用版图自动生成器设计浮空场板

本文基于ＣＩＦ版图格式的数据结构,开发了一个高压功率器件的版图自动生成器,并利用该软件设计了一个具有双层浮空场板的高压功率ＬＤＭＯＳ的版图．通过实验测试,其结果达到了预先设计６００Ｖ的要求．并且在器件单元横向尺寸优化值给定的情况下,大大地缩短了功率器件的设计周期     

有场限环和横向变掺杂的平面结二极管电场分布的二维数值分析

本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR's)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(LFP)边界条件。利用该技术在求解Poisson方程时,便能方便迅速正确地对具有上述结终端结构的平面结二极管的反向击穿特性进行二维数值模拟;同时,为进一步克服由于高反偏压导致的低求算效率,本文引入一套与外加偏压相关的归一化参数对Poisson方程进行归一化,并给出归一化参数随外加偏压变化的经验公式。利用上述技术,分别对平面结二极管以及具有双FFLR's的结构和由五段Gauss掺杂分布形成的VLD的结构的平面结二极管的表面电场进行二维数值分析,得到了满意的结果。     

一种800 V深阱多浮空场环终端结构设计

在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200 μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931 V 的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5 V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15%,有效提高了终端效率。     

600伏高压LDMOS的实现

综合利用RESURF技术、内场限环技术及双层浮空场板技术，充分降低高压LDMOS的表面电场，使用常规低压工艺，最终实现600伏高压LDMOS。本文介绍了此高压LDMOS的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。     

具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究

通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件进行了设计与优化。仿真结果表明:对于击穿电压为600 V的RESURF(reduced surface field)LDMOS器件,场板能够有效地优化器件表面电势分布,降低电场峰值,提高器件的击穿电压。其中场板的数量、长度等参数对高压RESURF-LDMOS器件的耐压有较大影响。并且场板结构增加了double RESURF器件P-top剂量的容差范围,影响了器件的导通电阻。     

MOS型新型功率器件终端场分析与实验

采用二维有限元数值分析的方法，开发了用于反向偏置ｐ－ｎ结分析的模拟软件，可以模拟与ＭＯＳ型功率器件反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。为高压器件的终端研究、设计和优化提供了精确而有效的ＣＡＤ工具。此文介绍模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例、结论及实验结果。     

δ掺杂AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型

本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs／GaAs高电子迁移串晶体管（HEMT）的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度．模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子附中．详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化．     

毫米波高电子迁移率晶体管的二维数值模拟

建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程获得了沟道中的电子浓度和横向电场．模拟结果表明栅电压的改变对ＨＥＭＴ器件跨导产生很大的影响．     

基于曲折网格表面的二维通信技术

二维通信系统(Two-dimensional Communication System, 2DCS)是一种以物体表面为通信介质的新型 通信技术,可以提供无线供电以及安全、高速的数据传输服务。为了改善二维通信中的供电性能,文中提出了一种 增强功率传输性能的二维通信导波板,该导波板包含三层:导电层、介质层和具有曲折网格的表面层。微波通过同 轴导波耦合器馈入二维通信导波板,可以在呈电感性的曲折网格表面任何一点耦合出表面层。经电磁仿真和实际 测试验证,与以前的二维通信导波板相比,曲折网格结构和阻抗匹配的同轴导波馈电器改善了二维通信导波板的传 输性能和电磁场分布的空间均匀性。     

板条热容激光器的二维热特性

固体热容激光器(SSHCL)作为高功率固体激光器的一个重要发展方向,引起人们广泛关注。数值模拟激光介质板条在热容方式下工作的温度和应力分布是了解该类激光器工作特性的一种有效手段,采用平面应力近似法导出了半导体激光器抽运热容激光介质板的二维温度和应力分布公式,同时也对二维抽运光吸收密度、介质板温度分布和折射率变化进行了分析与讨论。数值计算的结果表明二维效应的温度分布和应力分布要比一维效应给出的分布更均匀。     

半桥驱动芯片中LDMOS的设计仿真

借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真。该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10–3.cm2的LDMOS。     

数值方法和计算参数对束传播方法精度影响的研究

本文参聚合物方向耦合器为对象,研究了二维ＢＰＭ和三维ＢＭＰ在模拟工方面的差别以及剖分点数、传播步长、初始有效折射率等计算参数对精度的。在研究过程中,利用有效折射率的方法,把三维波导转化为二维波导,分别采用三维ＢＰＭ和二维ＢＰＭ进行了模拟,并对模拟结果进行了模拟,并对模拟结果进行了比较,发现二者符合很好,表明二维ＢＭＰ具有很高的工。研究还表明初台有效折射率、传播步长的取值对模拟结果影响不明显,部分点     

无限大平行板问轴对称电子束二维静电PIC模拟程序设计

利用粒子模拟方法(PIC),用Fortran语言进行程序设计,对无限大平行板间轴对称电子束的运动进行二维模拟.在该程序设计中,宏粒子采用环宏粒子模型,用体积加权模型将每一个宏粒子电量分配到格点上,相对于面积加权模型更加精确.与通常数值模拟方法相比,PIC方法得出各个宏粒子的瞬态运动特性.最后通过以Magic仿真软件的计算结果为标准进行验证,证明了该算法的准确性.     

无限大平行板间轴对称电子束二维静电PIC模拟程序设计

利用粒子模拟方法（PIC）,用Fortran语言进行程序设计,对无限大平行板间轴对称电子束的运动进行二维模拟。在该程序设计中,宏粒子采用环宏粒子模型,用体积加权模型将每一个宏粒子电量分配到格点上,相对于面积加权模型更加精确。与通常数值模拟方法相比,PIC方法得出各个宏粒子的瞬态运动特性。最后通过以Magic仿真软件的计算结果为标准进行验证,证明了该算法的准确性。     

电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计

提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。     

量子阱激光器计算机模拟系统

文章介绍了了一个量子阱激光器计算机辅助分析系统ＱＷＣＡＤ,该系统集成了增益计算,异质结激光器二维模拟,量子阱激光器二维模拟等几个适用工具,给出了激光器二维结构的描述方法,引入了量子效应及热效应模型,并附有中间及最后结果的一维及二维曲线输出。     

双瑞利分布的时空二维杂波模拟

本文讨论了一种幅度满足双瑞利分布，其二维谱和特征值谱给定的时空二维杂波的模拟方法，它对机载相控阵雷达系统的设计和性能分析是极有意义的。文中详细探讨了二维杂波模拟遇到的新问题，并提出检验二维杂波模拟结果的新要求。     

由频谱模重构二维离散信号的迭代算法

本文提出了一种由幅度谱重构二维信号的迭代算法．通过在计算机上模拟验证，此方法是行之有效的，实用性很强。     

高压半导体器件电场的二维数值分析

利用作者们开发的有限元二维分析程序对高压半导体器件的电场分布进行了模拟分析.给出了这类器件中有离子注入、场板和栅极延伸等终端结构时的电场分布;根据模拟结果得出突变平面结表面电场的近似公式,将此公式与圆柱坐标对称解和计算机模拟结果进行了比较.     

一种基于降维处理的二维谱估计算法研究

本文讨论了H．Kimura和Y．Honoki提出的基于降维处理的高分辨率二维谱估计算法，并通过引入自适应定阶和“相关阵”正定性修正方法，对它进行了改进。经模拟分析表明，改进后的算法具有更高的计算效率和良好的性能。