IGBT超小型CO_2激光器高频高压开关电源研究

本文讨论了ＣＯ２激光器绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）超小型高频高压开关电源电路原理与设计方法。它是脉宽调制（ＰＷＭ）单端正激型功率变换器，具有体积小、效率高、操作方便，工作可靠和成本低等优点。     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块驱动及保护

对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨，提出了慢降栅压过流保护和过电压吸收的方法。     

1300V,1600V高压IGBT的实现

本文基于理论分析和实验研究，分别在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋外延和硅单晶基片上实现了１３００Ｖ及１６００Ｖ高压ＩＧＢＴ；并进而证实了获得高压ＩＧＢＴ相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化，低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术，和复合高压终端结构的叠加组合形成。     

激光器电源中IGBT的驱动与保护电路设计

在激光器电源中，IGBT驱动与保护功能通过集成模块FAN8800来实现。讲述驱动与保护电路的设计、器件的选取及调试。该电路在激光器电源中运行稳定可靠，可广泛应用于各类电源中IGBT的驱动。     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５－４．５ＫＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

大功率半桥IGBT模块的锁定效应研究

研究了模块在开关状态的电流电压行为，观测到半桥阻态ＩＧＢＴ模块在导通瞬间发生了锁定效应，利用扫描电镜技术观察到典型类火山口烧毁，同时报道了试验结果和失效分析结果。     

IGBT模块在激光电源中的应用及其对激光电源性能的改进

介绍一种典型的应用于激光电源的对IGBT功率开关器件进行PWM脉冲宽度控制的电路,它能满足对激光电源的大功率,高稳定性,以及高伍流性等要求．     

高压IGBT制造技术的最新动向

阐述了当前２．５～４．５ｋＶ高压ＩＧＢＴ的最新制造技术和典型器件结构，认为高压大电流ＩＧＢＴ器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。     

IGBT的传输特性分析

对绝缘栅双极晶体管中宽基区、低增益ｐｎｐ晶体管与普通高增益晶体管之间的差异进行了综合分析，表明，ＩＧＢＴ的工作特性必须采用双极传输理论来描述。     

IGBT模块辅助端子的布局和控制

具有扁平外观的SEMiX^TM系列IGBT模块，其辅助端子采用了与其他IGBT模块不同的技术．即辅助端子是通过弹簧接触实现的。本文介绍了SEMiX^TM系列IGBT模块辅助端子布局的设计方法．与焊接引脚相比较，分析了螺旋式弹簧的开关特性，研究了门射极箝位二极管放在IGBT芯片旁不同位置时的影响．讨论了辅助发射极端子位置的变化，验证了这种变化对开关损耗和短路性能的影响。这些结论可用于SEMiX^TM 2和SEMiX^TM 4型IGBT模块，二者外观分别小于和大于SEMiX^TM 3型IGBT模块，但它们都是基于SEMiX技术平台的。     

IGBT的应用

本文主要说明绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）特别是单体封装的分立式的ＩＧＢＴ的结构、工作原理、研制方向。最后还介绍了使用分立式ＩＧＢＴ的ＩＨ电饭锅、频闪观测器、通用逆变器等．     

高压Trench IGBT的研制

介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性,结合现有沟槽型DMOS工艺流程,确定了器件采用多分压环加多晶场板的复合终端、条状元胞、6μm深度左右沟槽、低浓度背面掺杂分布与小于180μm厚度的器件结构,可以很好地平衡击穿特性与导通特性对器件结构的要求。成功研制出1 200 V沟槽型NPT系列产品,并通过可靠性考核,经过电磁炉应用电路实验,结果表明IGBT器件可稳定工作,满足应用要求。该设计可适合国内半导体生产线商业化生产。     

3300V逆导型IGBT器件仿真

基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。     

IGBT技术的发展历史和最新进展

自从第一个IGBT的概念被在论文中介绍以来，已有20年过去了。在此期间，IGBT芯片技术以其性能的重大改进经历了若干代的创新。其后，包括IGBT芯片在内的当代IGBT器件、IGBT模块和智能化功率模块(IPM)已被公认为是最受欢迎的电力半导体器件。对于IGBT器件性能的改进来说。最重要的事项就是减少功耗和保持安全工作区(SOA)。在这些事项中，始终存在着对其性能参数间的战略折衷。这些折衷往往表现为被一种新的芯片技术带来的新优化。本文将总结IGBT技术的历史和最新进展。     

应用IGBT的小型化医用二氧化碳激光器电源

应用谐振型功率转换电路,采用谐振型电流过零关断方式工作,利用高频变压器,制作出一种小体积、重量轻的,可精密调节的高稳定度电源。