关于本原M序列的一些自相关函数取值

本文讨论了由ｍ序列叠加小项ｘ２…ｘｎ构成的Ｍ序列的自相关性能，获得了ｃ（ｎ＋１）＝－４或０或４，ｃ（τ１）＝－４，ｃ（τ２－１）＝０或４（τ１和τ２意义见定理１）的新结果，同时并给出了ｃ（ｎ＋ｋ）（ｋ≥２）的可能取值范围。     

Sol－Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件老化特性的研究

假设老化是从亚稳态到稳态的变化，利用反应动力学理论对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＣｏＭｎＮｉＭｇＯ热敏元件的老化特性进行了研究，推导出老化公式△Ｒ／Ｒｏ＝Σｒｉ［１－ｅｘｐ（－ｔ／τｉ）］其中：τｉ＝τｏｉｅｘｐ（Ｅｉ／ｋＴ））。结果表明理论与实验能很好地一致，对于本文所研究的热敏元件，符合公式ＡＲ／Ｒｏ＝ｒ１［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ１）］＋ｒ２［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ２）］，该式中：，ｒ１＝１１．７６７×１０－３；ｒ２＝２０．６７３５×１０－３；τ１＝６．４５７８×１０－３ｅｘｐ（６１９０．８９／Ｔ）；τ２＝１．０４６１×１０－６ｅｘｐ（８ｌｌ６．２４／Ｔ）。     

近距离热成像系统的光谱区配因数：——微分光谱匹配因数

导出了适用于近距离面目标热成像系统的微分光谱匹配因数Ｍ＾＊＝∫（αＷλＴ／αＴ）τａλτ０λλＤλ，且αＷλ／αＴ≈ｃ２／（λＴ＾２）·ＷλＴ。当Ｔ≈３００Ｋ，λ＝８￣１４ｕｍ时，αＷλＴ／αＴ≈０．０１６ＷλＴ；当Ｔ≈１０００Ｋ，λ＝３￣５ｕｍ时，αＷλＴ／αＴ≈０．００３６ＷλＴ。Ｍ决定热成像系统的温度分辨率：ＮＥＴＤ，ＭＲＴＤ，ＭＤＴＤ。     

单模激光的噪声关联时间效应

利用线性近似方法推导了由关联噪声驱动的单模激光增益模型的光强关联函数、关联时间和功率谱,分析讨论了噪声互关联时间τm和自关联时间τs对激光上述性质的影响,发现在关联噪声驱动的单模激光系统中,τm和τs对激光统计性质起着完全不同的作用,并导致一些新奇的现象.     

二能级系统粒子分布对双光子过程光子统计的影响

本文研究了二能级系统双光子过程光子统计。从光子密度算符运动主方程出发,推广了生成函数法,导出了含参数生成函G(r,x,τ)及其满足的偏微分方程。推导了阶乘矩和相关函数的运动方程。分别求得(τ)、(τ)和g~[2](τ)在原子态分     

倍频器相位变化的测量

本文给出了原子频标中的一种倍频线路。作者设计了相位测量系统和单边带多周期测量系统。用这些系统测定了倍频器的相位漂移和相位噪声。测量表明,温度从30℃升至50℃时,×18倍频器的90MHz输出的相位变化为14°;电源电压从20V升至22V时,相位变化为4.7°;取样时间τ=1s时,倍频器6840MHz输出由相位噪声引起的频率误差σ_τ=1.1×10~(-12),τ=10s时,σ_τ=3.9×10~(-13)。     

用扫描干涉法测定光电系统高频响应

提出了用扫描Fabry-Perot干涉仪对光电系统10～500MHz的频率响应进行测试的方法。用信号半值宽度τ_m来估计光电系统的高频截止频率fc,讨论了fc=1/1.7τ_m的理论依据和适用范围。本方法的特点是无需高频光源和高频信号源,即可进行光电系统的高频响应测试。     

GaAs／AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化

用光荧光（ＰＬ）和时间分辨光谱（ＴＲＰＬ）技术研究了ＧａＡＳ／ＡＩＧａＡＳ量子阱结构中荧光上升时间τｆ和激子谱线半宽（ＦＷＨＭ）随阱宽的变化关系，发现在窄阱中，τｆ，随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反，在窄阱中τｆ随着阱宽的减小而增加，归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的．同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加，这也是因为激子特性由维二维向三维转化造成的．     

非均匀加宽的混沌激光器的关联函数与混沌控制

对于非均匀加宽介质的混沌激光器,详细计算了其关联函数g(τ)和g(τ)。用关联函数作为反馈,可使系统从混沌到定态或混沌态到周期振荡,甚至可以实现从混沌态到指定的定态输出。     

人机闭环跟踪系统的特性研究与分析

本文主要针对一半自动跟踪系统,利用随机最优控制理论方法建立人机跟踪系统的数学模型,并给出解人机系统模型中代数Riccati方程的方法。同时对人机系统模型进行计算机仿真,讨论分析了主要模型参数(τ,τ_n)的变化对仿真结果的影响,以及跟踪系统结构对操作手跟踪性能的影响,观测量对操作手的影响等。     

热象仪辐射接收器的质量标准

正确选择辐射接收器件是任何热象系统有效地工作的必要条件,而光电接收器的质量标准常以下式表达:Q=Δlnλ_有效D_m~＊(1-e~(-τ/T))(1)式中,τ——输入脉冲的最小脉宽;T——光电接收器的时间常数。但这种质量标准有若干缺点。1.事实上,式(1)是假定系统的灵敏度阈值,可通过选择接收器达最小,Q值达最大,但它取决于脉宽为τ的输入脉冲的小尺寸辐射源。式中括号内的因子完全决定着     

