扩散炉反应管压力自平衡系统的设计

对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下,对反应管内气体排放进行调节,从而控制管内压力,使管内流速均匀,达到好的扩散效果。     

高温外延炉气体压力控制系统的实现

针对碳化硅外延工艺过程中压力控制范围大、控制精度高的要求,以及受到温度、气流变化大的影响,介绍了一种用于碳化硅高温外延工艺的高温外延炉腔内压力控制系统。通过分析碳化硅外延炉压力控制系统,提出了模糊自适应PID控制算法。在国产碳化硅外延设备上进行验证,实验结果表明压力控制系统具有较快的响应速度和较低的超调量,效果良好,能满足碳化硅高速外延需求。     

软着陆闭管扩散炉几个关键控制单元的设计与应用

为了适应太阳能电池生产的新工艺需求,提出一种新型的软着陆闭管扩散炉系统,为扩散炉系统向智能型、精密型的方向发展进行有益的探索,并阐述了软着陆闭管扩散炉系统的结构组成和工艺原理以及技术指标,重点对扩散炉系统中送料装置软着陆单元、炉门自动封闭单元以及炉管压力平衡单元的电气控制部分进行了详细的分析,其中运用了上下位机与PLC结合的控制方式对送料装置软着陆、炉门自动封闭进行了设计,运用PID控制方式对炉膛内压力进行控制,使其达到平衡。     

基于80C196KC的单晶炉等径控制系统设计

等径生长控制系统是单晶炉上的重要组成部分,其性能对于单晶的生长至关重要。以80C196KC单片机作为控制系统的核心部件,采用PID算法以及其他的软硬件设计,实现了一整套单晶炉生长控制的设计方案。     

连续炉的制造实例

对于大批量生产和处理一致性以及精确控制的工艺要求,连续炉是理想的。详述了一些新式的连续炉温度和性能并介绍了一种不同元件组成的连续炉。根据炉子工艺技术,经济因素和零件质量因素的影响决定了是采用一个连续式炉还是批装式炉。     

连续式炉

引导读者考虑把烧结工艺从间歇式炉转换成连续式炉,然后介绍了连续式炉的许多特点。目前在烧结工艺中采用连续式炉的读者可以了解部分新型温度和气氛控制功能,其它读者则可以概括了解构成连续式炉的各个部分。     

旋转法下降炉的智能控制

随着我国人工晶体材料工业的飞速发展,急需性能优良、稳定性好、自动化程度高的晶体生长设备。提出了炉室上升坩埚旋转技术,不仅利于提高生长晶体的品质,而且生长设备简单,易于实现自动化控制。采用性能优良的ADμC812微控制芯片进行控制．是晶体生长设备控制方法的有益探索。该设备自动化程度较高,速度运行可靠,维护简单方便,具有推广价值。     

电渣重炉自动控制系统的设计

本文通过对电渣重炉运行原理进行分析，采用AT89S51单片机来改进电渣重炉控制，利用计算机软件来实现控制要求，使计算机软件取代原来由继电器组成的电渣重炉控制箱。大大提高了电渣重炉自动控制系统。     

高功率CO_2激光焊接等离子体控制实验研究

采用精密的侧吹辅助气体调节和控制装置，实验研究了等离子体控制的各种工艺参数；采用光电晶体管检测熔池表面及小孔内等离子体光强变化；从理论上分析了等离子体控制的机理．结果表明：当辅助气体流量变化时，等离子体控制效果呈现三个区间．无论采用何种气体，只要辅助气体的操作压力稍大于金属蒸气压力，等离子体即被最佳控制     

1500mm带钢生产线数字化加热炉的研究与应用

本文分析了数字化加热炉脉冲燃烧控制的原理及实现方法,并阐述了炉内各种压力的控制与调节.数字化加热炉的应用,实现了燃烧控制与生产状态的动态跟随,提高了生产率,同时有效的降低能耗.     

降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究

本文介绍了在国产高压单晶炉中,采取PBN涂层掩蔽碳的措施,利用LEC生长法,生长含碳量低的优质SI-GaAs单晶的工艺和实验结果.结合国内外LEC法生长SI-GaAs单晶降低碳含量的研究报道,讨论了环境中碳杂质沾污的机理及碳对SI-GaAs;单晶性能的影响.     

自动加料单晶炉的设计与研究

由于传统的晶体生长设备不具备加料功能,在晶体生长过程中无法进行原料补充,所以最终的晶体尺寸通常受制于坩埚和设备大小。而更大尺寸的坩埚和设备成本高,这制约了大尺寸晶体的研究和发展。该文设计了一种自动加料系统,可根据已生长的晶体质量向坩埚内补充同等质量的原料,确保坩埚内固-液界面保持不变,从而实现小坩埚生长大尺寸晶体的目标,提高了设备利用率,节约了能源,降低了生产成本,促进了大尺寸晶体的发展。     

TDR系列晶体生长设备速度跑合系统

主要介绍一种TDR系列晶体生长设备速度跑合系统装置的开发目的、设计参数、装置结构以及技术特点。本装置为提高工程施工安装质量和全面落实企业产品按时,质量合格出厂的要求,提供了一种安全、可行的检测和跑合调试手段,以满足企业和市场的需要。     

TDL-Ta60型单晶炉的研制

介绍了TDL-Ta60型单晶炉的设计思路及工作原理,结合晶体生长的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

T46X型硒镓银单晶炉的研制

介绍了TDR-46X型单晶炉的设计思路及工作原理,结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

TDR-ZY40C型中压单晶炉的研制

介绍了TDR-ZY40C型单晶炉的设计思路及工作原理,结合拉制单晶的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点。     

双段式加热锗单晶生长设备的结构设计

锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等。     

大直径单晶生长中稳定真空度和优化气流控制的改进措施

随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现.大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求.本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质.     

A review: crystalline silicon membranes over sealed cavities for pressure sensors by using silicon migration technology

A silicon pressure sensor is one of the very first MEMS components appearing in the microsystem area.The market for the MEMS pressure sensor is rapidly growing due to consumer electronic applications in recent years.Requirements of the pressure sensors with low cost,low power consumption and high accuracy drive one to develop a novel technology.This paper first overviews the historical development of the absolute pressure sensor briefly.It then reviews the state of the art technology for fabricating crystalline silicon membranes over sealed cavities by using the silicon migration technology in detail.By using only one lithographic step,the membranes defined in lateral and vertical dimensions can be realized by the technology.Finally,applications of MEMS through using the silicon migration technology are summarized.     

Bulk growth of single crystal silicon carbide

Silicon carbide (SiC) is a promising wide bandgap semiconductor material particularly suitable for future high power devices operable at high temperatures (>200 °C), at high frequencies, and in harsh environments (chemical and radiation) due to its unique physical and crystallographic properties. The absence of SiC liquid phase, under easily achievable growth conditions of pressure and temperature has created unique challenges for crystal growers.This paper reviews the basics of bulk growth processes, including source sublimation, mass transport of the Si and C species to the growing seed and crystallization. The growth process is shown to be a self-congruent phenomenon where the mass transport of the vapor species and the heat dissipation at the surface of phase transformation are interrelated. This process results in reduction of the growth velocity as a function of crystal thickness. Major mechanisms of defect generation in the grown crystal are discussed.