透明导电薄膜材料的研发态势

简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势，特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态，材料设计原理及其应用进行了重点介绍，并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论。     

透明导电氧化物薄膜研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望.     

p型铜铁矿结构氧化物材料研究进展

介绍了p型铜铁矿结构氧化物ABO2的晶体结构、电子结构和光、电学特性,讨论了A位原子、B位原子和氧原子对材料光、电学性能的影响,综述了p型铜铁矿结构透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)薄膜的制备方法与研究现状.     

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2的研究进展

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料.本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响.     

P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展

透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域，但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点，成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质，综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。     

透明氧化物半导体及其溶液法制备薄膜晶体管

透明氧化物电子材料是当今最重要的电子材料之一,其本质是一类具有高迁移率的宽带隙半导体。通过调节其组分和结构,可以大范围调节其载流子浓度,从而使其表现为半导体或者导体性质。因此,透明氧化物电子材料可用于多种器件,特别是作为半导体沟道和透明导电电极。透明导电氧化物更早成为了研究热点,并已在商业化应用中广泛使用,透明氧化物作为新一代半导体也被广泛研究,现在透明氧化物半导体薄膜晶体管已经可以实用化。在较低的温度和大气环境中,通过溶液法制备的透明氧化物,表现出了较好的电子特性,因此成为了印刷电子中重要的领域。简要地介绍了透明导电氧化物和透明氧化物半导体晶体管的发展历程,并概述了溶液法制备透明氧化物晶体管方面所做的研究及取得的最新进展。并指出,现今采用的溶液法制备工艺所存在的问题,特别是工艺温度偏高,应进一步深入研究,使在低温工艺下制备高性能透明氧化物晶体管工艺走向成熟,才能进入工业化生产。     

超薄高精度STN透明导玻线在金坛动建

最近,又一条超薄高精度STN透明导电玻璃生产线在被誉为“导电玻璃之乡” 的浙江金坛市动工建设。 90年代以来,金坛市已经有两条高精度透明导电玻璃生产线建成投产,并在国内外产生巨大影响。这一条总投资1000万元的超薄高精度STN透明导电玻璃     

p型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的研究进展

透明导电氧化物(TCO)的出现开拓了光电子器件研究的新领域.但p型TCO的相对匮乏严重制约了透明氧化物半导体(TOS)相关器件的开发与应用.CuAlO2作为一种天然的p型TCO成为近年来p型TCO的研究热点.介绍了p型TCO的研究现状,综述了不同制备方法制备p型CuAlO2薄膜的研究进展,以及在器件方面的应用,并对其前景进行了展望.     

特色功能材料--透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域.综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景.     

硅异质结太阳能电池用透明导电氧化物薄膜的研究现状及发展趋势

硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_oc)等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_sc)、填充因子(FF),进而影响电池的转换效率。近年来,SHJ电池中TCO层的研究主要集中于掺杂的In₂O₃和ZnO体系。本文从硅异质结太阳能电池的不同结构出发,概述了TCO薄膜的光电性能(透过率、禁带宽度、方块电阻、载流子浓度、迁移率和功函数)以及与相邻层的接触对电池性能的影响,介绍了不同体系的透明导电氧化物薄膜在硅异质结太阳能电池中的应用及研究现状,并展望其未来的发展趋势。     

化学法制备石墨烯基透明导电薄膜的研究进展

石墨烯作为一种新型的二维纳米材料,具有优异的透光率和导电性。与传统的铟锡氧化物(ITO)相比,石墨烯具有更高的导电性、较好的柔韧性和丰富的资源,因此石墨烯在透明导电薄膜领域有着较好的应用前景。主要对国内外近3年来化学法制备石墨烯基透明导电薄膜的最新研究成果进行综述。并以成膜方法的不同为区分,重点介绍了真空抽滤法、旋涂法、自组装、Langmuir-Blodgett(LB)法、喷涂法制备石墨烯基透明导电薄膜的最新研究成果。同时,对薄膜的硝酸处理、掺杂进行了介绍。最后,就目前化学法制备石墨烯基透明导电薄膜所面临的问题进行了讨论,并对石墨烯透明导电薄膜的未来发展进行了展望。     

