评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究

对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究.使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺.实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估.     

镀锌板激光焊接工艺及锌行为研究

进行了镀锌板激光焊接工艺研究,讨论了激光焊接过程中锌的气化蒸发对等离子体形成的影响.结果表明,光束模式与等离子体控制是影响焊接质量的重要因素.使用合适的焊接工艺,可获得成型良好、无缺陷且性能与母材相当的接头.     

宇航用三维PoP存储器模块功能异常分析及改进

针对近年来在星用固存上广泛使用的三维PoP(Package on Package)存储器的各种失效模式,结合宇航用电子元器件考核要求严苛、应用环境复杂等特点,从组装制造工艺缺陷、安装使用过程中方法不当等方面进行分析,论述可能导致的模块故障模式.从产生机理进行研究,分析了模块制造过程中的灌封工艺、表面金属化工艺等对最终产...     

固体钽电容的使用可靠性

介绍了固体钽电容在使用中的几种典型失效模式;研究了混合模块电路中如何从设计上进行恰当的可靠性设计,以及如何在工艺加工中进行有效的过程控制和使用中的注意事项.     

印制电路组件三防涂覆工艺研究

对于特殊环境条件下使用的电子产品,三防涂覆可以对印制电路组件进行有效的防护.针对C型聚对二甲苯气相真空沉积涂覆技术,通过印制电路组件三防涂覆工艺研究及测试,验证了涂覆后的绝缘、耐压电性能等指标.结合印制电路组件涂覆后的返修,经过实验对比,确定了去涂覆的工艺方法.     

提高低功耗电流源阵列中电流匹配精度的研究

针对低功耗阵列中电流型D/A转换器的电流匹配精度进行研究.通过模拟校准技术和高精度RGC电流镜的使用,减小了阵列中工艺参数、温度、电学特性等因素的差异对电流匹配精度的影响.在Chartered 0.35μm工艺下,利用Hspice进行仿真.结果表明,在10 nA到1μA电流范围内,系统匹配精度大于96.5％,静态功耗低...     

市场要闻

无铅丝网印刷研究建议未来的网板应使用更多的镍丝网印刷网板的镍含量是向无铅组装工艺过渡的良好指数--这是DEK公司最近针对新一代无铅焊膏丝网印刷性能进行研究所得的结果。这项最新的研究调查了网板材料和制造工艺对于胶点重复精度、焊盘上焊膏对位性能及工艺窗口的影响,研究的详细结果可向DEK特别索取或通过www.dek.com网站获得。这项研究比较了采用几种材料和制造工艺制成的网板性能,网板可与具有多项现代组装常用焊盘尺寸和形状的测试PCB相匹配。结果显示,纯镍网板的胶点重复精度接近90%,而电铸工艺只略占优势。使用电铸纯镍网板…     

发射机高压电容绝缘防护工艺对比

为保证发射机高压电源在各种气象条件下都能正常工作,需对其电路中的高压电容进行涂覆防护.高压电容使用醇酸清漆涂覆工艺,因其操作方法较为繁琐,并且不符合环保要求,需使用新的涂覆工艺.介绍了聚对二甲苯真空涂覆的特点,并和用醇酸清漆涂覆的高压电容进行了对比试验,并全面比较了两种涂覆工艺方法,从而确定了聚对二甲苯真空涂覆工艺的可行性.     

硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发.     

LTCC生瓷带的环境、工艺与材料适应性要求研讨

根据应用场合与特点,研究提出了LTCC生瓷带对使用环境、工艺与材料的适应性要求,包括应具有优良的表面质量、稳定的生片尺寸、合适的揭膜特性、较高的抗拉强度,以及适用于基本的LTCC落片、打孔、填孔、网印、叠片、层压、切片、共烧工艺及其配套的浆料.结合用户的工艺与测试平台条件,研究讨论了对相关适应性进行检测和评价的步骤与方...