模拟集成电路版图中的对称检测与提取方法

新一代模拟集成电路版图自动化系统在重用原有版图时,迫切需要提取其中的匹配设计信息,以保证其输出版图的质量.在角勾链数据结构的基础上,提出了新的对称检测、提取算法及数据结构.该算法检测出器件之间的对称关系,进一步提取出模块之间的对称关系,并将器件级和模块级对称关系及底层的角勾链结构以独特的数据结构统一存储.结果表明,该算法与数据结构能够有效地提取并表示设计者在版图中渗透的匹配设计思想,为版图的生成提供多级对称约束条件,从而有力地保证重用系统所输出的模拟版图的性能.     

浅谈CMOS模拟集成电路版图设计的器件匹配方法

基于模拟集成电路版图设计中的器件不匹配问题,对版图设计中的器件匹配的方法、技巧以及需要注意的问题进行总结,并结合一个运放的版图设计实例详细阐述了版图设计的基本器件匹配方法与技巧。     

低失配CMOS差分放大器的后端版图设计研究

器件尺寸的缩小提高了晶体管的原始速度,但是集成电路不同模块间有害的相互干扰和版图的非理想性都限制了系统的工作速度和精度。理想的差分放大器电路参数是完全对称的,但实际电路中,由于制造工艺每道工序的不确定性,标称相同的器件都存在有限的不匹配。本文在设计差分电路的版图时通过讨论制造工艺和版图结构对电路性能的影响,设计了失配较小,寄生效应小的单管版图结构,并在全局布局时充分考虑了对称性对电路性能的影响得到了比较理想的差分放大器版图。     

集成电路工艺及器件模拟研究的新进展

集成电路工艺及器件模拟是缩短集成电路工艺及器件设计周期、节省设计成本、提高设计精度的关键技术;同时,这项研究还能深化集成电路工艺及器件物理的研究,得到人们目前还不能用实验手段得到的有关信息。     

Aether原理图驱动版图工具Device Matching功能的原理与实现

本文针对Aether原理图驱动版图工具中的器件匹配功能的原理与机制予以论述。本文首先探讨当前深亚微米工艺下进行器件失配的由来;其次描述了器件匹配的原理;最后针对设计工艺中不同的器件类型晶体管(MOS)、电阻(Resistor)等进行匹配实现,并基于Aether原理图驱动版图工具给出该功能实现的实际效果图,提出了产品化过程中注意到一些问题。市场实践表明,该功能在版图设计过程中能够帮助版图工程师快速完成匹配器件的版图生成,从而极大提高了版图工程师的设计效率。     

集成电路工艺的计算机辅助设计

一、集成电路 TCAD 系统的提出以缩短集成电路工艺、集成电路器件和集成电路电路的设计周期以及为提高设计精度和节省设计成本为目标而发展起来的集成电路工艺模拟、集成电路器件模拟、集成电路电路模拟用器件模型参数提取等方面的集成电路计算机辅助设计软件的研制和应用,如从美国 Scanford 大学推出一维硅器件全工序工艺模拟器 SUPREM-2(1978年)算起,已有十余年的历史了。在这十余年中.随着集成电路的飞速发展,集成电路工艺的 CAD 这个领域也有了较大的进展。在集成电路工艺模拟方面,已有了较成熟的一维硅集成电路全工序工艺模拟软件,二维硅集成电路全工序工艺模     

MOS晶体管的阈值电压不匹配特性

集成电路中器件的匹配性对于模拟电路和数字电路的设计有着很重要的影响,而现在重要的是还缺乏精确的器件匹配的模型。在模拟集成电路设计中,MOS管阈值电压的匹配特性对集成电路尤其是电流Ids的大小有着重要的影响。基于短沟道系列模型,MOS氧化层中的固定电荷和杂质原予服从泊松分布,分析了NMOS和PMOS器件不匹配的物理原因,并验证σVT/VT遵循与1/(?)成比例的结论。     

CAD在模拟集成电路中应用(上)

计算机辅助设计(Computer-Aided Design)是科研、设计人员借助电子计算机进行设计的一项专门技术.一般集成电路从逻辑设计、线路设计、版图设计到试制出样管的周期较长,试制成本也较高,为了提高设计质量,缩短试制周期,降低试制成本,在集成电路的设计与制造过程中应用CAD技术就势在必行了.     

