共查询到19条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
2.
3.
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术,已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹,并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明碲锌镉晶体中的这种连续性条纹源自于光热测试系统中入射光的干涉,这种干涉和入射光参数、测试样品的厚度、禁带宽度以及热导率等材料特性密切相关.最后,实验通过优化红外光热吸收测量系统获得了碲锌镉材料中的微缺陷结构及其在样品深度方向的三维分布图像. 相似文献
4.
5.
利用电化学扫描隧道显微镜和扫描隧道谱对n型硅抛光片(111)表面的微缺陷和表面电子结构做了初步研究。大量Si表面不同部位的STM表面形貌象表明,抛光片中粗糙度的为几个纳在面积平整区与许多不规则微缺陷区共存。轻掺Si(111)表面较为平整,微结构边缘平滑,尺寸较大;重掺Si表面微缺陷密度高,结构复杂,平整度明显降低。同时观察到大量有规律的缺陷。 相似文献
6.
周继承 《固体电子学研究与进展》1999,19(4):423-427
用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Si+ /B+ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明:Si+ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应;快速热退火Si+ /B+ 注入样品,其注入损伤基本消除,残留二次缺陷少,硼原子电激活率高;优化与控制快速热退火条件和Si+ /B+ 注入参数,制备出了电学特性优良的浅p+ n 结,其二极管反偏漏电流仅为1.9 nA·cm - 2(- 1.4V)。 相似文献
7.
针对用激光局部加热试样引起的横向热流检测裂纹,对低热导率材料表面的微小裂纹成像信噪比较低的问题,提出基于相邻热信号比较的圆柱铁氧体表面微裂纹检测算法。基于几何模型重构运动的圆周表面各点热信号,以激光扫描方向相邻点热信号的欧氏距离作为特征进行成像。仿真分析确定热信号裁剪区间、参考信号位置等算法参数。对6个具有5~35 m宽度自然裂纹的样品进行实验,结果表明,在线激光2.66 mm/s的扫描速度下,裂纹成像信噪比相比常规方法提高1~2倍,可清晰成像出裂纹的形状。 相似文献
8.
9.
10.
扫描探针显微镜(SPM)是通过探测针尖与样品间不同的相互作用力而获得表面的不同性质,在扫描探针测量技术上发展起来的磁力显微镜(MFM)主要用于材料表面的磁场力分布。 相似文献
11.
为了提高轧辊表面涂层的抗热冲击性能、延长其高温条件下的使用寿命,采用5kW CO2激光器,对轧辊表面等离子喷涂热障涂层进行了重熔处理。利用扫描电镜和能量色散谱仪,观察激光重熔涂层的涂层形貌和微观结构, 对分界面元素进行了微区成分分析。将试样在1000℃下保温10min后,放入常温(25℃)水中激冷,探究其抗热冲击性能,并与等离子喷涂涂层进行了对比。结果表明,经激光重熔后,涂层孔隙、裂纹明显减少,涂层质量明显提高;涂层与基体之间在一定程度上实现了冶金结合,结合强度明显提高;开始出现裂纹以及最终失效时的冲击循环次数由原来的14次和32次分别提高到43次和94次。该激光重熔工艺有助于提高涂层的热冲击性能,可延长轧辊的使用寿命。 相似文献
12.
缺陷深度测量是脉冲红外热波技术定量测量的一个重要应用,常用的几种测厚方法都是基于一维热传导模型。而实际测厚都是针对有限缺陷尺寸,因而三维热扩散会对深度测量产生一定影响。文中以表面阳极化处理后的铝和玻璃钢材料为例,采用脉冲红外热波技术作为实验方案。提取所获得的热图序列不同缺陷宽度位置处热波降温数据,利用这些数据近似模拟不同深度缺陷在相同缺陷尺寸时受到不同程度的三维热扩散影响。通过研究一维热传导理论模型分析了3种常用方法的测厚原理,并建立了测厚特征时间与缺陷深度平方线性关系。结果表明:缺陷尺寸对各线性关系的斜率和截距均有影响,且热扩散系数较小材料的斜率明显大于热扩散系数较大材料。 相似文献
13.
Ananth Dodabalapur C. W. Farley S. D. Lester T. S. Kim B. G. Streetman 《Journal of Electronic Materials》1987,16(4):283-288
A rapid thermal annealing technique for InP is described in which a controllable phosphorus overpressure, generated by heating
red phosphorus, suppresses the dissociation of InP at required annealing temperatures. Two annealing configurations were used
to independently study the effects of phosphorus overpressures, anneal temperatures and gas flow rates on the post-anneal
electrical and morphological properties of low dose Si-implanted InP:Fe. The advantage of phosphorus overpressure annealing
over close-contact annealing is shown, and comparison is made with Si3N4 encapsulated annealing. Gas flow velocities close to the sample are found to significantly affect the surface morphology,
and a static layer immediately above the sample is found to be beneficial. 相似文献
14.
理论研究单个激光脉冲作用光学材料的温度和热应力分布模型,根据脉冲特征,分别建立适用于短脉冲和长脉冲的温度分布模型;进一步建立单个脉冲作用下的热应力模型。以熔融石英为例数值计算和分析了单个脉冲作用下的温度和热应力分布。研究结果表明,如果只求解单脉冲结束时的温度分布,长脉冲和短脉冲模型计算结果一致。单个激光脉冲辐照熔融石英,材料温度升高,如果温度达到材料融化或汽化温度,将导致材料的熔融汽化破坏,另一方面,在焦点区域温升不均匀,将导致热应力产生,如果热应力达到材料的力学破坏阈值,将诱导材料的热应力损伤。 相似文献
15.
16.
本文基于把样品池当作薄位相板,运用傅里叶光学理论,对探测束非聚焦CW双束正交热透镜构型进行了理论分析,预示了由此构型产生的热透镜特性。 相似文献
17.
18.
为了研究激光介质热畸变对固体热容激光器的影响,数值计算了高功率激光二极管阵列抽运片状激光介质的瞬态温度场和热应力分布。结果表明,在相同的抽运功率密度下,激光介质中的温度分布和热应力分布不仅与激光介质几何构型及抽运光空间分布有关,还与抽运光斑在介质表面的填充因子密切相关。当抽运光斑未充满激光介质时,介质的表面靠近边缘处会出现大的拉应力集中,并且介质表面的最大轴向位移和最大拉应力随光斑填充因子增大而增大;而当抽运光充满介质时,表面是压应力,较小的拉应力存在于介质内部。 相似文献
19.
为了研究了激光与CCD传感器的作用过程及损伤机理,采用有限元分析的方法,对波长1.06μm的连续激光辐照行间转移型面阵CCD进行了理论分析和仿真研究。以基底Si表面激光辐照区域为热源建立热力耦合模型,模拟得出了CCD的温度分布和热应力分布。通过对比分析其组成材料的温度损伤和应力损伤所发生的时间,发现应力损伤先于温度损伤。结果表明,作为固定边界和自由边界的交汇处,基底Si下表面边缘处热应力于激光作用0.1s时最先超过破坏阈值120MPa,发生应力破坏; Si材料产生由下表面边缘向中心的滑移,基底逐步脱离固定; 激光作用0.3s时,遮光Al膜与SiO2膜层也因热应力超过两种材料的附着力100MPa,而产生沿径向由内向外的Al膜层剥落的应力破坏行为,这种行为将加快基底Si材料的滑移,最终致使整个CCD因脱离工作位置而失效。该研究成果为CCD传感器的激光损伤及防护提供了理论依据。 相似文献