C波段低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化镓场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了5公分频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脉冲功率的实验情况,以及与雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

C波段晶体管放大器

据报导,美国厄伐恩特公司研制成新的微波低噪声 AM-5200N 型晶体管放大器。其工作频率范围为2.6～5.2千兆赫,噪声系数为8分贝。将用于电子对抗系统。微带放大器采用该公司生产的频率高达6千兆赫的双极小信号硅晶体管。据称,放大器具有增益稳定,无微起伏噪声,高的平均失效寿命时间(7100,000小时)和优于行波管的相     

L波段致冷GaAs场效应晶体管放大器

<正> 一引言在1～2GHz频率范围内,用室温最佳器件达到的噪声温度(括号内为噪声系数)的典型值是:双极晶体管为120°K(1.5dB),砷化镓场效应晶体管为50°K(0.7dB),参量放大器为40°K(0.6dB)。在许多应用中,特别是在射电天文学中,这些噪声温度限制系统灵敏度,即使需要致冷,也希望有更低的噪声。这是事实,因为灵敏度的其它限制在这个频率     

Q波段砷化镓场效应晶体管放大器和振荡器

在12～20千兆赫的频率范围内研究了肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管。最大有用功率增益的测量表明,在这个范围内,器件具有比预期更高的增益。用带线技术制成了输出功率为4毫瓦的17千兆赫振荡器和功率增益为16分贝的四级14.9千兆赫放大器。     

G波段限幅低噪声场效应晶体管放大器组合

本文介绍了G波段限幅、低噪声场放组合的研制结果。我们采用国产WC-50型砷化镓场效应晶体管(GaAs FET),通过对该管S参数测试后进行电路设计。已制成限幅、级联场效应放大器组合作为某雷达接收机低噪声前端。整个组合采用混合集成电路工艺,制作在50毫米×90毫米×1毫米的氧化铝陶瓷基片上。实现G波段整机的最佳指标是:系统噪声系数3.5分贝(包括前置限幅器、隔离器、波导-同轴转换和后置高中频接收机噪声在内),组合增益≥20分贝,带宽10％。对该组合作过各项例行试验,它均能满足要求,文中还介绍了发射机泄漏波尖能量的测量方法和放电管运用中的注意事项。在采取若干保护措施后,已将其作为接收机前端,自1981年1月起装入整机,已装备多部整机,提高了整机性能,展示了良好的前程。近年来采用WC-61、FLS-10型GaAs FET管制作的场放组合,其噪声性能更佳。     

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

宽带集总元件X波段砷化镓场效应晶体管放大器

本文叙述了用砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管设计两级宽带X波段放大器。扼要地说明了放大器和内部器件的性能。放大器在6.5～12千兆赫频率范围有9.5±1分贝的增益。输入和输出的电压驻波比不超过2.5:1。所述实际宽带匹配网络使放大器总的噪声系数减到最小,并在整个设计带宽内保持恒定的增益,同时计算了寄生、损耗和不均匀电容的影响。     

砷化镓肖特基势垒场效应晶体管X和Ku-波段放大器

一、引言近年来GaAs工艺有了很大的进展,目前已能制造栅长小于1微米的GaAs肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)。这种器件的最高振荡频率要比双极晶体管高得多。本文只对中描述的MESFET的特性进行简单的讨论,并对低温下MESFET的噪声特性给予评价。其目的是为了证明,GaAs MESVET非常适合于X和Ku波段的宽带运用。利用测得的器件的散射参数,宽带放大器已用比较简便的互作用计算机程序完成了设计。这种计算表明,用简单的匹配网络可得到具有较大带宽的MESFET放大器。除了此最佳的微波双极晶体管有更好的噪声和增益特性之外,     

C波段低噪声埸效应晶体管放大器

本文介绍C波段低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果。采用国产CX-50型砷化鎵场效应晶体管。通过对晶体管S参数和噪声参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端,实现了实验室內5厘米频段的指标是:(包括前置限幅器、隔离器和后置接收机噪声在内的)系统噪声系数4.0分贝,放大器增益14分贝。文中并简介放大器承受射频脈冲功率的实验情况,以及与单脈冲雷达使用有关的若干指标的初步测试结果。     

