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扫描隧道显微镜钨针尖氧化层去除的化学方法 总被引:2,自引:0,他引:2
电化学腐蚀得到的扫描隧道显微镜(STM)钨针尖表面通常覆盖了一层钨的氧化膜,这层氧化膜的存在很大程度上影响了STM扫描图像质量.本实验采用氢氟酸对新制备出的钨针尖进行去氧化层处理,并通过对比两组高序热解石墨(HOPG)STM图像和金样品的扫描隧道谱来论证这种去氧化层手段的有效性. 相似文献
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采用直流电化学刻蚀方法制备扫描隧道显微镜钨针尖,研究了电化学刻蚀过程中NaOH溶液浓度、钨丝浸入长度和刻蚀电压对针尖形貌的影响。通过扫描电子显微镜(SEM)测量针尖曲率半径和针尖纵横比值,以表征针尖的尺寸和形状;通过能谱仪(EDS)分析针尖表面成分,以表征表面清洁度;通过场发射显微镜(FEM)得到Fowler-Nordheim (F-N)曲线来检测针尖发射性能。实验结果表明,当溶液浓度为2 mol/L、钨丝浸入长度为4 mm、刻蚀电压为3 V时,可以得到曲率半径约为100 nm、纵横比值为13的针尖,且表面无钨的氧化层。FEM结果显示当对针尖施加500 V的负偏压时,针尖可以稳定发射50 nA量级的电流,且针尖性能具有良好的一致性。 相似文献
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提出了一种用于针尖扫描原子力显微镜(AFM)的光点跟踪设计方案,结构简单,容易实现。设计方案对扫描器的负载能力要求不高,而且能使原子力显微镜实现较大范围的针尖扫描。实验结果表明,采用此光点跟踪设计方案的针尖扫描原子力显微镜能实现最大100μm×100μm范围的扫描,z方向上的误差最大1 nm,能很好地满足大样品扫描的需要。 相似文献
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STM2000扫描隧道显微镜是英国VG公司产品。它除了带有高真空样品室以外还配有锁相放大器。因此它不仅能观察样品表面形貌像,而且还能观察到样品表面的原子结构像以及其相应的电子结构。 STM2000技术指标分辨率:2A 用VG公司提供的石墨解离表面垂直噪音:最大0.1A 漂移:<5A/分钟(包括压电蠕变) 扫描范围:10A×10A到1μm×1μm 步长:最小0.1A 相似文献
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本文以低维化合物系统为主研究对象,介绍利用扫描探针显微镜进行隧道谱测量的基本原理及一些实验成果。 相似文献
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光子扫描隧道显微镜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
光子扫描隧道显微镜(PSTM)是电子扫描隧道显微镜(STM)的光学模拟,它对样品的光学特性特别敏感,且大大突破了传统光学显微镜的衍射极限的限制,是扫描探针显微镜家族中新出现的一个成员,我们自行设计开发了一套PSTM实验系统,研究了其纵向扫描特性,观察了二维干涉光场及其它实际样品。实验表明该实验室系统的扫描面积达12×12um ̄2,纵向分辨率达λ/100,横向分辨率有待进一步鉴定,从已观察的样品分析不低于0.1um。 相似文献
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K. Pond J. Ibbetson R. Maboudian V. Bressler-Hill W. H. Weinberg U. K. Mishra A. C. Gossard P. M. Petroff 《Journal of Electronic Materials》1993,22(12):1383-1386
Scanning tunneling microscopy (STM) has been used to investigate the effect of low-temperature (LT) growth of GaAs by molecular
beam epitaxy on the morphology of the resulting surface. We present STM images of a GaAs(001) surface that was grown at ∼300°C
and subsequently annealed at 600°C and show that there is a recovery of the (2×4) reconstruction. We also report images of
a surface grown on top of a buried LT GaAs layer and show that the LT layer has little effect on the resulting surface morphology.
In addition, scanning tunneling spectroscopy spectra are presented which demonstrate that the current-voltage characteristics
of annealed and unannealed LT grown GaAs are significantly different. 相似文献
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p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用扫描隧道显微镜(STM)在p-nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入,得到了一个信息点点径小于1nm,对应存储密度高达10^13 bit/cm^2的信息存储点阵,电流-电压(I-V)曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0-1信息存储特性,PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入。 相似文献
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超高真空扫描隧道谱实验对碲镉汞室温带隙的直接测定 总被引:1,自引:0,他引:1
利用超高真空扫描隧道显微镜的隧道谱实验对汞空位掺杂的液相外延P型碲镉汞材料在室温条件下进行测量,发现直接的电流-电压隧道谱对带隙预言一定程度上要受到成像偏置电压的影响.但当采用了锁相放大测量技术,通过实验直接获取微分隧道谱(dI/dV)信号,并利用电流-电压谱对dI/dV作归一化处理时,最终结果则能较准确、可靠地预言材料的带隙,表明扫描隧道谱方法作为独立于光学方法之外的另一种实验表征手段对碲镉汞能带电子结构研究的适用性. 相似文献
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Fangxing Zha Qiuying Zhang Haoguang Dai Xiaolei Zhang Li Yue Shumin Wang Jun Shao 《半导体学报》2021,42(9):31-35
The ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope (STM) was used to characterize the GaSb1-xBix films of a few nanometers thickness grown by the molecular beam epitaxy (MBE) on the GaSb buffer layer of 100 nm with the GaSb (100) sub-strates.The thickness of the GaSb1-xBix layers of the samples are 5 and 10 nm,respectively.For comparison,the GaSb buffer was also characterized and its STM image displays terraces whose surfaces are basically atomically flat and their roughness is generally less than 1 monolayer (ML).The surface of 5 nm GaSb1-xBix film reserves the same terraced morphology as the buffer layer.In contrast,the morphology of the 10 nm GaSb1-xBix film changes to the mound-like island structures with a height of a few MLs.The result implies the growth mode transition from the two-dimensional mode as displayed by the 5 nm film to the Stranski-Krastinov mode as displayed by the 10 nm film.The statistical analysis with the scanning tunneling spectroscopy (STS)measurements indicates that both the incorporation and the inhomogeneity of Bi atoms increase with the thickness of the GaSb1-xBix layer. 相似文献