Tm3 掺Li2O-CdO-Al2O3-SiO2玻璃的发光特性研究

通过高温熔融方法合成了Tm^3＋掺Li2O-CdO-Al2O3-SiO2（LCAS：Tm^3＋）氧化物理论，并对其高温热处理和淬火获得一种新型玻璃材料，测量和分析了该材料吸收、激发与发射光谱。高达95％以上近红外透过率表明，LCAS：Tm^3＋玻璃可作为近红外波段高透过率光学玻璃；远大于10^-18cm的积分发射截面、较高的荧光分支比与能形成粒子数反转的荧光寿命表明，LCAS：Tm^3＋玻璃可能成为一种新的激光功能材料。通过淬火获得样品，其发射光谱在400～680nm新生较强的大宽带，且随掺杂浓度的增加而发生蓝移，预示该材料可应用于光存储和全色显示领域，对此原因进行了分析与讨论。     

Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷性能的影响

研究了Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷烧结性能和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量的Li2O可改善CBS/Al2O3玻璃陶瓷的烧结性能和介电性能,当掺杂Li2O的质量分数为0.5%时,CBS/Al2O3玻璃陶瓷在810 ℃可实现低温致密化烧结,试样的体积密度为2.89 g/cm3;在1 MHz的测试频率下,该材料的介电常数为8.6,介电损耗为1.0×10-3;XRD分析表明其相组成主要为CaSiO3、CaAl3BO7、残余Al2O3和玻璃相.     

陶瓷添加剂MnO2,Fe2O3,Li2CO3的热分析

陶瓷添加剂能使陶瓷材料具有良好的烧结状态和最佳的压电性能。本文作者采用Ｄｕｐｏｎｔ—２０００型热分析仪对常用添加剂ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｌｉ２ＣＯ３进行了ＤＴＡ、ＴＧＡ分析，研究了几种物质在烧结过程中的物理、化学变化。     

Mixed-Alkali Effect in Li2O–Na2O–K2O–B2O3 Glasses: Infrared and Optical Absorption Studies

The mixed-alkali effect (MAE) has been investigated in the glass system (40 ? x)Li₂O–xNa₂O–10K₂O–50B₂O₃ (0 mol% ≤ x ≤ 40 mol%) through density, modulated differential scanning calorimetry (DSC), and optical absorption studies. From the absorption studies, the values of the optical band gap (E _opt) for direct transition and Urbach energy (ΔE) have been evaluated. The values of E _opt and ΔE show nonlinear behavior with the compositional parameter. The density and glass-transition temperature of the present glasses also show nonlinear variation, supporting the existence of MAE. The infrared (IR) spectra of the glasses reveal the presence of three- and four-coordinated boron atoms. The specific vibrations of Li–O, Na–O, and K–O bonds were observed in the present IR study.     

Li2O-B2O3复合掺杂对BaAl2Si2O8陶瓷结构与介电性能的影响

采用传统固相反应工艺,按质量分数合成BaO-Al2O3-SiO2-5%(xLi2O-yB2O3)(x=0. 2~0. 6,y=0. 8~0. 4)陶瓷。研究xL-yB烧结助剂对BAS系微波介质陶瓷的结构和介电性能的影响。通过Clausius-Mossotti公式计算讨论了BAS理论与实验介电常数的差异。研究结果表明:xL-yB烧结助剂中Li+进入钡长石Ba2+位,并产生了O2-空位,促进BAS六方相向单斜相转变。添加适当比例的xL-yB烧结助剂后,BAS陶瓷的烧结温度从1400℃降低到925℃,同时BAS陶瓷样品密度、品质因数(Q×f)值以及谐振频率温度系数(τf)得到改善。当烧结助剂为0. 5L-0. 5B,烧结温度为925℃时,可获得综合性能相对较好的BAS陶瓷,其介电性能:εr=6. 74,Q×f=26670 GHz,τf=-21. 09×10-6℃-1。     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(α1)以及密度随Bi2O3含量的变化关系.结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi-O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大.     

Al2O3陶瓷和Al2O3微粉

叙述了氧化铝瓷的重要性和氧化铝微粉的组成、性能和应用，指出了陶瓷质量和一次晶粒的关系。     

Er3+掺杂Bi2O3-B2O3-Ga2O3玻璃光谱性质及热稳定性研究

用高温熔融法制备了Er3 掺杂50Bi2O3-(50-x)B2O3-xGa2O3(x=0,4,8,12,15 mol%)系列玻璃,测试了上述玻璃样品的吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命及热稳定性.分别应用Judd-Ofelt理论和McCumber理论计算了Er3 强度参数和受激发射截面.研究发现,当Ga2O3含量在mol 8%时,荧光半高宽(FWHM)、峰值发射截面(σpeak e)和4I13/2能级荧光寿命(τm)均达到了峰值,其FWHM和σpeake分别为81 nm和1.03×10-20cm2.热稳定性则随着Ga2O3含量的增加而改善,析晶开始温度(Tx)和玻璃转变温度(Tg)之间的差值(△T)最高达到了261℃.研究表明,含适当重金属Ga2O3的铋硼酸盐玻璃具有较好的光学性能和热稳定性,适合于作为高增益、低噪声的宽带掺铒光纤放大器的基质材料.     

