高亮度发光二极管开辟新的照明市场

自1968年开发研究出第一个商用可见光发光二极管(LED)以来，LED技术经历了一系列的发展和变革。在其发展进程的前25年，适于制造LED的材料主要包括GaP和GaAsP，这两种材料的发光效率都很低，故LED只能用作低亮度指示灯和字母数字显示器。此外，LED的光谱范围限于黄绿、橙和红光几种波长。     

发光二极管(LED)在照明市场中的光明前景制约LED在普通照明领域被接受的几个因素

尽管发光二极管将逐渐地成为明天的普通照明光源,但仍存在一些制约其被市场接受的因素.可以预见,被市场接受的速度是多方面的,主要原因是LED并非是能一对一地去替换常用的光源.这是因为人们不仅要求LED应成为具有高发光效率和使用寿命长的光源,而且还应该具有宽范围的真实颜色复现功能和合适的色温.     

跨入新世纪的绿色照明工程

本文简单地介绍了我国绿色照明工程的进展。主要介绍了跨入21世纪的新光源和新灯具。这些光源和灯具具有高效、节能的特性。并指出绿约照明工程中要解决的几个问题。     

未来照明发光二极管

据莫斯科国立罗蒙诺索夫大学阿．艾．尤诺维奇报导，七年以前，俄刊《照明技术》杂志公布了作者关于新一代氮化镓及其固溶体高效发光二极管性质评述的文章。文中详细介绍了发光二极管在不同照明技术领域广泛应用的前景。那时觉得未来用发光二极管取代广用白炽     

照明技术的革命

灯炮和日光灯管在不久的将来将被淘汰，取而代之的是能够改变我们照亮世界方式的固态光源。桑迪亚国家实验室的科学家正为更广泛地将半导体发光二极管或固态光源用于包括家庭和办公室照明在内的众多领域而工作。该室高级科学家James Gee说，照明方法的这一重大变革就像电子学中的革命：玻璃灯泡和真空管给半导体让路。固体发光二极管最诱人的是，它的发光能量效率比白炽灯高10倍，是荧光灯的2倍。一个低功率固态发光二极管光源可以使用10万小时，远远超过普通灯泡的使用寿命。发光二极管长期以来都用作电子器件和汽车的指示灯，因为制造白…     

汽车外照明发光二极管

Lumileds和Agilent公司联合推出一系列新型低价位、中等功率发光二极管，主要供汽车外部照明。     

白色发光二极管照明用于节能型路灯

描述了节能型路灯系统及其照明特性。该系统由白色发光二极管、太阳能电池和蓄电池系统构成。由两个发光二极管光源构成的样灯已安装完成,其中每个光源包括700个10cd级的白色发光二极管。白色发光二极管照明系统主要分为控制单元、电源和发光二极管灯三部分,照度一般为801x。当人距离灯约2m之内时,系统内传感器会感知到他的位置。此时照度增加到6601x左右,比白色白炽灯亮约50倍,显色指数约为85,与三基色荧光灯相近,照度分布可根据最近开发的“多源发光二极管灯”的理论进行分析。     

2010年发光二极管将占领照明市场

在未来的5～10年，照明市场将经历一场史无前例的革命。对于普通照明应用而言，预计基于半导体的固体照明灯将首先超过白炽灯，然后超过荧光灯和高强度放电灯，在照明市场赢得更大的市场份额。     

高亮度发光二极管及制造设备

发光二极管（LED）是符合节能、环保的绿色照明光源。它具有亮度高、寿命长和能耗低等特点。高亮度发光二极管（HB—LED）是LED的发展方向。目前它已进入功能性照明领域,正在逐步进入普通照明领域,以替代白炽灯和荧光灯。Osram、Cree公司已研制出1000lm的单芯片HB—LED。目前,HB-LED量产水平的亮度为100lm,发光效率为100lm／W。     

