AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器

通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.     

四象限InGaAs APD探测器的研究

文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数.试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性.     

AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器

通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应.研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2(N2气中)的响应,计算了器件的灵敏度;并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢;空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用;最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.     

基于低功函数铪电极的Si纳米空气沟道二极管研究

基于电子无散射弹道输运的纳米空气沟道二极管具有响应速度快和截止频率高等特点,在毫米波与太赫兹领域中有着巨大的应用潜力。本文研究了以低功函数金属Hf为电极的Si基垂直结构纳米空气沟道二极管的I-V与时间响应特性,并与相同结构的Au电极器件进行了对比。研究发现,相比于先前文献报道较多的截面发射结构,面内发射构型的Hf电极纳米空气沟道二极管发射电流增强了近2倍,5 V电压下达到13.5 mA,并且其I-V曲线线型从符合空间电荷限制电流的V^3/2变成了符合F-N场发射的规律。相比于以Au为电极的Si基纳米空气沟道二极管,以Hf为电极的器件发射电流显著提升了近4倍,且器件响应上升沿仅为2 ns,具有超快响应的特性,通过降低器件面积和电容还可进一步提升响应速度。     

单边凹槽电极结构MSM型蓝光探测器的研究

为提升InGaN基可见光探测器性能,制作并测试了基于GaN/InGaN MQWs外延材料的单边凹槽叉指电极MSM结构蓝光光电二极管。凹槽电极器件的I-V特性测试结果显示,相较于传统平面电极器件,随着偏压增加,器件暗电流越小且越趋于平缓,而光电流越大;光谱响应率测试显示,器件截止带边都位于490nm附近,凹槽电极器件带边处拒绝比高于平面电极器件1个量级。当偏压为5V时,凹槽电极器件响应率为0.0346A/W@480nm,对应外量子效率为8.94%,高于平面电极器件。器件性能提升的原因是单边凹槽电极结构有效改善了内建电场的分布,从而抑制了表面传导漏电流,使得器件暗电流更小且更有利于电极收集光生载流子,提升了响应率。     

量子级联波长上转换系统红外响应特性研究

通过对波长上转换红外探测过程的分步测试和理论计算,对量子级联波长上转换器件与系统的红外响应特性进行了深入的研究。结果表明:量子级联波长上转换红外探测器件可以在较低的本底发光下实现较强的红外响应。上转换器件的响应度在平带偏压附近迅速增加,且红外光转换为上转换器件电流的线性度良好。对于波长上转换器件的近红外发光过程,文中应用ABC模型,获得了与测试结果非常一致的系统响应电流与电流转换效率,并合理地解释了波长上转换红外探测系统的非线性响应特征。     

紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列

基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为340nm.在400～250nm的可见光盲区域,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有0.15A/W的高响应度,相对应的量子效率为55%.成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性.     

紫外成像用高响应ZnS肖特基光电二极管阵列

基于分子束外延(MBE)生长技术,制备出了新颖的8×8 ZnS肖特基光电二极管阵列,研究了制备该器件的标准光刻,金属沉积,湿化学腐蚀,SiO2绝缘层沉积等一系列微电子处理工艺.该肖特基光电二极管阵列的光谱响应截止边为340nm.在400～250nm的可见光盲区域,光电响应测试显示该器件在截止边波长处具有0.15A/W的高响应度,相对应的量子效率为55%.成像测试显示该器件具有良好的紫外成像特性.     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理.由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选.通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试.测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7 A,雪崩增益是3.     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10-7A，雪崩增益是3。     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10^-7A，雪崩增益是3。     

背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器

在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N／Al0.5Ga0．5NP—I—N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA／W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10^-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。     

变容二极管电容测试及分类仪

<正> 前言 我厂是生产变容二极管的专业厂。为了精确地测试变容二极管的电参数,六十年代中期我们从日本东京DENPA KDGYO公司引进TMD—122C型变容二极管测试仪,由电子管组成,表头显示,可测试反向电流I_R、电容C和电容电压变化指数n值。“六五”期间我们从美国HP公司引进4277A型变容二极管电容测试仪,由集成电路和分立器件组成,数字显示,可测试电容C。“七五”期间我们准备从日本国洋电子公司引进SM—1018C型或SM—1018E型变容二极管电容测试及分类仪(以下简称分类仪),或从日     

科技信息

硅光电二极管Ｈａｍａｍａｔｓｕ公司生产的Ｓ６５６０型ｐｉｎ硅光电二极管入射角探测器具有两个并列接收元，探测范围宽，从发光二极管（ＬＥＤ）发出的低强度红外线到强太阳光。器件探测角达±５０°，探测响应线性度极好。其光谱范围从７６０～１１００ｎｍ，峰值...     

10Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管

基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCMAPD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响.模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3 dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响.结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试.测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合.器件击穿电压为30 V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8 A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10 nA,-3 dB带宽大于10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求.     

LEM传感器在交错Boost型PFC电路中的应用

为了解决双Boost并联运行的PFC电路中各支路电流、总电感电流、直流侧二极管电流、开关管电流及输入交流电流的检测问题,文中介绍了LEM公司的一种电流传感器.并利用LEM传感器具有测量频率范围宽、反应速度快、准确度和线性度高等特点,给出了其在交错Boost型PFC电路中进行直流、不同频率的交流以及脉动电流电气参数测试的具体方法.     

Au/4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性

采用微电子平面工艺,高真空电子束蒸发金属Au做肖特基接触,多层金属Ni、Ti、Ag合金在背底上做欧姆接触,制作出Au/n-4H-SiC肖特基势垒紫外光电二极管(UV-SBD).测试并分析了在不同温度下该器件的I-V特性及光谱响应特性.实验表明:器件高温下有较低的反向漏电流,正向开启电压下降速度为-1.2 mV/℃;波长响应范围为200～400 nm,在23℃和260℃时,光谱响应峰值分别出现在320 nm和330 nm,每100℃波长红移约4 nm;响应灵敏度随温度升高而降低,平均每100℃降低2倍.     

利用2450型触摸屏数字源表,轻松实现Ⅰ-Ⅴ二极管特性分析

1 概述 二极管是两端口电子器件,支持电流沿着一个方向流动(正向偏压),并阻碍电流从反方向流动(反向偏压).不过,有许多种类型的二极管,它们执行各种功能,如齐纳二极管、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、肖克利二极管、雪崩二极管、光电二极管等.每种二极管的电流电压(Ⅰ-Ⅴ)特性都有所不同.无论在研究实验室还是生产线,都要对封装器件或在晶圆上进行二极管Ⅰ-Ⅴ测试.     

近红外光电二极管

美国Opto Diode公司展出一种名为ODA-5W-100K的近红外红光谱强型光电二极管前置放大器。这种器件的敏感面积大，噪声小，可提供500MΩ的增益，在940nm波长处的响应率为63V／mW。该器件被装在密封的金属盒内，其贮存和工作的温度范围为-25℃至100℃，其应用包括测试和测量。     

半导体发光材料的新应用——视觉敏感GaAsP光敏二极管

本文讨论了半导体发光材料的新应用—ＧａＡｓＰ视觉敏感光敏二极管。这是在ｎ—ＧａＡｓＰ上制作浅结的光敏二极管，通过对研组份值、结深的控制，器件的｜△ＥＶ｜≤０．１，这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼，其暗电流小于０．２ｐＡ／ｍｍ２，灵敏度为０．８μＡ／ｍｍ２。该光敏二极管已成功地应用于高级自动电子相机中。