BaCu(B2O5)的添加对Li2MgTi3O8微波介质陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备Li2MgTi3O8微波介质陶瓷,研究了BaCu(B2O5)(简称BCB)的添加对Li2MgTi3O8微波介质陶瓷的烧结性能及介电特性的影响.结果表明:BCB作为低熔点氧化物烧结助剂,可有效降低所制陶瓷烧结温度,而且可以调节τf近零.当添加质量分数3％的BCB,900℃烧结所制陶瓷的综合微波介电性...     

压电家族新成员Li2B4O7晶体

四硼酸锂晶体是近年来发展起来的一种新型压电材料，在声表面波器件等方面有着广阔的应用前景。本文介绍了该晶体的性能、生长及其在器件上的应用，简要讨论了目前国内外的研究进展，展望了ＬＢＯ晶体与器件的前景。     

纳米Mg-Al2O3和MgO-Al2O3混合粉末的制备

运用机械合金化方法,对Mg和MgO与Al2O3混合粉末进行球磨后得到了粒度分布均匀的球形纳米粉末。Mg和MgO的加入对混合粉的纳米化过程有不同的影响,MgO的加入有利于混合粉的纳米化。同时过程控制剂乙醇的加入不仅有利于混合粉的纳米化过程,而且有利于纳米粉末的分散。球磨得到的纳米混合粉的差动扫描量热(DSC)分析结果表明,球磨后的纳米粉有较好的热稳定性。     

AlN/SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3低温共烧玻璃陶瓷

制备了SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃,并且与AlN液相烧结得到低温共烧玻璃陶瓷。分析了样品的相结构、形貌、介电常数、介质损耗、热导率和热膨胀系数等性能。结果表明:AlN与SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃在950℃能够很好地烧结。该陶瓷的性能取决于烧结体的致密度和玻璃含量,当w(玻璃)为40%~60%时,陶瓷具有较低的ε(r3.5~4.8)和tanδ[(0.13~0.48)×10–2]、较高的λ[5.1~9.3 W/(m.K)]以及与Si相接近的αl[(2.6~2.8)×10–6.K–1],适用于低温共烧基板材料。     

AIN／SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3低温共烧玻璃陶瓷

制备了SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃,并且与AlN液相烧结得到低温共烧玻璃陶瓷.分析了样品的相结构、形貌、介电常数、介质损耗、热导率和热膨胀系数等性能.结果表明AlN与SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃在950℃能够很好地烧结.该陶瓷的性能取决于烧结体的致密度和玻璃含量,当w(玻璃)为40%～60%时,陶瓷具有较低的εr(3.5～4.8)和tan δ[(0.13～0.48)×10-2]、较高的λ[5.1～9.3 W/(m·K)]以及与Si相接近的αl(2.6～2.8)×1-6·K-1],适用于低温共烧基板材料.     

高非线性Bi2O3-GeO2-Ga2O3光子晶体光纤性能研究

高非线性光子晶体光纤具有小纤芯、大折射率对比度的特点,采用Bi-Ge-Ga多组分激光玻璃材料作为纤芯材料设计了特殊结构的高非线性光子晶体光纤.运用全矢量有限元法结合完美边界条件,得出该光子晶体光纤在波长为1.55 μm、1.80 μm处的双折射系数分别为2.89×10-2与3.28×10-2.色散曲线表明,结构参数M=...     

Enhanced formaldehyde-sensing properties of mixed Fe2O3–In2O3 nanotubes

Pure In₂O₃ and mixed Fe₂O₃–In₂O₃ nanotubes were prepared by simple electrospinning and subsequent calcination. The as-prepared nanotubes were characterized by scanning electron microscopy, powder X-ray diffraction, and energy-dispersive X-ray spectrometry. Gas sensors were fabricated to investigate the gas-sensing properties of In₂O₃ and Fe₂O₃–In₂O₃ nanotubes. Compared to pure In₂O₃, Fe₂O₃–In₂O₃ nanotubes exhibited better gas-sensing properties for formaldehyde at 250 °C. The response of the Fe₂O₃–In₂O₃ nanotube gas sensor to 100 ppm formaldehyde was approximately 33, which is approximately double the response of the pure In₂O₃ nanotube gas sensor. In both cases the response time was ~5 s and the recovery time was ~25 s.     

电子束共蒸发Al2O3-La2O3和ZrO2-Ta2O5复合薄膜的介电性能研究

Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3（ALO）和ZrO2-Ta2O5（ZTO）复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0．013V和0．56V,击穿场强分别为128MV／m和175MV／m,在50MV／m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3．1×10-5／cm2和4．1×10-5A／cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3．9×10-5／cm2和3．7×10-5A／cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。     

Sol—Gel法制备Li2B4O7薄膜

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在以单晶Ｓｉ（１１１）为基底材料上制备出了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７薄膜，对其工艺过程进行了研究，讨论了主要控制参数的作用。     

在Sc2O3分散型氧化物阴极中Sc2O3性能的研究

高亮度ＣＲＴ对高电流密度新型阴极的开发提出了迫切的要点，虽然Ｈａｓｋｅｒ和Ｙａｍａｍｏｔｏ已经报道过具有Ｗ和Ｓｃ２ｏ３表面 的新型浸渍式阴极，但是这种阴极的工作温度仍然高于普通氧化物阴极。     

Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响

研究了Sb2O3和In2O3对ZnO压敏电阻器性能的影响，适当添Sb2O3和In2O3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能，使其击穿电场强度达326V／mm，漏电流小于1μA，非线性系数α值达107，通流量高达4kA/cm^2。