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电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究60Cor射线对MOSFET跨导的影响,定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态密度增加分别与NMOSFET和PMOSFET跨导衰降之间的依赖关系。试验表明,对于PMOSFET,电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于NMOSFET来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。 相似文献
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MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取 总被引:1,自引:4,他引:1
基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测 相似文献
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Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n—MOSFET迁移率和跨导的影响 总被引:3,自引:1,他引:3
用低能量氩离子束轰击芯片背面,能改善以热氮化和快速热氮化SiOxNy为栅介质的n沟的MOSFET的特性,结果表明,在能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm^2时,随着轰击时间的增加,跨导、沟道和有效迁移率增大,然后这些变化趋于减缓,甚至开始呈恶化趋势。快速热氮化SiOxNy 介质的MOSFET的改善效果要比常规热氮化的好、实验证明,上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果,文中 相似文献
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《今日电子》2000,(5):8-8
STMicroelectronics公司(位于美国麻塞诸塞州的Lexington)提出了一种新的制造功率MOSFET晶体管的技术。与传统的功率MOSFET晶体管相比可以将导通电阻降低至原来的三分之一到四分之一。导通电阻可随电压的变化而变化。此项技术称为MultipleDrain Mesh(MDmesh),与该公司的已经获得专利保护的MeshOverlay horizontal layout相结合构成了新颖的漏极构造。 漏极分成许多小区,由许多垂直的p-型漏极条和许多薄的水平的n-型源极条平行排列构成。这样的漏极构成方式可以将击穿电压提高一倍。 该公司还宣称,此种技术还具有 相似文献
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研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此.这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释. 相似文献
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基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程 总被引:1,自引:0,他引:1
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程.开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程.在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加.米勒平台区对应着最大的负载电流.可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值. 相似文献
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本文将双栅MOSFET考虑成四极器件,以电流连续、电压守恒为基础,讨论了其跨导和漏导特性。所提出的分析求解方法。可推广到任何双栅结构器件。结果表明,此方法不仅简洁、适用性广;而且物理概念清楚,将三极器件和四极器件的特性联系了起来,自然地引出了双栅器件特有的耦合概念。对于所选取的单栅模型,跨导、漏导的计算值和实验值符合良好。 相似文献
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本文利用MOSFET亚阈I-V曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量,分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐射总剂量和辐射剂量率的变化关系。 相似文献
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一种高增益的CMOS差分跨导放大器 总被引:3,自引:0,他引:3
本文设计了一种可用于∑△A/D转换器的全差分跨导放大器(OTA)。本放大器采用0.6μm工艺实现,其两级间使用共源共栅补偿、并采用了动态共模反馈,其标定动态范围(DR)为82.8dB、开环直流增益为90.9dB,在最坏情况下需要84.3ns以稳定到0.1%的精度。 相似文献
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本文描述,论证并用实例说明了一种选择SOI MOSFET适当模型的实验方法。选择的准则是由薄膜和(半)体器件模型所预测的稳态电流——电压特性导出的。通过揭示(看似正确的)实际经验模型所产生的明显的模拟误差,突出了选择适当模型的必要性。 相似文献
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降低功率MOSFET导通电阻RON的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文综述了降低功率MOSFET导通电阻的研究进展,从打破硅极限与降低沟道电阻两方面入手,介绍与分析了降低的各种新结构、新思想,并对其进行比较。最后,列出了其它降低导通电阻的方法。 相似文献
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FilippoDiGiovanni GnetanoBazzano AntonioGrimaldi 《今日电子》2003,(3):40-41
功率转换器的功率密度越来越高,发热问题越来越严重,这种功率转换器的设计对现代大功率半导体技术提出了新的挑战;因而,热问题的优化设计和核实变得比大功率器件的电模型更加重要,本文提出一种新的PSPICE模型,可以利用它计算MOSFET芯片在瞬变过程中的温度。其中的热阻可以从制造商提供的产品使用说明书得到。本文介绍的模型提供发热和电气参数之间的动态关系。它建立了与许可的热环境的关系,例如,栅极驱动电路、负载、以及散热器的分析与优化设计。利用这个模型可以改善散热器的设计。由于决定功率损耗的参数是分布在一定范围内,受生产制造的影响很大,因而散热器的设计往往由于无法预先知道功率损耗而无法进行。 相似文献
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针对现有的线性跨导运算放大器存在的主要问题设计了一个新的线性OTA,模拟结果表明在输入电压从-0.8V到+0.8V变化时,其线性误差小于±1.5%。 相似文献
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研究了低压沟槽功率MOSFET(<100V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别。给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻;利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真。理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大。 相似文献
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