C波段场效应晶体管(FET)功率放大器代替行波管放大器(TWTA)

砷化镓场效应晶体管的制作技术,已进展到使这些器件能够用来代替空载通信应答机中的行波管。本文介绍RCA公司为国际通信卫星正在研制的一种通用C波段场效应晶体管放大器(以下简称FETA)。设计的FETA提供6瓦输出,效率大于25%,在低失真时输出电平减掉1.5瓦,效率为13%。饱和时FETA的三阶交调(C/I)其典型值与行波管放大器(以下简称TWTA)的10分贝相比为15分贝。减掉10分贝输入功率时C/I改善到24分贝,而TWTA只改善到16分贝。我们制造的一种实验性的5瓦FETA表明,在输出电平为1.5瓦,效率为10%时,能获得线性工作。与典型的5瓦TWTA效率相对照在相同的线性区域不大于3～5%。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

50K场效应晶体管放大器

<正> 随着GaAs MESFET噪声性能的改善,低噪声FET放大器的性能也大幅度提高。目前,4GHz频段、60—70K低噪声FET放大器已商品化,主要的研究方向是进一步改善放大器的噪声性能。 除了对放大器本身进行精心设计外,由于FET的噪声系数随其工作温度的降低而减小,所以采用热电制冷技术可获得比常温下更佳的噪声性能。 在低噪声FET放大器电路中,前级输入匹配电路是放大器电路设计的关键。当然,作为一个多级FET放大器,必须对输入级进行最小噪声量度匹配调试。三级FET放大器采用单电源馈电方式。为减小级间电路的损耗,级间耦合采用了直接耦合,并对级间的输入输出进行了直接匹配连接。     

X波段低噪声场效应放大器

<正>设计低噪声场效应放大器时,器件的“s”参数和最佳信源阻抗是极其重要的参数.根据GaAs MESFET“s”参数理论计算公式,从小信号等效电路元件值计算WC50型MESFET的“s”参数列于表1.     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一咱快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法－高温加速寿命试验，利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置VDS＝8V，IDS－375mA，沟道温度Tch=110℃下，10年的失效率λ≈27FIT。其主要失效模式是IDSS退化，激活能E－1．28eV。     

K波段离子注入GaAs场效应晶体管

本文介绍了一个离子注入的、应用于K波段的0.5微米栅长GaAsMESEFT。采用硅注入形成沟道层和N~ 接触层。该器件在18千兆赫下增益9.8分贝,其外推的最高振荡频率f_(max)约80千兆赫。25千兆赫下,作为可调振荡器获得12.1分贝毫瓦的输出功率,作为窄带反射型放大器,输出功率为11分贝毫瓦时具有16分贝的增益。     

1.42GHz低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍一个在一般环境下使用的三级1.42GHz(千兆赫)低噪声砷化镓场效应晶体管放大器的特性、参数及应用。对于从事该方面研究的工程技术人员有一定参考价值。     

四公分低噪声场效应晶体管放大器

本文介绍四公分低噪声场效应晶体管放大器的初步研制结果,通过对晶体管S参数的测试进行电路设计。制成两级级联放大器作为接收机低噪声前端。在实验室内实现的指标是:放大器的噪声系数小于4.3分贝,放大器增益为14分贝。文中同时介绍了放大器所能承受的射频脉冲功率及实验数据。     

微波双极晶体管和微波场效应晶体管线性放大器

1.引言近年来,由于微波双极晶体管和微波场效应晶体管在制造工艺上所取得的成就,使得使用电真空器件的一些无线电设备单元完全可以用半导体器件代替。用线性放大器作为无线电发射设备的输入,输出极和中放、以及作为无线电测量仪器的某些单元是     

Ku波段振荡用GaAs场效应晶体管

本文讨论GsAs FET振荡应用时的工作原理、设计考虑。Ku波段振荡用FET在15GHz下获得60mW输出功率,在18GHz下获得40mW输出功率。