栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响

介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因.结果显示,氢氧合成工艺比干氧工艺损伤明显的原因,是因为H的引入产生了更多的界面态,从而使其单管的跨导明显下降所致.这表明,抑制辐照感生氧化物电荷尤其是界面态的增长,对提高电路的抗辐射特性至关重要.     

CMOS运算放大器的质子辐照效应

本文报道了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在４Ｍｅｖ、７Ｍｅｖ和３０Ｍｅｖ三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律，并通过对其损伤机理的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于质子辐照引起多数载波子迁移率的降低，导致ＭＯＳＦＥＴ跨导下造成ＣＭＯＳ运放电路失效的主要原因，同时，比较了三种不同能量质子的辐照结果，表明电路的损伤与能量有一定的关系。     

不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

介绍了在相同工艺条件下,N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况.结果表明:由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制;而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因.     

不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

介绍了在相同工艺条件下 ,N沟和 P沟输入两种不同结构 CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对电特性的影响情况 .结果表明 :由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致 P沟输入运放电特性衰降的主要机制 ;而由氧化物电荷和界面态引起的 N沟差分对的漏电增大则是造成 N沟输入运放电路性能变差的主要原因     

CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应

介绍了CMOS运算放大器经60CoY辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果，并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析，探讨了引起电路“后损伤”效应的原因。结果表明，由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配，是造成电路继续损伤劣化的根本原因。对于CMOS运算放大器电路，在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时，改善电路间的对称性和匹配性，对提高电路的抗辐射能力是至关重要的。     

基于SOC应用恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。     

一种宽带恒定跨导轨对轨运算放大器的设计

介绍了一种具有轨对轨输入功能的CMOS输入级电路。该电路克服了一般运算放大器只能工作在一定共模输入范围的输入级的缺陷，在各种共模输入电平下有着几乎恒定的跨导，使频率补偿更容易实现，且由于其工作原理与MOS晶体管的C—V解析关系无关，对制造工艺依赖性小，适用于深亚微米工艺。在此基础上，设计出了一种宽带的运算放大器，该运算放大器具有轨对轨输入、输出能力，可以作为常用模拟电路的基本单元模块。它没有严格的共模输入限制，跨导和整体性能稳定，适于为更大规模的数字／模拟混合信号系统提供行为级模型。     

一种低电压全摆幅CMOS运算放大器

提出了一种工作于 3 V电压、输入输出均为全摆幅的两级 CMOS运算放大器。为使放大器有较小的静态功耗 ,运算放大器的输入级被偏置在弱反型区 ;输出级采用甲乙类共源输出级 ,以达到输出电压的全摆幅。模拟结果显示 ,在 1 0 kΩ负载下 ,运算放大器的直流开环增益为 81 d B,共模抑制比 91 d B;在 3 p F电容负载下 ,其单位增益带宽为 1 .8MHz,相位裕度 5 9°     

一种3 V CMOS恒跨导运算放大器的设计

提出了一种适合在3V电源电压下工作的CMOS运算放大器，其动态工作范围为0-3V，在整个工作范围内，运算放大器的跨导基本保持不变，给出了BSIM3V3模型下的Hspice模拟结果。     

低电压CMOS运算放大器输入级的研究

产品的小型化需要低电压、低功耗的集成电路,CMOS技术可以将模拟和数字集成在一起,数字电路易满足要求,但模拟电路会产生许多问题,本文介绍低电压CMOD模拟集成运算放大器输入级所面临的问题以及解决的方法。     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器

基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW.     

基于0.25μm CMOS工艺的1.8V Rail-to-Rail运算放大器

采用TSMC0．25μm CMOS工艺，设计实现了一种低功耗、高增益带有恒跨导输入级的Rail—to—Rail运算放大器。基于BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice对整个电路进行仿真，在1．8V的单电源电压工作条件下，直流开环增益达到108．6dB，相位裕度为57．2度，单位增益带宽为5MHz，功耗为0．23mW。     

一种恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计

设计了一种新颖的恒跨导轨对轨CMOS运算放大器结构。输入级采用轨对轨的结构,在输入级采用4个虚拟差分对管来对输入差分对的电流进行限制,使运放的输入级跨导在工作范围内保持恒定。输出级采用前馈式AB类输出结构,以使输出达到全摆幅。仿真结果显示,在5 V电源电压和带有10 pF电容与10 kΩ电阻并联的负载下,该运放在共模输入范围内实现了恒跨导,在整个共模输入范围内跨导变化率仅为3%,输出摆幅也达到了轨对轨全摆幅,运放的开环增益为108.5 dB,增益带宽积为26.7 MHz,相位裕度为76.3°。     

An OTA-based CMOS bandpass filter for NMR applications

One of the very popular medical imaging techniques used in present-day radiology is the magnetic resonance imaging (MRI) which is based on the phenomenon of nuclear magnetic resonance (NMR) in the hydrogen atoms present in the body. There is ever-increasing research in electronic circuit design for biomedical applications using NMR. Earlier magnetic resonance imagers operated at a magnetic field strength of 0.3?T. The present imagers operate at a magnetic field of 1.5?T, the resonance frequency of the nuclei being 64?MHz. This article presents a CMOS bandpass filter (BPF) design for NMR applications. The overall BPF design is realised in 180?nm CMOS technology which occupies an active area of 24.23?×?33.125?µm² and consumes 0.165?mW of power from a 1.5?V supply.     

辐射感生场氧漏电流对CMOS运算放大器特性的影响

介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明显增大。而加入保护环后 ,能明显消除这一不利影响 ,从而使电路的抗辐照特性得到改善。     

电离辐射对CMOS运算放大器恒流偏置电路的影响

介绍了确定 CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明 ,恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响 ,但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因