高亮LED驱动芯片HV9931的应用

文中介绍了一款高亮LED驱动芯片HV9931,对HV9931的特点及性能作了详细说明,用Cuk变换器为主电路,以HV9931为控制芯片,设计了一款高亮LED驱动电路,给出了实验结果。该电路能在较宽的输入电压范围内保持输出电流的稳定,实现了LED的可靠照明。     

一种增加LED照明时序彩色投影系统亮度的方法

基于微型投影显示的色域特性和色彩实现机制,提出了一种提高微型投影系统亮度的方法。在基色子帧中引入其它基色,实现基色坐标的变换,再对微型投影系统亮场白平衡,分析并比较系统在绿色基色校正前后的性能。从理论分析了各色LED的最大工作电流、各基色色坐标和白场色坐标对通过基色校正提高亮度效果的影响。将该方法应用于实验室研发的微型投影系统,在保证系统显示性能的同时,亮度有了25.24%的提升。     

复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管

采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0.6Ga0.4As/AlAs复合DBR的LED器件,未封装输出光功率为2.3mW,外量子效率为5.6%,发光效率可达12 lm/W,比常规DBR器件提高了35%.验证了复合DBR与常规DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP红光LED的出光效率.     

复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管

采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0.6Ga0.4As/AlAs复合DBR的LED器件,未封装输出光功率为2.3mW,外量子效率为5.6%,发光效率可达12 lm/W,比常规DBR器件提高了35%.验证了复合DBR与常规DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP红光LED的出光效率.     

LED灯在道路照明中的实际效果测试分析

LED灯由于可预见的广阔市场前景和节能效果,在全国得到了大力推广使用。为验证LED在道路照明应用中的实际照明效果,采用照度一功率密度比指标,对已有道路进行了实际测试,并对测试结果进行了分析。     

对大功率LED车灯芯片结温部分关键影响因素的研究

针对LED车灯芯片照明过程中结温过高的问题,文中对影响芯片结温高低的两种关键因素:LED车灯芯片内部发光源间距和芯片排布间距进行研究,以求有效降低芯片结温。通过ANSYS Workbench16.0软件进行芯片热仿真模拟,随后利用恒温测试平台对仿真结果可靠性进行了验证。验证结果表明,合理设置LED车灯芯片内部发光源之间的间距能有效降低芯片结温,最高可降低8.249 ℃;同时,适当增加LED车灯芯片之间排布间距亦可有效降低结温0.5 ℃。     

涡轮LP-MOCVD研制高亮度红光发光二极管

采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外延片解理成 30 0 μm× 30 0 μm管芯后 ,在 2 0mA的电流注入情况下 ,得到的发光波长峰值 6 48nm ,平均亮度 38.9mcd ,最高亮度达到4 9.8mcd ,封装成发射角为 15°的LED灯 ,平均亮度达到 2 0 0 0mcd。     

New High Efficiency LED Lighting Solution

As the quality of power LED improves and the cost of power LED reduces, semiconductor lighting will replace incandescent and fluorescent lighting gradually, causing another revolution on the lighting history. And its driving solution has been greatly accelerated. Based on the white power LED I-V characteristics and the application ambiance, proposed is a new LED lighting solution, suiting indoor and outdoor illumination. According to the test results, the design is optimized, and the electrical efficiency is 95% and the output current deviation is 13.0%.     

LED光源在照明中的应用

LED是21世纪令人瞩目的光源,具有广阔的照明前景。首先对LED光源的原理、发展概况、特点等做了介绍,然后重点阐述其在照明领域的应用及发展趋势,最后说明了LED在路面照明中的应用并做了总结展望。     

关于LED新发展的探讨

LED作为第四代光源,是目前公认的"绿色光源".该文结合LED光源的基本发光原理、主要优点,说明其在照明、显示、背光等领域的应用及发展.此外,该文也指出了LED光源在应用中的不足之处,最后对LED的现状和前景进行了总结和展望.