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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为Ec-0.22eV,并且在正向注入下随着E2峰的消失到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV,在Ge/ 相似文献
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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延n-Ge0.2Si0.8/Si应变超晶格,观察到两个与位错有关的深中心,其中一个能级位置在EC=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显的移动,深能级位置从EC=0.21eV变化到EC=0.276eV,我们认为是内应力引起的.取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好.在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致. 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷,得到Si0.67Ge0.33/Si单量子样品的能带偏移为0.24eV.量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的DLTS谱上形成一少于峰,该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到.对比不;司组分相同结构的多量子阱样品发现,组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大,因此它可能是失配应变或位错引起的.相应的光致发光谱(PL)测试结果表明该深能级缺陷还会导致PL谱中合金层的带边激子峰的湮灭. 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1997,17(4):317-321
采用经验赝势方法及界面边界条件,计算了生长在Ge0.。3Si0.7衬底上的导带电子量子阱Ge0.3Si0.7/Si/Ge0.3Si0.7的电子束缚能级,对它们在阱平面方向上的色散关系进行了讨论。 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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徐至中 《固体电子学研究与进展》1998,18(4):379-383
采用建立在经验赝势基础上的推广k.p方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7/)Ge0.3Si0.7)m^=(Si)m/Ge0.3Si0.7的电子束缚能及及其沿界面方向的色散关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。 相似文献
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本文介绍了用于测量a-Si:H隙态密度的空间电荷限制电流(SCLC)法,并报道了采用此方法对PECVD方法制备的a—Si:H材料隙态密度的测量结果。对n+a—Si:H/a—Si1H/n+a—Si:H结构的样品,测量得到费米能级上0.16eV间的欧态密度分布为1015~1018(cm-3eV-1)。 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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发现Si源和Ge源中的深能级杂质是影响SiGe/Si量子阱带边激子发光的主要因素,研究了在低阻衬底上外延,在量子阱中重掺Sb或顶层中重掺B都将减弱甚至淬灭量子阱的带边激子发光。 相似文献
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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As^+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究,并与未注入As^+的Si0\57Ge0\43合金的应变驰豫进行了比较。结表明,退火后,注入As^+的 Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入As^+的应变分布。对于注入As^+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变驰豫导致镶嵌结构的产生而展宽。 相似文献
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成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时伴随有晶格弛豫,对应俘获势垒为0.32eV.本工作也证明可以把量子点类比深中心进行研究. 相似文献
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应用DLTS、SIMS和PL技术详细研究MBE生长的PM-HEMT结构中深能级.样品的DLTS谱表明在PM-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度和俘获截面的深电子陷阱,其能级位置分别位于导带下的0.64eV和0.79eV处.SIMS和PL谱表明深电子陷阱与AlGaAs层里的氧含量和光致发光(PL)响应有直接的联系.它们影响PM-HEMT结构的电性能.应用氢等离子体对深电子陷阱进行处理,结果表明,在一定条件下,PM-HEMT结构样品里的深电子陷阱能有效地被钝化/消除. 相似文献
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