微芯片铝键合点上氟沾污物成分的研究

微芯片铝键合系统的失效是器件可靠性研究的重要课题,铝键合点上的氟沾污加速了对铝合金化表面的腐蚀,导致微芯片的失效。国外的工作多数讨论氟沾污引起失效的机理;很少给出沾污物的系列化学成份。ＴＯＦ ＳＩＭＳ提供了一个探测和分析微芯片键合点上沾污成份的有力武器,作者比较了两个ＴＯＦ ＳＩＭＳ的负离子谱,一个是经目检发现键合点上有沾污斑点的芯片,另一个是键合点无沾污的芯片。根据对ＴＯＦ ＳＩＭＳ特征谱线和离子像的研究,认为沾污点的化学成份主要是铝氟化合物和铝氧氟化合物。进一步的工作发现除微芯片的制造工艺过程外,成品圆片的存放处理也是形成键合点上氟沾污的原因。     

氟铝酸盐铝钎剂的研究现状和发展趋势

Nocolok钎剂是铝及铝合金钎焊过程中应用较广泛的无腐蚀钎剂.该钎剂熔化温度558℃,最大不足在于操作温度(600℃)过高,只适用于少数铝合金.从制备方法和添加第3种甚至更多种盐来改变钎剂的活性和性能这两方面对氟铝酸盐铝钎剂研究的进展和展望进行了综述.     

Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响

在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响.利用X射线衍射(XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜(SEM),发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向.在可见光谱范围,pAr对透过率的影响非常小,薄膜的平均透过率大于83%,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比.在较低的溅射气压下(pAr=0.2Pa)获得的薄膜电阻率最小,对应有大的光学带隙(3.61eV).随着pAr的降低,晶粒尺寸增大.pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响.     

Ar气压对射频磁控溅射铝掺杂ZnO薄膜特性的影响

在Corning 1737玻璃衬底上射频磁控溅射沉积了铝掺杂ZnO薄膜(ZnO∶Al).薄膜沉积在衬底温度250℃、溅射功率100W和纯氩气氛中进行.通过在0.2～3.2Pa范围改变溅射氩气氛压力pAr,研究了不同pAr对样品的晶体结构、电学特性、光学特性和表观形貌的影响.利用X射线衍射(XRD)、透射和反射谱测量、扫描电子显微镜(SEM),发现不同pAr下ZnO∶Al薄膜都具有垂直于衬底C轴择优取向.在可见光谱范围,pAr对透过率的影响非常小,薄膜的平均透过率大于83%,但红外透过率与薄膜的电阻率成正比.在较低的溅射气压下(pAr=0.2Pa)获得的薄膜电阻率最小,对应有大的光学带隙(3.61eV).随着pAr的降低,晶粒尺寸增大.pAr对ZnO∶Al薄膜的表观形貌有显著的影响.     

SOD模型配合物对过量摄氟大鼠牙釉损伤保护作用的扫描电镜观察

慢性氟中毒是一种影响多种器官的全身性疾病 ,牙釉质病变是其主要特征之一。近年来随着人们对疾病与体内自由基关系的深入了解 ,开始从氧化损伤角度重视自由基与氟中毒的关系。本实验应用扫描电子显微镜 ,观察了过量摄氟对大鼠牙釉质的破坏及超氧化物岐化酶 (ｓｕｐｅｒｏｘｉｄｅｄｉｓｍｕｔａｓｅ ,ＳＯＤ)的模型配合物 (ＭｏｄｅｌＳＯＤ ,ＭＳＯＤ)络合铜对其拮抗和保护作用 ,为合理、全面地防治氟斑牙的发病提供形态学依据。1 .材料与方法试剂和仪器 :ＳＯＤ模型配合物络合铜由华中师大化学系提供 ;氟化钠系北京化学试剂厂生产 ;日立…     

有铝激光器和无铝激光器特征温度对比研究

为了测量两种有源区材料半导体激光器的温度灵敏度,文中对InGaAsP/GaAs无铝和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有铝的808 nm大功率半导体激光器,采用阈值电流法衡量两种有源区材料激光器的特征温度。在各种温度下实验性地测量激光器的P-I曲线,并采用线性拟合法得到阈值温度线性关系,实验结果表明有铝激光器温度性能明显优于无铝激光器。     

光纤掺氟的实验研究

氟已成为MCVD法中重要的掺杂剂,其作用是制备各种凹陷内包层的单模光纤。本实验证明:由于CCl_2F_2掺入而使折射率降低△n~-,是与CCl_2F_2流量(或等效分压)的1/5方幕成正比;二氧化硅的沉积效率与一个最佳的CCl_2F_2流量相对应,CCl_2F_2流量过高,形成SiF_4会降低二氧化硅的沉积效率。故合理选择CCl_2F_2的流量,将有助于提高单模光纤预制棒的沉积速率和生产速度,降低光纤成本。     

对三氟甲氧基苯酚酯类液晶的合成和相变研究

设计并合成了一类新型的对三氟甲氧基苯酚酯类液晶,其相变行为通过DSC及偏光显微镜进行了观察和测试。这类液晶化合物都显示一个很宽的近晶A相和一个很窄的向列相,近晶A相的温度范围不随烷氧基端链的长度发生变化,而向列相的温度范围却随着烷氧基链的增长而缩小。四氟苯环的引入降低了化合物的热稳定性,压缩了近晶相,却有利于向列相的形成。三氟甲氧基有利于近晶相。     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。     

