封闭式CMOS集成电路

CMOS集成电路具有功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压范围宽的优点。因些自六十年代问世以来,发展迅速,目前已广泛地应用于各类基本电路,手表,存贮器和微处理机。但是由于CMOSS集成电路中必须采有重参杂的扩散条将各元件包围起来。这样就增大了电子的无沅区面积。集成是目前CMOS集成电路的一个主要缺点。估计NMOS,PMOS,TTL (LSI),CMOS和TTL(MSI)的单门面积此的为1:1:2:4:10:10。从近几年的发展来看,大规模集成电路的单片（应数/）大约每年提高一倍,但是CMOSR单片容量总是只有同期NMOS的四分之一。例如1976年NMOS动态RAM生产水平已达16位。     

硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究

详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响，结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主要来自于电离辐射引起的场区边缘寄生漏电，提出了分析场区边缘寄生漏电对器件辐射性能影响的等效电路。     

硅栅CMOS门阵列设计

介绍CMOS门阵列的基本结构和设计方法.设计了门阵列的四管和六管两种阵列单元以及输入/输出的I/O单元结构.说明提高CMOS门阵列IC速度的设计和布线,介绍CMOS门陈列的布线方法,建立各种“与非门”、“或非门”和多种触发器、译码器、暂存器等多种基本电路的接触孔和Al连线的宏单元“Macro Cell”的数据库.最后设计并试制成功400门64引出线和300门48引出线,两种CMOS门阵列集成电路,获得设计试制一次成功.缩短了设计周期、降低掩模版的设计和制造成本,提高设计效率和可靠性.     

硅栅CMOS倒阱工艺研究

我们从八十年代中期研究的一种倒阱工艺,采用高能注阱,使杂质峰位于阱内,形成载流子减速场,有利于克服常规工艺的自锁效应。阱深可由6～7μm降为2μm左右,能克服常规工艺的许多局限性,工艺简单,省掉高温推阱工艺,有利于大圆片低温工艺实现。     

硅栅CMOS磁敏器件的研制

本文用标准硅栅CMOS工艺研制了CMOS磁敏器件,用霍尔角解释了器件工作原理,所提出的理论与实验结果相符合。在此基础上给出了高灵敏度器件的几何结构,并提出了实际应用CMOS磁敏器件的设计方案。     

CMOS集成电路/大规模集成电路

CMOS电路作为低功耗和高速度的最在武器来说,近年来已生台式计算机、钟表、存储器、电子计测器、电视综合器等各领域取得了显著的进展。 台式计算机的CMOS化是从1971年试制三片C~2MOS大规模集成电路组成的台式计算机开始,到1972年2片台式计算机就商品化了。其后只要处加电压就能显示,到场效应型的液晶商品化C~2MOS就成为压倒的产品,现在也出现用2只氧化银电池连够连续使用2000小时的袖珍型台式计算机,博得了好评。同时还研制单片集成1万几千个元件的函数台式计算机,和有钟表的台式计算机,这就迎来了发展C~2MOS台式计算机多样化的时代。     

5微米低压高速硅栅CMOS IC技术

本文阐述了电源电压为5伏、沟道长度为5微米的高速硅栅CMOS IC技术。分析了提高速度的途径,介绍了高速门电路和双D触发器电路型式的选择,描述了版图设计的特点.最后给出了几种电路的交直流参数。 一、前言 CMOS IC问世以来,以其静态功耗低、输入阻抗高、输出幅度大、抗干扰能力强、电源电压应用范围和工作温度宽等独特的优点,深受人们的重视,发展异常迅速。过去LSI的主流技术——NMOS因其功耗和噪声容限已达极限,而CMOS电路以其特有的低功耗、高     

5微米全掺磷硅栅CMOS工艺

本文报道了5微米全掺磷硅栅CMOSIC封闭栅结构和封闭——条状混合栅结构的工艺技术.已于1983年研制成功了电源电压为5伏,门电路延迟时间为8～15毫微秒,双D触发器最高时钟频率达31兆赫的低压高速电路.本工艺技术适用于目前国内多数集成电路生产工厂的工艺水平,提供了提高CMOS电路速度的有效途径.     

适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOSFET的阈值模拟

本文提出了一种简单的模型来描述增强型MOS场效应晶体管的阈值和弱反型工作。对照两维数字模拟对这种模型进行了检查,得到了晶体管特性的准确描述。这种模型具有电流和电导的连续性,适合于低电压低功耗CMOS集成电路的计算机辅助设计。     

高低压CMOS复合集成电路

日本某公司研制成能将700伏耐压的MOS晶体管与低压控制用CMOS电路高密度地集成在一个芯片上的MOS集成电路新技术.为了从本质上消除MOS晶体管的寄生双向效应,采用了屏蔽源极的新结构(见图).这种结构把起寄生双向发射体作用的源极     

CMOS集成电路使用注意事项

数字集成电路可分为TTL和MOS电路(目前以CMOS为主)。TTL以高速度见长,MOS电路则以低功耗著称。高速CMOS是CMOS的第二代产品,同时有低功耗的特点,因此得到了广泛应用。本文介绍CMOS集成电路在使用过程中的几点注意事项。一、使用之前认真阅读产品说明书或有关资料,了解管脚分布情况及其极限参数。     

CMOS集成电路工艺设计

一、引言 工艺问题是MOS集成电路（以下简称MOSIC)CMOSIC的关现问题。这里包括二方器的问题,一是工艺参数,材料参数的正确高计,二是工艺条件和方法的稳定,可控,以保证上述工艺参数的实现和稳定。正确的工艺设计建立在目前工艺水平基础之上,过来又纶工艺条件的控制来方便,可以二者是紧密相关的。 本文着重讨论CMOSIC的工艺设计问题,即从CMOSIC的应用条件（如电源电压VOD),由参数指标（如噪工作频fmax等）出发,确事实上的于开启电压VT（坊）开启电压VTF,沅漏击穿电压BVDS以及分布电阻,分布电容等参数的要求,从影响各参数的诸工艺因素的盾分析中,确定材料参数,（如栅电极材料,栅介质材料,S,底材料等）及各工艺参数（如各次氧层厚度,各次扩散结深,化层厚度,表面电控制等）以期实现CMOSICR 的突击特点。即真正的微功耗,较高的速度,较高的容,并保证良好的成率,此外它还为决CMOSIC的突击问题——提高集成度指明方向。工艺设计的中心问题是CMOS的两种沟栅开启电压V_T和厚膜开启电压V_(TF)的控制。我们首先讨论这向问题。     

CMOS集成电路电子报警器

本文介绍了用二输入端四或非门集成电路 TC4001和大规模 CMOS 四声模拟集成电路 KD9561制作的一种电子报警器。     

硅栅CMOS电路的阀值电压及其控制

一、引言CMOS电路是将P沟道及N沟道两个极性相反的MOS管做在一块电路中,称为互补MOS电路,它不仅速度高,且静态功耗极低,因为在它的工作状态中总有一个管子处于截止,这就是CMOS电路被用于手表电路的主要原因。但是CMOS电路比较P MOS或N MOS电路工艺要复杂,特别是用于手表电路中时,工作电压要求在小于1.5伏,这就要求CMOS电路的P沟道阀值电压V_(TP)和N沟MOS管的阀值电压V_(TN)之和即V_(TP)+V_(TN)     

单层布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar

本文介绍了开发完成并实用化的单层铝布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar.并从应用的角度,介绍 galstar系统的特点.