磁控溅射法制备掺杂ZnO透明导电薄膜及其研究进展

磁控溅射技术以其显著的优点已成为工业镀膜主要技术之一。充分发挥磁控溅射镀膜技术的现有优势,寻找新的增长点,成为近年来人们研究的热点。介绍了磁控溅射镀膜技术的原理、特点;总结了近来磁控溅射法制备掺杂ZnO薄膜,主要是Al掺杂、Si掺杂、Al-H共掺杂ZnO薄膜的研究进展。并在此基础上对掺杂ZnO透明导电薄膜的发展趋势进行了展望。     

透明氧化物半导体薄膜的制备技术及理论基础

为了进一步提高透明氧化物半导体薄膜制备水平,提高半导体薄膜的利用率,现以磁控溅射法应用为例,介绍了磁控溅射的具体应用,从衬底清洗、衬底反溅、溅射镀膜三个方面入手,分析了透明氧化物半导体薄膜制备的实验过程.结果表明,磁控溅射法具有非常高的可靠性和可行性,不仅增加了气体的离化率和溅射率,还保证了薄膜表面的平整性和光滑性,为进一步提高沉积镀膜的规模和透明氧化物半导体薄膜制备水平打下坚实的基础.     

有机-无机透明导电薄膜的研究进展

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛.以传统的无机氧化物和导电高分子材料制备的导电薄膜虽然电学性能优良,但综合性能不甚理想.通过有机-无机杂化的透明导电薄膜能够借助各组成材料特性的互补作用使复合材料具有出色的综合性能.介绍了透明导电薄膜的种类、用途和特性,综述了有机-无机杂化导电材料在块体材料和透明导电薄膜方面的应用,并展望了其发展前景.     

ITO透明导电玻璃的隔热实验研究

本文介绍了氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的隔热和试验结果，给出了具体的温差数据和比例。     

氧分压对直流磁控溅射制备 ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO（ZnO：Ga）透明导电薄膜，研究了氧分压对ZnO：Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响．X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构．ZnO：Ga透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小，随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小，在氧分压为0．30Pa时沉积的ZnO：Ga薄膜半高宽最小，晶粒尺寸最大．薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大，沉积薄膜的最低电阻率可达3．50×10^-4Ω·cm．此外，所有ZnO：Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90％．     

APCVD法制备Nb∶TiO_2薄膜及其光电性能

透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率。目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点。NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分。本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃~550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶TiO2薄膜其电学性能得到明显改善。     

喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响. 结果表明, 当In/Sn比较小 时, 薄膜为金红石结构的二氧化锡, 导电类型为n型; 当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时, 薄膜仍为金红石结构, 但导电类型转为p型的; 当In/Sn比超过0.3时, 薄膜中有立方相的In₂Sn₂O_7-x生成, 由于氧空位的存在, 薄膜又转变为n型. 因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜, In/Sn比不宜过低, 也不能过高. 热处理温度对薄膜的导电类 型也有影响, 对于In/Sn=0.2的薄膜, 温度低于550℃时薄膜为n型导电, 但当热处理温度高于550℃时, 由于In³⁺取代Sn⁴⁺, 因此薄膜为p型导电. 当热处理温度高于700℃ 时, 薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×10¹⁸cm^-3, 与此同时, 透射率在可见光范围内仍高达80%以上.     

透明氧化物薄膜的制备及其发展趋势

对近几年透明氧化物薄膜的制备进行了综述，重点介绍了溶胶-凝胶法、电沉积法、水热电化学法和喷雾热解法等方法的制备特点、性能评价以及透明氧化物薄膜的应用领域，并对今后透明氧化物薄膜的制备发展趋势进行了预测。     

透明导电薄膜材料的研究与发展趋势

本文简述了透明导电薄膜材料的发展现况和趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态.材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论.