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绝缘栅双极晶体管(IGBT)是电力电子技术中的关键器件。本文介绍了IGBT国内外发展简况,较详细地说明了IGBT的重要特性及其应用基础技术,列出了在家用电器、电焊机、电动机等方面应用的一些基本电路。 相似文献
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)是近十多年来为适应电力电子技术发展而出现的新型器件。本文着重介绍它的结构、工作机理、静态特性、动态特性以及主要参数,为使用该类器件奠定基础,并对IGBT的应用作了介绍。 相似文献
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功率IGBT的驱动保护及其应用技术 总被引:4,自引:0,他引:4
文章叙述了功率绝缘栅控双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,同时根据这些要求给出了几种功率IGBT的实用驱动和保护电路的应用实例. 相似文献
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绝缘栅双极晶体管基础 总被引:1,自引:0,他引:1
IGBT结构及工作原理 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BV为oss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有Ros(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些 相似文献
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互补横向绝缘栅双极晶体管的模型与特性 总被引:1,自引:1,他引:0
本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型.根据双极传输理论,考虑电导调制效应、闭锁效应、反向注入及电流的多维效应,导出一种漂移宽基区双极—MOS器件的电路网络模型.首次将此模型直接嵌入SPICE3A.7中.计算CLIGBT在不同栅压和横向电阻下的静态闭锁特性及在不同漂移区长度和不同PMOS宽长比下的瞬态闭锁特性.由此可解决含有CL-lGBT等BIMOS类器件的高压集成电路HVIC的设计问题. 相似文献
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作为一种新型的功率半导体器件,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优越的性能,成为中高功率电力电子领域的主流功率开关器件,被广泛应用于智能电网、新能源、高速铁路、工业控制、汽车电子、家电产品、消费电子等领域。概述了IGBT的演变历程以及主要技术发展,同时对我国IGBT的发展现状进行了分析。 相似文献
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提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管(CI-LIGBT),它可以有效地控制高压下阳极区穴穴注入,提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏p^+n^+结 穿电压BVZ、取样电阻RA和阳极区结深的优化,提高了CI-LIGBT的抗闭锁能力,降低了其导通压卫,并获得了初步实验结果。 相似文献
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通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)直流参数温度特性的测试分析并与VDMOSFET进行比较,从中得出IGBT能够承受更大的电流密度,其导通压降在高温下较之VDMOSFET有较大的优势。 相似文献
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一种实用的IGBT驱动电路张开如,程斌(山东矿业学院济南分院,济南,250031)功率绝缘栅双极晶体管(简称IGBT)因具有开关频率高、通断电流大等优点而得到越来越广泛地应用。随之而来的各种驱动电路也应运而生,其中有分立元件构成的驱动电路,也有专用的... 相似文献
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现代电子电力场控器件快速发展,绝缘栅控双极晶体管具有开关速度快,电压电流耐量高等诸多优点,使用它制作大功率调制器可以显著改善可靠性,提高发射机的综合指标。 相似文献
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