也谈彩色电镀

本文介绍的是以氯化镍、氯化锌及硫氰化铵为主显色剂的电化学彩色电镀。本工艺是在其他条件恒定的情况下,随着沉积时间的延长而沉积出黄、青、蓝、金、紫等各种不同的色泽。     

不锈钢的彩色电镀

在碱性铜盐溶液中以低电流密度对不锈铜进行电镀可获得多种彩色鲜艳的透明薄铜层.镀层有一定的稳定性,封闭后可用于不锈钢制品的彩色装饰.     

钌电镀溶液

钌电镀溶液蔡积庆（南京无线电八厂，２１００１８）１前言由于钌（Ｒｕ）镀层具有白色色调、硬度高和耐蚀性好等优良性能，钌镀层可以应用于电气触点部件、要求耐磨性的机械部件和装饰品等表面精饰镀层。迄今为止，已有的专利钌电镀溶液列于下面：（１）特公昭４７－４１...     

钛合金上电镀

钛合金由于其质轻、刚度大、耐腐蚀等特性在工业生产中得到了广泛的应用,但其本身也存在一些缺陷：表面极易氧化、硬度低、易产生机械损伤。为了满足各行各业的特殊需要,特别是航空航天工业的需要,必须对其表面进行功能性改性处理。电镀是完成这一过程的方法之一。由于钛合金基体在空气中迅速自然氧化,表面产生的氧化膜严重阻碍了电镀的正常进行。因此,如何消除氧化膜的影响,提高电镀质量是人们关注的课题。本文试图根据实践和文献资料谈谈钛合金上电镀的工艺问题。１　钛合金上电镀工艺流程除油清洗浸蚀清洗镀前处理清洗电镀热处理２…     

浅谈电镀合金

１前言随着科学技术和现代工业的迅速发展,对材料表面性能的要求越来越高。在表面处理技术中,电镀是最有效的方法之一。过去主要是电镀单金属,现已远不能满足对表面性能的高要求。因此,电镀合金在近２０年来有了迅速的发展,它不仅可以得到各种特殊性能的表面,而且种...     

钯电镀工艺

概述了可含有可溶性钯的化合物，吡啶磺酸、吡啶羧酸胺类衍生物等组成的的电镀钯溶液中可可以获得物理性质优良的光亮钯镀层。特别适用于装饰品和电子电器部品等的表面镀层。     

电镀钯工艺

概述了电镀钯工艺,可以获得物理性能优良的钯镀层,适用于装饰件和电子部件等电镀。     

玻璃浸镀彩色膜

用溶胶－凝胶浸镀法在浮法玻璃上制备了ＳｉＯ２－ＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｆｅ－Ｃｒ，Ｆｅ－Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ）薄膜。测定了镀液粘度与时间的关系及镀膜玻璃的透光率，研究了涂层结构及着色机理。     

日本电镀技术的发展

简要介绍了1950年以前日本电镀技术及电镀工业的发展概况，1950年后，由于引进了先进的电镀技术，材料，设备并随着汽车和电子工业的发展，带动了日本电镀工业的发展，叙述了含金电镀、复合电镀、脉冲电镀和化学镀等科研成果及其使用情况。     

电镀Ag-Pd合金镀层的研究进展

Ag-Pd合金镀层具有良好的性能,在电子等工程领域有着广泛的应用。综述了近年来电镀Ag-Pd合金镀层的发展,重点介绍了电镀Ag-Pd合金卤化物体系及氨化合物体系脉冲电镀、离子液体电镀和光催化电镀等工艺,并展望了今后的发展趋势。     

脉冲镀镉工艺的研究

在氰化物光亮电镀镉工艺的基础上进行脉冲镀镉研究。阐述了脉冲电镀的基本概念,介绍了脉冲镀镉的工艺过程,比较了脉冲镀镉层与直流镀镉层的性能,并简要阐述了镀前消除应力和镀后除氢与氢脆之间的关系。     

异形管件电镀技术

阐述了异形管特别是大型输油管的电镀工艺。建议用电镀锌铁合金代替镀锌，化学镀Ｎｉ－Ｐ合金代替镀硬铬。还提出一些可用的操作方法。     

镍钨合金电镀工艺

本文介绍了镍钨合金电镀工艺方法。讨论了镀液组成,工艺条件对镀层组成和结构的影响。     

厚壁彩色乳胶管的研制

介绍用普通的输血胶管生产设备,通过改进胶料配方,提高压出工艺性能和耐老化性能,同时改进模具设计,改进生产工艺,生产出优质厚壁彩色乳胶管新品种。     

复合电镀制备Ni-SiC复合膜的研究

为降低成本,对Ni-SiC复合镀膜进行研究。选用氨基磺酸镍作为电镀主盐,以不锈钢片为基体,利用复合电镀法制备Ni-SiC复合镀层,采用光学显微镜表征复合镀层,对比分析不同条件下制备的复合镀层,找出最佳的电镀时间,电流密度,温度及镀液浓度等工艺条件。采用优化的工艺参数进一步以钢丝为基体制备Ni-SiC线锯,并通过SEM和XRD对产品进行表征。结果表明:制备线锯的Ni-SiC复合镀层结构分明,颗粒分布均匀。     

复合电镀Ni-P-PTFE工艺条件的研究

通过大量试验研究了镀液主要成分及操作条件对复合镀层中磷、聚四氟乙烯含量的影响,优选出一种最佳复合镀工艺,该工艺具有成本低,镀速快及寿命长等优点。     

Seedless Cu Electroplating on Ru-W Thin Films for Metallisation of Advanced Interconnects

For decades, Ta/TaN has been the industry standard for a diffusion barrier against Cu in interconnect metallisation. The continuous miniaturisation of transistors and interconnects into the nanoscale are pushing conventional materials to their physical limits and creating the need to replace them. Binary metallic systems, such as Ru-W, have attracted considerable attention as possible replacements due to a combination of electrical and diffusion barrier properties and the capability of direct Cu electroplating. The process of Cu electrodeposition on Ru-W is of fundamental importance in order to create thin, continuous, and adherent films for advanced interconnect metallisation. This work investigates the effects of the current density and application method on the electro-crystallisation behaviour of Cu. The film structure, morphology, and chemical composition were assessed by digital microscopy, atomic force microscopy, scanning and transmission electron microscopies, energy-dispersive X-ray spectroscopy, and X-ray diffraction. The results show that it was possible to form a thin Cu film on Ru-W with interfacial continuity for current densities higher than 5 mA·cm⁻²; however, the substrate regions around large Cu particles remained uncovered. Pulse-reverse current application appears to be more beneficial than direct current as it decreased the average Cu particle size.