Nd(Fe,Si)_(11)C_(1.5)永磁合金的中子与X射线衍射研究

用中子衍射和X射线衍射技术对配比成分为NdFe10 .5Si1.5C1.5的永磁合金样品的晶体结构和磁结构进行了研究。测定其为四方的BaCd11型结构 ,Si元素择优占据 8d替代晶位 ,C原子进入间隙的 8c晶位。中子衍射结果表明其磁结构为易面结构     

Nd（Fe,Si）11C1．5永磁合金的中子与X射线衍射研究

用中子衍射和X射线衍射技术对配比成分为NdF10.5Si1.5C1.5的永磁合金样品的晶体结构和磁结构进行了研究。测定其为四方的BaCd11型结构,Si元素择优占据8d替代晶位,C原子进入间隙的8c晶位。中子衍射结果表明其磁结构为易面结构。     

Mn/6H-SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究

本文利用同步辐射光电子能谱（SRPES）和X射线光电子能谱（XPS）对金属Mn在6H—SiC（0001）表面的生长模式和Mn／6H-SiC（0001）界面进行了研究。实验结果表明,常温下金属Mn在6H—SiC（0001）表面上表现为二维层状生长模式。随着金属Mn沉积膜厚的增加,样品表面金属性明显增强。沉积过程中,金属Mn并未与SiC衬底发生反应,界面间由于能带弯曲导致费米能级向下移动,并计算出肖特基势垒高度（SBH）大约为1．79eV。当沉积膜厚达到2nm后,样品于250℃退火导致金属Mn向衬底扩散,但未与衬底发生反应。样品于500℃退火后界面间形成Mn的硅化物。     

纳米复合永磁合金Nd9Fe85-xMnxB6的结构和磁性

利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)技术对淬火速度为20m／s的退火和未退火Nd9Fe85-xMnxB6(x=0，0．5和1．0)样品分别进行了晶体结构和Fe原子局域环境的分析，并用振动样品磁强计分析了样品的磁性。结果表明：退火前，掺杂微量Mn原子对纳米复合Nd-Fe-B磁性材料的晶体结构和近邻配位无序度都有显著影响，随着Mn含量的增加，Nd2Fe14B硬磁相和α-Fe软磁相的结晶度明显增加；在温度为973K、5min退火后，Nd9Fe85-xMnxB6(x=0，0．5和1．0)磁体的主相结构基本相同，但矫顽力由339kA／m增加到398kA／m,我们认为这是由于掺杂的Mn原子影响Nd2Fe14B和α-Fe颗粒晶界的交换耦合作用所致。     

在Si中In的热退火现象的扰动角关联研究

文章采用时间微分扰动角关联方法细致地研究了核反应反冲注入到Si中的In的热退火现象。反冲注入后约70%的In处在高密度辐射损伤晶格无序区,随退火温度升高,晶格无序区逐渐缩小,经600℃退火后消失。但是实验发现,经798℃退火后,只有55%的In原子位于无扰动晶格替代位置,尚有45%的In原子仍处于扰动位置。文中对可能的扰动原因进行了讨论。     

同步辐射X射线驻波实验技术研究半导体超薄异质外延层

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0．13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。     

砷注入硅背散射沟道研究

我们对能量从40keV～150keV,剂量从1×10~(15)离子/cm~2～1×10~(16)离子/cm~2砷离子注入〈111〉单晶硅,进行了H~+和He~+背散射沟道测量。样品经600℃、700℃、825℃热退火后,都未能满意地消除损伤,而经红宝石脉冲激光退火之后,能满意地消除损伤。对40keV剂量为1×10~(16)离子/cm~(275)As~+注入的硅样品,分别进行900℃、30分钟热退火和红宝石脉冲激光退火,而后分别测量了〈111〉轴向和〈110〉轴向背散射沟道谱,砷原子的替位率分别为90％和95％以上,同时对两种退火方式的样品,测量了〈111〉轴向的角分布,观察到在热退火情况下,杂质砷原子的角分布有变窄的现象,大约窄0.2°;脉冲激光退火杂质砷原子的角分布与硅原子的角分布重合得相当好。我们又在连续打七个激光脉冲的斑点上测量了表面砷原子浓度的横向分布,其形状近似于高斯分布。     

40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究

室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关.     

YFe10Si2晶体结构和磁结构中子衍射研究

在室温下利用中子粉末衍射方法研究了名义成分为YFe10Si2金属间化合物的晶体结构和磁结构.采用Rietveld方法对衍射曲线进行拟合,结果表明样品由ThMn12型YFe10.2Si1.8和α-Fe(Si)两相组成.在YFe10.2Si1.8中大部分Si原子占据8f晶位,其余进入8j晶位,Si原子不进入8i晶位.     

充氚不锈钢中氦行为的PAL和TEM研究

对充氚和未充氚的抗氢-2(HR-2)不锈钢样品进行退火处理,利用正电子湮没寿命谱(PAL)以及透射电镜(TEM)等技术探讨不锈钢中氦和微缺陷的相互作用。未充氚样品中,退火温度对缺陷态的影响主要表现为偏聚物在晶界的析出。充氚样品实验中,退火温度小于300℃时,充氚不锈钢中的He原子主要通过自捕获机制在晶内缺陷处聚集成泡;热处理温度为300～600℃时,充氚不锈钢中的He原子主要通过热迁移的方式迁移至晶界导致晶界宽化,但晶界处无明显的He泡形成;热处理温度大于600℃时,热平衡空位开始发挥作用,与聚集在晶内缺陷处的He原子结合形成He泡,且随退火温度的升高,He泡有明显聚合长大的现象。