一种提高硅双极器件频率和功率的新技术

提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术－具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用ＭＥＤＩＣＩ模拟分析表明,该技术可交双极器件的击穿电压ＢＶＣＢ０提高到平行平面结的９０％以上;可减小寄生效应和漏电流,有助于提高小电流β０;可适当的增加集电区掺杂浓度,减小τｄ,同时提高ＩＣＭ和Ｐｏ。     

玻璃钝化硅快恢复整流二极管

本文对２ＣＮ６型玻璃钝化硅快恢复整流二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程，选用合适电阻率和厚度的Ｎ型硅单晶片，采用磷、硼深扩散，精确控制基区宽度形成Ｐ＾＋ＮＮ＾＋结构；铂扩散降低少子寿命τ，从而缩短反向恢复时间τｒｒ；双面蒸铝得到铝硅欧姆接触以降低正向压降ＶＦＭ；钼柱过渡高温冶金焊接确保抗拉强度，并与硅芯片及玻璃实现良好热匹配；化学腐蚀形成台面降低表面电场     

多径干扰对再入遥测系统性能的影响分析

多径干扰在频域表现为在PCM/FM的频谱中产生凹陷。我们通过用一直射路径和一延时小于一个比特间隔的镜面反射路径来模拟再入遥测多径信道,并结合一延时解调器,得到了系统的性能方程式,它是多径信道参数r、θ和τ的函数。然后就有和无预检波滤波器分别分析了多径干扰对系统性能的影响。通过分析得出,系统的比特错误概率都强烈依赖于凹口的位置,而在无预检波滤波器时,系统的平均比特错误概率与凹口的宽度(时延τ)无关,主要由凹口的深度(反射系数r)确定,此时由于多径干扰引起系统性能损失的上界为1/(1-r)2,它高出实际系统性能的损失值不到1dB。在有预检波滤波器的情况下,系统的平均比特错误概率与凹口的宽度、凹口的深度和滤波器的带宽都有关。当τ/Tb=0.15时系统性能最差,而滤波器的带宽B越窄,码间干扰越严重,在τ/Tb=0.15且BTb=1时,得到了系统性能损失的上界为:1/(1-r)2r,它超过系统性能的实际损失同样小于1dB。     

电力线路上载波通道中噪声的相关分析

根据在我国各区电力线路上测试的噪声频谱密度数据Ss(ω),先算出相对功率频谱密度,再用逐段积分法,求出相关系数ρ与相差时间τ的关系曲线。 在大值由Ss(ω)集中在一个较低频率的几个情况下,ρ-τ曲线的形状相当接近于e~(-ατ)cos 2πfx;在大值Ss(ω)比较分散的一般情况下,它的振荡形状是很不规则的。 最后算出|ρ|开始小于1/e,1/e~2与0.05的相关时间τ_1,τ_2与τ_3,以及在分段过程τ_1,τ_2-τ_1,τ_3—τ_2和整个过程τ_3中的平均振荡频率f,指数衰减系数α,过零点数目N等,其中N/τ3f很接近于2。第一分段τ_1中所得的参数和整个过程τ_3中所得的平均参数相差很远,因而第一分段的参数不能表示整个过程的特征。τ_3决定着通道中不积累误差的载波包络的频率高限。一般地讲,如果在通道中使用较高的载频(4万赫以上),所得的τ_3较小。因而可用较高的载波包络频率,也就是信号频率可以提高些而不致降低信号噪声比。     

用CCWT方法确定少子的体产生寿命及表面产生速度

在MOS由非平衡深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷是恒定的,则空间电荷区宽度的瞬态特性W(t)将提供少子的体产生寿命τ及表面产生速度S的信息;用指数衰减函数比较法可以直接由W-t曲线确定τ、S,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序.     

耦合时延动力系统之间的同步行为

研究表明对具有延时的耦合神经元系统的放电动力学行为,适宜的延时时间τ和耦合强度c可以诱发系统产生同步,如较小的耦合强度系数使得延时神经系统产生完全同步。     

光谱线自然增宽的半经典处理

用半经典处理方法,将经典振子的辐射与原子在激发态的几率的衰减率联系起来。振子的辐射功率的平均值等于在激发态的原子因自发发射而损失的功率,其中电偶极矩用量子力学计算.考虑到无辐射跃迁和辐射跃迁是同时发生的,自发发射所发射的光以指数衰减,时间常数是τ,因此自然线宽是△γ_N=1/2πτ,式中τ~(-1)=τ_3~(-1)+τ_nr~(-1),τ、τ_3和     

十次准晶及近似晶体相的晶体学关系

在分析正五形的几何特征和正五边形的周期与准周期排列的基础上，讨论了具有五边形单元的二维周期点阵与准财期点阵的异同以及它们之间的转变。在Ａｌ－Ｃｏ二元系中，除了已知的单斜Ａｌ１３Ｃｏ４及正交Ａｌ３Ｃｏ的五角层状结构，还发现有五边形的边长及单胸参数ａ，ｃ均为τ＾２和τ＾３倍的合金相，如此无膨胀，就会得到单胸参数为无穷大的十次准晶。另一方面，Ａｌ６０Ｍｎ１１Ｎｉ４的两种已知正交结构的点阵参数ａ，ｃ均可用     

GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性

本文研究了低迁移率GaAs/AlGaAs量子阱的散射机制。由电导测量和Shubnikov de-Haas振荡曲线分别得到输运散射时间τ_0和弛豫时间τ_q(量子散射时间)。在GaAs/AlGaAs量子阱中,τ_0≈τ_q;而在调制掺杂的异质结中,τ_0》τ_q。用量子阱、异质结中起支配作用的散射机构不同很好地解释了实验结果。本文还研究了弱磁场下量子阱的负磁阻效应,这是磁场抑制了电子局域态的结果。