晶片双面磨抛压力控制系统的研究

晶片双面磨抛设备主要用于双面磨抛晶片,其压力控制的精度、速度以及稳定性是影响晶片磨抛质量和磨抛效率的关键性指标,为了满足双面磨抛设备对压力的控制要求,设计了闭环压力控制系统,通过动态调整控制参数实现了对压力的精确控制.     

碲锌镉晶片双面磨抛加工表面损伤层研究

介绍了碲锌镉晶片双面磨抛机的工艺过程和原理,研究了双面磨抛工艺中磨抛液粒度、抛光压力、抛光液流量和工作台转速对晶片表面损伤层深度的影响.     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率，在分析双抛工艺过程基础上，采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-I型新型纳米抛光液，在双垫双抛机台上进行抛光实验. 抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征. 结果表明：与进口抛光液Nalco2350相比，SIMIT8030-I型抛光液不仅提高抛光速率40% (14μm/h vs 10μm/h) ；而且表面平坦性TTV和TIR得到改善；表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm，即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

压电超声辅助研磨抛光技术研究进展

研磨抛光是机械加工领域中精密光整加工的重要手段。在传统研磨抛光中,特别是对硬脆性材料进行研磨抛光时,存在高硬度、低断裂韧性和化学性质稳定等特点,对其进行研磨抛光时很难获得理想的加工效率和优越的表面质量等问题。压电超声辅助研磨抛光属于振动研磨技术的一种,它将超声振动磨削技术应用于研磨加工,其高频振动能有效减小研磨力,提高加工效率,可充分发挥硬研磨工艺特点。该文结合压电超声辅助研磨抛光特性和研究方法现状,对国内外超声辅助研磨抛光硬脆材料的发展动态进行了综述与展望。     

高稀释倍数碱性铜精抛液在Cu CMP中的应用

采用自制的不含常用的腐蚀抑制剂(BTA)碱性铜精抛液对铜和钽进行了化学机械抛光。研究了高稀释倍数(50倍)的精抛液对铜膜的静态腐蚀速率和抛光速率以及钽抛光速率的影响,并对65 nm技术节点的300 mm单层铜布线片进行了平坦化研究。结果表明,铜膜的静态腐蚀速率为1.5 nm/min,动态抛光速率为206.9 nm/min,阻挡层Ta/TaN抛光速率仅为0.4 nm/min,Cu/Ta选择比高。此精抛液能够有效去除残余铜,进一步过抛完全去除残余铜时,对阻挡层的去除速率趋于0,而沟槽里的铜布线去除量低,碟形坑和蚀坑大小满足实际平坦化要求。此精抛液可满足65 nm技术节点平坦化的要求。     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

硅晶片双面超精密化学机械抛光

为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.     

圆片级封装的新颖对准技术

对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。     

大长度高精度侧面研磨光纤关键技术及应用

自主研制了光纤轴向研磨厚度精确控制装置和电弧放电光纤研磨截面高精度抛光装置.通过高精度压电陶瓷PZT调节光纤侧面的研磨厚度,研磨精度达0.01 μm.通过定位传感器控制光纤的研磨长度,可实现长度大于100 mm的光纤侧面研磨.采用低热膨胀系数微晶玻璃作为研磨块.大大降低研磨损耗.微晶玻璃上刻制多个V型槽,可实现多光纤同时轴向研磨,极大地提高了光纤研磨效率.利用电弧放电所产生的高温将研磨光纤的表面进行熔化,从而有效消除研磨光纤表面的粗糙度,抑制微裂纹或凹坑造成的较大损耗.利用上述装置,可精确控制光纤侧面研磨厚度,为高精度双折射可控保偏光纤光栅、基于光纤光栅辅助耦合波分复用(WDM)下话路器等光器件的研究奠定了基础.     

