一种小型超低相噪恒温晶振的设计

该文分析了晶振超低相噪设计方法及影响因素,重点阐述了有载品质因数(Q)值、电路结构等对相噪的影响,并基于改进型的巴特勒振荡电路在小体积下进行了超低相噪恒温晶振的设计,对其主振电路、放大电路、稳压电路等进行了概要的分析。该文研制的100 MHz小型超低相噪恒温晶振体积达到20mm×20mm×10mm,相噪指标最优达到-168dBc/Hz@1kHz,达到了预期的研制目标。     

小型抗振晶体振荡器设计

在现代通信系统中,晶体振荡器的振动性能变得越发重要。文中讨论了振动状态下晶体振荡器的相位噪声性能,并通过采用微型减振器,设计了一种小型抗振晶体振荡器,从而提高晶体振荡器在振动状态下的相位噪声性能。测试结果显示,小型抗振晶体振荡器在振动状态下相位噪声达到-147 dBc/Hz@1 kHz,而相位噪声性能的优化可达40 dB。     

高抗振X波段低相噪频率合成器

介绍了一个X波段频率合成器的设计,该频率合成器通过采用混频锁相环的方式实现,本振锁相环输出8 GHz的信号,作为混频器的本振信号,混频环最终输出信号为8.5~9.0 GHz,输出静态相位噪声为-93 dBc/Hz@1 kHz offset。此外,还研制了一种小型化的隔振器来降低振动对晶振的影响,对环路也采取了相应的减振措施,提高了该合成器在振动下的相位噪声,振动环境下相位噪声为-90 dBc/Hz@1 kHz offset。     

低相噪恒温晶体振荡器的研制

介绍了频率为50MHz的低相噪恒温晶振的设计方法,分析了影响晶体振荡器相位噪声的主要因素,同时给出了研制产品的测试结果。     

优良短期稳定度10 MHz恒温晶振研制

分析了恒温晶振工作原理的基础上,提出了改善恒温晶振短期稳定度的方法。通过开展低噪声主振电路设计、高精度控温电路设计、精密双层恒温槽设计及合理选用关键元器件等具体措施,研制出具有优良短期稳定度的10 MHz恒温晶振,并对短期稳定度测试方法进行了研究。通过TSC5115短稳测试仪测试,该10 MHz恒温晶振短期稳定度达到了2×10-13/s,体积为65mm×65mm×35mm。     

一种高精度、低振动相位噪声数补晶振的研制

本文论述了一种高精度、低振动相位噪声数补晶振的研制过程,通过改变补偿方式提高了晶振的精度,并解决了一系列的干扰问题,通过优化设计晶体谐振器、采取减振等几项关键措施有效解决了晶振在振动条件下相位噪声恶化的问题,最终满足了用户的使用要求。     

新型抗振晶体振荡器的分析与设计

在车载和机载电子系统中,晶体振荡器在振动环境下的相位噪声性能发挥着重要作用。文中讨论了振动状态下晶体振荡器的相位噪声性能。采用双晶体谐振器设计了一种新型抗振晶体振荡器,从而实现了加速度灵敏度补偿。测试结果显示,加速度灵敏度补偿后的新型抗振晶体振荡器,在振动状态下的相位噪声可达-140 dBc/Hz＠1 kHz,性能得到20 dB以上的优化。因此,该方法在减小晶体振荡器的加速度、灵敏度方面均是可行且有效的。     

抗振晶体振荡器相位噪声测试方法的对比研究

目前电子系统都要求对晶体振荡器进行振动状态下相位噪声测试。但对于抗振晶体振荡器,按照常规相位噪声测试方法进行测试时其结果有可能不正常。文中分析了抗振晶体振荡器振动状态下的相位噪声及测试方法,通过对比测试发现,不同的测试系统其测试结果也不相同。通过系统设置和实验验证,解决了测试结果不正常的问题,使测试结果达成一致。     

一种宽温高精度温补晶振的研制

介绍了一种新型宽温微机补偿晶体振荡器。文中使用微处理器对专用集成电路芯片设计了温补晶振,分别在高低温区段对输出频率进行分段补偿;增加了噪声处理电路,滤除补偿电压跳变引入的噪声,避免相噪恶化;用二次分段补偿的方法,将补偿温度范围拓展到-55~+105 ℃。试验结果表明,使用该方法研制的10 MHz温补晶振,其频率温度稳定性在-55~+105 ℃范围内,优于±1.0×10^-6,相位噪声优于-140 dBc/Hz@1 kHz。     