微波晶体管散射矩阵的数值计算

提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法 ,该方法采用数值分析技术 ,把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解 ,得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的变化关系 ,根据电压电流值求出器件的散射矩阵 .在设计微波单片集成电路 (MMIC)时 ,可以同时对器件和输入输出匹配电路进行设计 ,缩短了研制周期 .另外计算了 SOI MOSFET微波器件的散射矩阵 .结果表明 ,该方法与传统的参数提取方法相比 ,两者的结果基本一致 .     

微波晶体管散射矩阵的数值计算

提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法,该方法采用数值分析技术,把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解,得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的变化关系,根据电压电流值求出器件的散射矩阵.在设计微波单片集成电路(MMIC)时,可以同时对器件和输入输出匹配电路进行设计,缩短了研制周期.另外计算了SOI MOSFET微波器件的散射矩阵．结果表明,该方法与传统的参数提取方法相比,两者的结果基本一致．     

模拟集成电路设计自动化技术

随着对数模系统集成技术的迫切需求,模拟集成电路综合技术的研究正受到越来越广泛的注视。本文评述了现有模拟集成电路设计自动化技术的主要方法:拓扑综合,器件尺寸优化和版图综合技术。     

集成电路工艺、器件及电路的模拟

目前,集成电路的设计方法基本上有两大类:一类是独创性较强的设计,一类是以模仿为主的设计.无论那一类设计,在设计过程中,都有必要利用计算机进行工艺、器件及电路的模拟,因为事实已经表明,通过模拟可在不同程度上收到提高设计精度,缩短设计周期及预估设计可行性的效果.     

一种中频接收电路的版图设计

利用Cadence版图设计工具采用B300工艺对一种中频接收电路芯片的版图设计实例,阐述了模拟集成电路版图的设计过程,论述了包括单元库建立、布局、布线、设计规则检查（DRC）和版图对照原理图检查（LVS）等在内的设计步骤以及进行每一步骤的具体方法,尤其对布局和布线这样的关键步骤进行了重点讨论。最后给出了完整的芯片版图。     

模拟集成电路设计自动化技术

随着对数模系统集成技术的迫切需求，模拟集成电路综合技术的研究正受到越来越广泛的注视。本文评述了现有模拟集成电路设计自动化技术的主要方法：拓扑综合，器件尺寸优化和版图综合技术。     

用版图自动生成器设计浮空场板

本文基于ＣＩＦ版图格式的数据结构,开发了一个高压功率器件的版图自动生成器,并利用该软件设计了一个具有双层浮空场板的高压功率ＬＤＭＯＳ的版图．通过实验测试,其结果达到了预先设计６００Ｖ的要求．并且在器件单元横向尺寸优化值给定的情况下,大大地缩短了功率器件的设计周期     

0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响

本文中,在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下, 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。     

集成电路版图布局对电阻精度的影响

本文主要介绍了集成电路版图布局对电阻精度的影响。随着集成电路的发展,半导体器件的特征尺寸不断减小,版图设计过程中产生的一些寄生参数对芯片的影响会越来越大,版图质量的好坏,大大影响着芯片的良率,甚至影响着芯片的成败。本文在相同电路设计的前提下,改变版图布局方式,研究了不同版图布局对电阻精度的影响,依据公式计算并给出对比结果,总结了要得到精确电阻值应采用的版图布局方式。     

扩充CIF版图数据预处理程序

介绍了采用扩充ＣＩＰ格式实现图形功能扩充的一种方法，还介绍了一个能将该扩充ＣＩＦ格式转成标准ＣＩＦ格式的微波器件和集成电路版图数据预处理程序，此预处理程序在微波器件和集成电路版图设计中得到广泛应用。     

双极型功率集成电路版图设计技术

双极型功率集成电路已大量应用于民用、军用电子设备中,其典型应用主要是在通信系统、雷达和电子对抗等领域.大功率电子设备的性能与可靠性很大程度上取决于双极功率器件及其放大电路的性能,因此,提高双极型功率集成电路的性能和可靠性具有十分重要的现实意义.在分析双极功率器件和集成电路工作特点的基础上,介绍了器件结构及其版图设计方法,详细分析了其特点和功能,以达到提高双极型功率集成电路性能和可靠性的目的.     

扩充CIF版图数据预处理程序

介绍了采用扩弃ＣＩＦ格式实现图形功能扩充的一种方法，还介绍了一个能将该扩充ＣＩＦ格式转成标准ＣＩＦ格式的微波器件和集成电路版图数据预处理程序，此预处理程序在微波器件和集成电路版图设计中得到广泛应用。