全保偏光纤迈克尔逊干涉仪

报道了全保偏光纤迈克尔逊干涉仪的研究结果.实验中采用熊猫保偏光纤、磨抛型保偏光纤偏振器(消光比为35dB.损耗相似文献   

不同反射率双面太阳电池背面综合转换效率差异性研究

双面太阳电池是指硅片的正面和反面都可以接受光照并产生光生电压和电流的太阳电池,由于受到结构等各种因素的影响,目前还没有完善的测试方案用于双面太阳电池的完整测试。基于太阳能仿真环境PC1D,采用控制变量的方法来测定电池背面反射率对双面太阳电池综合转换效能的影响,研究了双面电池在不同背面受光条件下的测试结果,得出电池背面背景反射率增大时,双面太阳电池的综合转换效能的变化规律;确定了双面电池合理的测试条件,给出了双面电池科学的测试方案。结论对双面太阳电池的测试和应用具有重要意义。     

基于Lamb波的材料小范围损伤检测研究

Lamb波在材料损伤检测方面的应用已相当成熟,对于损伤性质以及损伤位置的分析都是通过传感器接收到的损伤信号来判断的。但是实际检测中我们不可避免的会碰到小范围、近距离损伤探测,这时候无法做到合理的传感器布设来消除混叠信号。本文基于压电陶瓷,通过Lamb波激励模式优化,研究小范围、近距离的材料损伤检测。实验结果表明,在小范围、近距离的损伤检测中,运用双面激励方式比单面激励方式的效果好,精确度高。     

300mm硅片化学机械抛光技术分析

化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术.对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.     

Double-Side Si Photoelectrode Enabled by Chemical Passivation for Photoelectrochemical Hydrogen and Oxygen Evolution Reactions

This paper describes a Si photoelectrode with an ultra-long minority carrier diffusion length (1940 µm) passivated by an amorphous Si layer, which provides a chemically passivated surface. With this extremely long carrier diffusion length, it is possible to separate the catalyst layer (metal) with the light absorption region on different sides of the Si photoelectrode, forming a double-side Si photoelectrode for photoelectrochemical water reduction and oxidation. The obtained photocathode exhibits a photocurrent of 39 mA cm⁻² and applied bias photon-to-current efficiencies (ABPE) of 15.4% with stability up to 100 h. Meanwhile, 38.5 mA cm⁻² photocurrent and ABPE of 5.8% with a 200 h stability are achieved when this structure is used as a photoanode. A monolithic unbiased artificial leaf is constructed, yielding an unbiased solar to hydrogen conversion efficiency of 3.7%. This chemically passivated Si photoelectrode breaks the trade-off between carrier transport and surface passivation in conventional Si photoelectrodes.     

基于自抗扰技术的DFIG网侧换流器直接功率控制策略探究

针对双馈型风力发电机中网侧变换器,在分析其数学模型的基础上,采用基于自抗扰控制的直接功率控制策略对网侧变换器进行控制。并且利用Matlab/Simulink软件对设计的控制器进行仿真,仿真结果显示,该控制策略能够保证直流母线电压稳定,网侧功率因数为1,当系统发生扰动时,该控制策略较传统PI控制具有更强的鲁棒性,控制效果理想。     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

A low-voltage ultra-wideband down-conversion mixer with improved power conversion gain

This article presents a wideband mixer using a TSMC 0.18?µm complementary metal-oxide semiconductor technology process for ultra-wideband (UWB) system applications. The measured 3-dB radio frequency (RF) bandwidth is from 3 to 8.4?GHz with an intermediate frequency of 10?MHz. The measurement results of the proposed mixer achieve 8.1?dB average power conversion gain ?5?dBm input third-order intercept point (IIP3) at 7.4?GHz and 12.4–13.3?dB double side band noise figure. The total dc power consumption of this mixer including output buffers is 3.18?mW from a 1?V supply voltage. The output current buffer consumption is about 2.26?mW with an excellent local oscillator-RF isolation of up to 40?dB at 5?GHz. The article presents a mixer topology that is greatly suitable for low-power operation in UWB system applications.     

ROF系统中的色散分析及抑制

ROF（RadioOverFiber）系统中光纤的色散是影响系统性能最主要的因素。传统的光载波双边带调制会引起严重的色散问题。光学单边带调制（OSSB）是最普遍的的方法，SSB能有效地抑制色散带来的能量损耗，并延长信号的传输距离。另外提出了一种改进的SSB调制方法，能够克服载波和边带引起的色散，传输距离也比普通的单边带调制更长。     

超外差接收机的噪声系数

分别讨论了在理想假设和实际情况下超外产左接收机的双边带噪声系数和单边带噪声系数,给出了单边带接收机的某些设计方案。