甚高频低位相位噪声压控晶体振荡器研制综述

阐述噪声来源,提出甚高频高稳定低相位噪声压控晶振研制中应注意的一些问题。给出了90MHz、100MHz压控晶振的一些测试结果。     

一种VHF频段具有抗振性能的晶体振荡器的设计

描述了一个100.0 MHz的石英晶体振荡器的设计和性能,提出了一种在振动条件下获得较好相位噪声性能的方法。测试结果表明:在静止状态下,晶体振荡器的相位噪声为:-143.0 dBc/Hz@1 kHz,-156.8 dBc/Hz@10 kHz;在任一方向的随机振动条件下,晶体振荡器的相位噪声优于-137.4 dBC/Hz@1 kHz,-150.9 dBC/Hz@10 kHz。     

一种联合补偿的动态相位噪声优化设计方法

针对晶体振荡器相位噪声指标振动恶化问题设计了一种无源隔振和有源加速度补偿的联合补偿方案。该方案首先采用两级橡胶减震器实现良好的无源隔振,优化了晶振在300 Hz外的动态相位噪声;同时采用有源加速度电补偿方式弥补了无源隔振系统在近端（约220 Hz）谐振问题,优化了10~200 Hz的动态相位噪声。振动试验实测结果表明,该联合补偿法使晶振动态相位噪声指标在偏离载波10~2 000 Hz时均得到了15~35 dB的优化效果。     

一种钽酸锂压控振荡器的设计与实现

该文使用具有低电容比、宽调谐范围的钽酸锂晶体设计了一巴特勒共基低相位噪声压控振荡器,此设计在寻求高有载品质因数QL的同时保持了振荡器的输出功率。使用的钽酸锂晶体的无载品质因数Q0约为1.24×103,其频率为10.727MHz。设计出的巴特勒振荡器QL≈33%Q0,输出功率约为11dBm。不加压控的情况下,实际测得该振荡器的相位噪声结果为-85dBc/Hz@10 Hz和-145dBc/Hz@1kHz。在此基础上,增加一变容二极管作为压控元件设计了钽酸锂压控振荡器,在2~10 V范围内,测得控制电压压控斜率约为86.6×10-6/V,相位噪声测试结果优于-82dBc/Hz@10Hz和-142dBc/Hz@1kHz,实现了具有宽调谐范围的低相位噪声钽酸锂振荡器的设计。     

新型VCOCXO设计

叙述了一种新型的压控恒温晶体振荡器(VCOCXO)的设计方案。在恒温晶体振荡器(OCXO)研究的基础上,通过对芯片的挑选,电路的设计和改进后,研制成温度稳定度小于±5×10-8,频率稳定度达1-0 8数量级,电源电压为 12 V,外形尺寸为35.8 mm×25.7 mm×15 mm的小型高稳晶体振荡器。高度的集成度使电路简化,降低了功耗,提高了器件的可靠性。     

一种小型压控恒温晶体振荡器的设计

简要介绍了一种小型的恒温晶体振荡器,通过对振荡参数的反复试验、修改,提高了振荡器的频率稳定度。提出一种新的设计理念,利用晶体谐振器与电感随温度变化对晶体振荡器频率所产生的不同影响,合理安排晶体振荡器内部的热场,调整晶体谐振器、热敏电阻及振荡参数的热平衡关系,在去掉恒温槽的情况下提高了温度频率特性,且大大缩小了晶体振荡器的体积。     

Wideband Frequency Synthesizer at X/Ku Band by Mixing and Phase Locking of Half Frequency Output of VCO

A wideband low phase noise frequency synthesizer at X/Ku band has been developed by using phase locking and mixing technique at half frequency of voltage controlled oscillator (VCO). The half frequency output signal of the VCO is down converted by a balanced mixer at C band to obtain an intermediate frequency (IF) signal used for phase locking of the VCO. An ultra low phase noise local signal source at 6 GHz is developed with a frequency multiplying chain driven by a 100 MHz oven controlled crystal oscillator (OCXO). Coupling circuit outside the VCO chip to the mixer does not need to be specially designed, which is beneficial to simplify the circuit scheme and improve the phase noise performance. Measurement results show that the phase noise of the output signal at 10.6 GHz to 11.8 GHz and 12.3 GHz to 13.0 GHz is better than −102 dBc/Hz at 10 kHz away form the carrier center. This frequency synthesizer can be used as local signal source or driving source for the development of wideband millimeter-wave frequency synthesizer systems.