电子俘获材料的红外最小可激发阈值

在对撞脉冲锁模ＮｄＹＡＧ激光器产生的１．０６４μｍ超短红外脉冲激光激励下,采用参考光和测量光同时入射的测量方案,利用一台可见光条纹相机进行了电子俘获材料ＣａＳＥｕ,Ｓｍ的红外最小可激发阈值的研究,结果表明：在可见光条纹相机最小可探测能量密度Ｊｍｉｎ＝８．３×１０－１０Ｊ／ｍｍ２的条件下,测得电子俘获材料ＣａＳＥｕ,Ｓｍ的红外最小可激发阈值优于４．８×１０－９Ｊ／ｍｍ２。     

钾7S态与基态铷原子的碰撞能量转移

在Ｋ－Ｒｂ混合蒸气中，使用Ｋ光谱灯和染料激光器，将Ｋ原子二步激发到７Ｓ态，用荧光法测量了过程Ｋ（７Ｓ）＋Ｒｂ（ＳＳ）→Ｋ（４Ｓ）＋Ｒｂ７２ＤＪ的碰撞转移截面。Ｒｂ７２ＤＪ对Ｋ７Ｓ的荧光比中含有Ｒｂ７２Ｄ能级混合的影响，第二个实验可以消除这个影响，利用Ｒｂ光谱灯和染料激光器产生Ｒｂ７２Ｄ３／２态，探测Ｒｂ７２Ｄ５／２对Ｒｂ７２Ｄ３／２的荧光比。在Ｔ＝４２５Ｋ时，得到Ｋ７Ｓ→Ｒｂ７２ＤＪ激发转移截面（１０－１４ｃｍ２单位）分别为２．０８±０．７７（＝３／２）和２．８６±１．０６（Ｊ＝５／２）。     

半导体激光对GLC—82低分化肺腺癌细胞生长的影响

目的：研究波长６３０ｎｍ，功率密度３ｍＷ／ｃｍ＾２的半导体激光对ＧＬＣ－８２你分化肺腺癌细胞生长增殖的影响。方法：体外培养的ＧＬＣ－８２细胞按照射时间（剂量）的不同分为５且，分别为：对照组，２ｍｉｎ（６Ｊ／ｃｍ＾２）照射组，５ｍｉｎ１５Ｊ／ｃｍ＾２）照射组，１０ｍｉｎ（３０Ｊ／ｃｍ＾２），１５ｍｉｎ（４５Ｊ／ｃｍ＾２）照射组，用相关显微镜观察、四唑盐比色（ＭＴＴ）、生长曲线测定、软琼脂培养集落形成     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４e１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４e１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４e１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４e１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４e１４ｃ     

分子束外延HgCdTe／GaAs的生长和光伏探测器的研制

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。     

低能量激光镇痛的脊髓神经化学机制研究

探讨低能量激光辐照足三里穴可能诱发脊髓５－ＨＴ、ＤＹＮ参与镇痛的机制。Ｈｅ－Ｎｅ激光（剂量５５、１１０、１６５Ｊ／ｃｍ＾２）辐照单侧大鼠足三里穴，以辐射热甩尾法测定痛阈，应用荧光分光光度法及放射免疫分析技术分别测定脊髓５－ＨＴ、５－ＨＩＡＡ及ＤＹＮ功能片段ＤｙｎＡ１－１３含量。结果：与自身基础痛阈比较，５５Ｊ／ｃｍ＾２，１６５Ｊ／ｃｍ＾２组痛阈升高分别为显著和非常显著（Ｐ〈０．０５、Ｐ〈０．０１）     

反应淀积氮化铝薄膜及其性质的研究

实验使用脉冲激光熔蚀金属铝靶,使溅射的物质粒子和真空室中的氮气反应以淀积氮化铝（ＡｌＮ）薄膜,淀积时引入氮气直流放电以促使Ａｌ和Ｎ发生完全反应制备高质量符合化学计量比的ＡｌＮ薄膜。讨论了脉冲能量密度、基底温度、气体放电对所沉积薄膜组织结构的影响。实验结果表明,当ＤＥ＝１．０Ｊ·ｃｍ－２,ＰＮ２＝１３．３３３ｋＰａ,Ｔｓｕｂ＝２００℃,Ｖ＝６５０Ｖ,ｆ＝５Ｈｚ,ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时,高质量的ＡｌＮ薄膜被成功地沉积于Ｓｉ（１００）基片上。分析表明薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜,薄膜的能带间隙约为６．２ｅＶ,其电阻率和击穿电场分别为２×１０１３Ω·ｃｍ和３×１０６Ｖ·ｃｍ－１。     

