行了分析。 相似文献
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张纯祥 《核技术(英文版)》1995,(2)
THINDOWNINRADIOBIOLOGY:E.COLIB/r,Bs-1,B.SUBTILUSSPORES,ANDV-79CHINESEHAMSTERCELLSZhangChunxiang(张纯祥)(DepartmentofPhysicsZhong... 相似文献
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蜂花粉对受照大鼠抗辐射效应的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了口服蜂花粉对受照大鼠外周血白细胞(PWBC)数,血清超氧化物歧化酶总活力(T-SOD),血清过氧化脂质(LPO)终产物丙二醛(MDA)和过氧化值(POV)的影响。结果表明“蜂花粉具有良好的抗辐射损伤的功能,即服食花粉组的PWBC数和T-SOD明显高于对照的正常组和单放组。花粉线的MDA和POV显著低于对照的正常组和单放组。提示蜂花粉的抗放射要理可能是由于蜂花粉能提高机体的造血重建力,提高体内 相似文献
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DHDECMP-TBP-煤油协同萃取Am(Ⅲ)和Gd(Ⅲ)机理的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
研究了TBP-煤油,DHDECMP-煤油,DHDECMP-TBP-煤油从0.05mol/L NHO3-5.0mol/LNaNO3,介质中萃取Am^3+,Gd^3+的机理,其萃合物分别为;Am(NO3)3.3TBP,Gd(NO3)3.3TBP,Am(NO3)3.3CMP,Gd(NO3)3,3CMP,Am9NO303.3CMP.TBP和Gd(NO3)3.2CMP.TBP,并测得了各反应的平衡常数K和热 相似文献
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APDC—CCl4对As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的萃取行为研究 总被引:5,自引:2,他引:3
研究了吡咯烷二硫代甲酸铵-氯仿(APDC-CCl4)对As(Ⅲ)和As(Ⅴ)的萃取。实验发现:在低pH值条件下,As(Ⅲ)可被APDC-CCl4定量萃取,而As(Ⅴ)可用Na2S2O3还原为As(Ⅲ)后萃取。CCl4中的As-APDC螯合物可被微碱性的水反萃。APDC-CCl4对As(Ⅲ)、As(Ⅴ)萃取行为的差异可用于水质监测中As(Ⅲ)与As(Ⅴ)的分离。 相似文献
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用氦离子等离子体辅助分子束外延方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。结果发现,PABME外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特征。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层。测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。 相似文献
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DHDECMP-TBP/煤油体系从1.0mol/L HNO3-UO2(NO3)2介质中萃取U(Ⅵ),除了存在TBP和DHDECMP的单独萃取反应外,还存在着DHDECMP-TBP的协同萃取反应。形成的萃合物分别为UO2(NO3)2.2TBP、UO2(NO3)2.2DHECMP和UO2(NO3)2.DHDECMP.TBP。实验测定了TBP/煤油、DHDECMP/煤油和DHDECMP-TBP/煤国同萃 相似文献
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本文报道金属蒸发真空孤放电(MEVVA)型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Al、Ti、Fe和Cu。阴极触发脉冲12kV,脉冲宽度90μs,脉冲重复率1-5次/s。引出束流脉冲宽度300μs。当引出电压为28kV时,可引出Al、Ti、Fe和Cu离子流强度分别为230mA、250mA、280mA和300mA 相似文献
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应用化学光谱法分析测定了UF4中的18种微量杂质元素Li、Na、Al、Mg、K、Ca、Mn、Fe、Cu、Cr、Zr、Ti、Mo、V、P、Ni、Ba、W。测定的18种杂质的质量分数范围为3.28×10-10-1.31×10-6;精密度<20%;回收率96.1%-111%。 相似文献
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BODY SURFACE EXPOSURE DISTRIBUTION OF EXAMINEES RECEIVED UPPER G.I.T.X-RAY EXAMINATIONFengDinghua(冯定华)andChengQijun(程祺钧)(Facu... 相似文献