低能离子注入的应用

集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１ｕｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及它们在一些器件上应用的结果。     

硅浅结紫外光探测器的研究

采用低能离子注入法在Ｓｉ材料上制作了浅结结构紫外光（ＵＶ）探测器,介绍了 的结构设计、工艺制作以及主要测量结果。实验证明,这种探讨器能够有效地探测波长为２００ｎｍ和４００ｎｍ的紫外光。     

开创了第二代硅新技术的Si／Si1—xGex异质器件

综述了国内外Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的发展状况，指出了Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的特点和优越性，分析了该器件的结构机理和制造技术，阐述了该器件的应用前景和对微电子技术将产生的重大影响，并提出了发展我国Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质器件的建议。     

卤素灯快速退火在硅浅结器件中的应用

用卤素灯快速退火工艺代替原始的炉退火工艺,使全离子注入的硅双极浅结器件的杂质浓度更高、结深更浅,从而有效地改善了器件的电参数性能。用这种新工艺制做的分频器,工作频率由原来的1300MHz提高到了1600MHz。该工艺操作方便,节省能源,均匀性、重复性、可控性都大大地优于原始炉退火工艺。     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用

介绍了椭圆偏振光谱（ＳＥ）的原理,给出了椭偏仪在离子注入半导体的辐照损伤研究中的应用和局限。研究表明,结合其它分析手段并建立精细的椭偏模型。椭圆偏振光７谱能定量测量各层结构的厚度、成分、气孔率和光学常数。     

离能离子注入硅的无损表征

将能量为３ＭｅＶ，剂量为５×１０＾１５ｃｍ＾－２的硼离子注入硅单晶，经１０５０℃，２０ｓ退火形成导电埋层。本文应用Ｘ－射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应，应用计算机模拟红外反射谐，获得了载流子分布，迁移率和高能注入离子的电激活率。     

硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。     

高能离子注入硅的无损表征

将能量为3MeV,剂量为51015cm-2的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟红外反射谱,获得了载流子分布,迁移率和高能注入离子的电激活率。     

高速双极器件制造中的离子注入技术

本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。     

用离子注入在GaAs中形成高浓度超薄有源层

高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄形有源层(<1000A).试验结果表明,氮化硅膜的厚度基本等于载流子浓度峰值位置向衬底表面移动的距离;高剂量(>10~(15)cm~(-2)),低能量,(<80keV)和较厚的氮化硅可以制得符合要求的薄形有源层.     

多晶硅膜离子注入和扩散掺杂制备浅结的研究

本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。     

BF_2~+注入束的沾污和对结深的影响

注入系统中剩余气体分子与B_2~+离子的碰撞,造成了不同能量的BF~+,F~+、B~+离子束对BF_2~+注入束的沾污。注入样品的SIMS分析结果和理论计算都证明,这种沾污使BF_2~+注入的结深明显增加,不利于浅结的制备。用静电束过滤器可部分消除这些沾污束,在先加速后分析的注入机中,也未观察到BF_2~+束的沾污。此外,提高系统真空度会明显降低沾污峰的强度。     

离子注入技术的发展及其应用

简述了离子注入技术的发展趋势及典型应用,并简要分析了该领域的技术发展方向。     

离子注入装备发展趋势

简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。     

一种提高注入效率和改善注入重复性的方法

在高剂量离子注入过程中,由于设备终端系统真空度的降低而引起注入效率降低,由此而产生注入重复性度差。作者提出,在注入前(采用粘靶工艺)将待注入的靶进行烘烤,可以克服上述情况的发生。     

SiGe／Si HBT离子注入自对准的研究

介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。     

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。