一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺

本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。     

配合物[{Ni（mnt）2}2][Na2（benzo—15—crown—5）3（H2O）2]的？…

合成了配合物〔｛Ｎｉ（ｍｎｔ）２｝２〕〔Ｎａ２（ｂｅｎｚｏ－１５－ｃｒｏｗｎ－５）３（Ｈ２Ｏ）２〕,并且测试了这种配合物的非线性吸收系数β＝２．４ｃｍ／ＧＷ,探讨了非线性吸收产生的机理为双光子吸收。     

发光晶体Na_5Er（WO_4）_4的光谱性质和Er~（3＋）的光谱参数计算

制备了Ｎａ５Ｅｒ（ＷＯ４）４的粉末和单晶，测定了晶格参数、单晶吸收光谱，激发和发光光谱。计算了吸收谱线振子强度，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论拟合出Ｅｒ３＋发光光谱的三个强度参数Ω２，４，６＝１．７４，１．４６，０．５１×１０－２ｃｍ２，计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁振子强度和跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数，讨论了Ｅｒ３＋发光谱线出激光的可能性。     

配合物[｛Ni(mnt)_2｝_2][Na_2(benzo-15-crown-5)_3(H_2O)_2]的合成及其非线性吸收的测量

合成了配合物［｛Ｎｉ（ｍｎｔ）_２｝２］［Ｎａ_２（ｂｅｎｚｏ－１５－ｃｒｏｗｎ－５）_３（Ｈ_２Ｏ）_２］,并且测试了 这种配合物的非线性吸收系数β＝２．４ ｃｍ／ＧＷ; 探讨了非线性吸收产生的机理为双光子吸 收．     

两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质

２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。     

关于本原M序列的一些自相关函数取值

本文讨论了由ｍ序列叠加小项ｘ２…ｘｎ构成的Ｍ序列的自相关性能，获得了ｃ（ｎ＋１）＝－４或０或４，ｃ（τ１）＝－４，ｃ（τ２－１）＝０或４（τ１和τ２意义见定理１）的新结果，同时并给出了ｃ（ｎ＋ｋ）（ｋ≥２）的可能取值范围。     

MTT法测定两种光敏剂对大肠癌细胞株HR－8348的光动力效应

用人大肠癌细胞株ＨＲ－８３４８对激光光敏剂藻蓝蛋白（Ｐｈｙｃｏｃｙａｎｉｎ）和蚕砂卟啉（ＣＰＤ４）作光动力学治疗，ＭＴＴ法测定结果．在含有藻蓝蛋白１００μｇ／ｍｌ，５０μｇ／ｍｌ，２５μｇ／ｍｌ的１６４０培养液处理大肠癌细胞，采用波长６３０ｎｍ的铜泵染料激光照射（１２Ｊ／ｃｍ２）后，测定细胞生存率分别为２２．１％，３７．６Ｋ，８９．７Ｋ，各组间Ｐ值均小于０．００１．同样方法蚕砂卟啉含有１０μｇ／ｍｌ，５μｇ／ｍｌ，２．５μｇ／ｍｌ测得细胞生存率分别为２０．１％，２５．９％，３１．５％。ＭＴＴ法快速，简便，可用于多种光敏剂的筛检试验．     

砷注入碲镉汞P—on—N结的电流电压特性

最近,选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底,成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区,砷掺杂由砷离子注入加上退火扩散形成。对ＰｏｎＮ 二极管的电流电压关系温度特性的研究表明：直到１４０Ｋ,长波（λｃ ＝ ９ ．１μｍ）ＰｏｎＮ 结的暗电流以扩散电流为主。制备了从中波到长波各个波段的碲镉汞ＰｏｎＮ 结构红外探测器。目前,对于λｃ ＝ ５ ．２μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到６８Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达２ ×１０１０ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ;对于λｃ ＝ １４ ．５μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到０－２Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达１ ×１０９ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ。     

还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究

通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ＞０．５μＦ／ｃｍ２，ｔｇδ＜３．５×１０－２，ρ＞４×１０１１Ω·ｃｍ，｜△Ｃ／Ｃ｜（－２５～＋８５℃）＜＋３０－８０％，Ｖｂ＞４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料     

GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器

利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时．     

半导体IC及分立器件

２．５Ｇｂｐｓ互阻／限幅放大器ＭＡＸ３８６６集互阻前置放大器与限幅放大器于一体,内部带有功率失效检测电路,模拟输入带宽为１．８ＧＨｚ,适用于２．４８８ＧｂｐｓＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ系统。采用单电源＋３．３Ｖ或＋５Ｖ供电,提供差分输出信号,为达到低噪声、高速率的性能要求,差分输出各反相端匹配电阻为５０（差分终端匹配电阻力１００）。ＭＡＸ３８６６与ＰＩＮ光检测器配合使用时,检测灵敏度可达－２２ｄＢｍ。典型应用电路如图所示。Ｍａｘｉｍ公司网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｍａｘｉｍ－ｉｃ．ｃｏｍ,电话：（１０）…