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阐述了利用键合方法转移薄膜材料的技术及其应用。最人竞争力的转移固体薄膜技术主要有键合加选择性腐蚀工艺和注氢智能剥离工艺,这种技术解决了外延生长难以解决的晶格失配问题,为改善器件结构及性能提供了巨大的潜力。 相似文献
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采用在阳极化反应时改变电流强度的办法 ,在高掺杂的 P型硅 (111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层 .用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜 .在室温下 ,该外延硅片同另一生长有热二氧化硅的硅片键合在一起 ,在随后的热处理过程中 ,键合对可在多孔硅处裂开 ,从而使外延的单晶硅膜转移到具有二氧化硅的衬底上以形成 SOI结构 .扫描电镜、剖面投射电镜、扩展电阻和霍尔测试表明 SOI样品具有较好的结构和电学性能 相似文献
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Ki Yeol Byun Isabelle Ferain Scott Song Susan Holl Cindy Colinge 《Journal of Electronic Materials》2010,39(10):2233-2236
This paper reports the successful transfer of a thin single-crystalline silicon film to a flexible, transparent polymer substrate.
Thin-film silicon on polymer was realized by bonding a silicon-on-insulator (SOI) wafer to a flexible substrate using a spin-on
polymer as an adhesive. The SOI wafer was thinned by a grinding operation followed by chemical mechanical polishing (CMP).
The SOI was further thinned to the buried oxide using wet etchants. The residual stress in the transferred substrate was investigated
by ultraviolet (UV) micro-Raman spectroscopy and numerical modeling. Both approaches showed that a low level of stress was
created at the bonded interface during the layer transfer. 相似文献
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The basic force and bonding energy in wafer bonding have been revealed in this study.The basic cause for bonding contributes to the interatomic attractive forces between surfaces or the rduction of surface energies.The amplitude of roughness component can not exceed the criterion if wafer pair is bondable.The bonding behavior and challenge during annealing have been investigated. 相似文献
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田芳 《电子工业专用设备》2013,42(1):5-7,42
论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。 相似文献
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概述了晶圆键合技术穴WB雪和微电子机械系统穴MEMS雪的新进展。介绍了晶圆键合工艺、技术要求、应用选择以及对MEMS的作用;展示了MEMS制造技术和应用前景。 相似文献
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回顾了Si面键合技术的历史,研究了国外此工艺技术发展过程与趋势,分析了Si面直接键合技术的特点和它在压电与声光器件中的应用。 相似文献
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半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 ,针对目前的研究工作和应用做了展望 相似文献
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