Surface Modification of Al Foils for Aluminum Electrolytic Capacitor

Miniaturization and light weight of aluminum electrolytic capacitor can be achieved via the enhancement in the specific capacitance of anodized aluminum foils resulted from the introduction of compounds with high permittivity into dielectric layer. However, the electrostatic repulsion between the compounds and aluminum substrates hinders this introduction of the compounds, leading to a limited improvement in the specific capacitance. In this work, a novel strategy has been developed to promote the deposition of TiO₂ on the surface of aluminum foils by surface modification with polyvinyl alcohol, which sharply decreases the electrostatic repulsion and dramatically increases the mass of deposited TiO₂. The evolution of composition and morphology during the process are studied and the capacitor performance of aluminum foils with various treatments is investigated. Interestingly, after surface modification, a specific capacitance of 131.5 µF cm^?2 under the withstanding voltage of 21.2 V is obtained, and there is about 60% enhancement in the specific capacitance compared with those without TiO₂, and about 30% enhancement compared with those without surface modification, respectively. The specific capacitance obtained is the highest one for aluminum electrolytic capacitor reported to date. These outstanding performances exhibit great potential of this strategy for commercial application on aluminum electrolytic capacitor.     

封装用铜框架表面化学组成和粘接强度

电子封装用铜框架表面采用不同温度处理,与电子封装用环氧材料复合制备用于拉伸测试的Tap pull样品。XPS分析表明,一般铜框架表面成分包括一价的氧化亚铜和二价的氢氧化铜等。175℃热处理120 min可使表面的二价氧化铜质量分数达到73%,氧化铜和表面约20%的氢氧化铜一起显著提高界面的粘接性能。     

Al319激光表面合金化

用激光表面合金化的方法加入Ni、Cr等成分在铝合金基体材料表面形成具有良好耐磨性能的合金化层。实验首先将合金粉末调和后涂于试样表面,用CO_2激光以不同功率、不同的光斑移动速度对徐层进行激光合金化处理。分析结果表明,工艺参数极大地影响合金化效果;可得到显微硬度达1400HV的高度硬化层;选用合适的功率、光斑运动速度及预涂层厚度可得到单道轨迹、多道搭接及整个试样表面的无气孔、裂纹缺陷的组织细密的合金化层;层内主要强化相为AlNi和多种Al/Ni金属间化合物。最终得到的全试样表面合金化层的硬度比基体高60—100HV,耐磨性比基材提高3—5倍。     

高压电极铝箔腐蚀孔洞模型的探讨

利用SEM、TEM观测了高压腐蚀铝箔表面和横截面的形貌,介绍了3种高压电极铝箔的腐蚀孔洞模型:圆孔、方孔、条状凹槽;通过对当前市场上国内、日本的高压高比容电极箔腐蚀孔洞的实际形貌特征进行对比分析,发现:具有实际意义的理想腐蚀孔洞应当具有介于条状凹槽和圆孔之间的形状;通过改进电蚀技术来提高高压电子铝箔的比电容还有相当大的空间;在电蚀过程中抑制簇状并孔发生并促进线状并孔发生以使得腐蚀孔洞呈现条状沟槽形状是今后高压电极箔制造技术的改进与发展方向之一。     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究

文章研究了P型氮化镓材料表面自然氧化,故意氧化以及盐酸处理等三种不同情况下的X射线光电子能谱(XPS) 。结果发现800℃下在空气中故意氧化6min后, P型氮化镓材 料表面的镓(Ga2p3 /2)峰出现较大移动,向高能端移动了0. 88eV (与盐酸处理的样品相比) ,O1 s峰向低能方向移动了0. 9eV,且镓氮原子含量比最大;在空气中自然氧化和盐酸处理的两个样品峰的移动很小,各个峰的移动大约在0. 1eV左右,但是用盐酸处理后的样品的含氧量有所下降,且盐酸处理的样品的镓氮原子含量比最小,镓氮的原子含量比小有利于形成镓空位,而镓空位是受主,这样镓氮原子含量比越小越有利于形成P型氮化镓欧姆接触。     

砷化镓晶片表面的XPS研究

用X射线光电子能谱分析技术（XPS）研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成。结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含有Ga2O3、As2O5、As2O3及元素As；表面化学计量比明显富镓，而经过适当的化学处理后这些表面特性能得到较大改善。     

铝阳极氧化膜形成液的形成能力研究

在不同配方、不同pH值的低压和高压电解液中测试纯铝样品的电流变化,根据电流大小及电流变化速度,确定形成能力最强的介电用铝阳极氧化膜形成液。     

多孔硅可见光发射研究

用常规电化学方法制备了发射高效可见光的多孔硅样品。对样品进行了光谱研究。用非化学方法从样品表面得到了粉末状荧光物质(非多孔硅膜研磨产物),光谱测定证实它的光致发光光谱与原多孔硅样品光致发光光谱相同,粉末进一步研磨后仍能发出同样的可见光。多孔硅样品还可以实现阴极射线激发发出同样的高效可见光,但易因电子束的轰击而发光强度较快减弱。用扫描电镜(SEM)对多孔硅样品的形貌、结构、荧光粉末的形状、尺寸、多孔硅样品阴极荧光发射区域进行了系统的研究。实验结果表明多孔硅样品一般可分为三层结构:表面层、多孔层和单晶硅衬底,样品荧光是来源于其表面层的。对样品表层组分的x射线光电子谱(XPS)分析表明,此时的多孔硅表层有大量非硅元素存在,如:C、O、F(没考虑H),硅元素的原子个数比只占30％～50％。用同样的电化学方法在单晶硅未抛光面上和多晶硅未抛光面上制得了均匀发射可见光样品。上述实验结果说明,多孔硅的高效可见光发射是来源于样品制备过程中在其表面层中形成的粉末状荧光物质。