基于ADS的射频低噪声放大器设计与仿真

提出了一种改善射频低噪声放大器性能的设计方法。分析了射频低噪声放大器的特性,给出了匹配网络的结构和提高综合性能的设计方法。基于ADS对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真,仿真结果表明,输入和输出匹配网络有等效增益,所提出的设计方法能有效分配性能指标,可为射频低噪声放大器设计提供参考。     

一款用于超宽带接收系统的3 GHz-5 GHz低噪声放大器

设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.     

基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”通过鉴定

“微波宽带低噪声高增益场效应放大器优化设计研究”通过鉴定微波宽带低噪声高增益场效应晶体管放大器是雷达、通信和电子对抗等电子系统中关键的微波前端，有广泛的军用和民用价值。我校八系陈开周教授最近完成并通过鉴定的电科院军事电子预研基金项目“微波宽带低噪声高...     

400MHz～2.4GHz宽带低噪声放大器设计

采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。     

LNA匹配网络设计与仿真

在低噪声放大器的设计过程中,匹配网络的设计是关键的组成部分,它直接影响低噪声放大器的性能。在分析放大器的稳定性、噪声系数及增益的基础上,提出了利用射频仿真软件进行仿真设计的思路,并就改善仿真设计的产品性能上提出了具体的办法,可以达到较好的实用效果,节约了设计周期,并保证了性能稳定等要求。     

运用串联反馈技术设计S波段低噪声放大器

介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理，阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中，使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化，仿真结果是低噪声放大器在2．44GHz的工作频率下，增益G＞11dB，噪声系数NF＜1．3．     

具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法

针对实际产品中ESD保护产生的寄生效应对低噪声放大器噪声性能的影响,通过详细的理论分析,提出了一种具有ESD保护的低噪声放大器的噪声优化方法,并给出了具体的设计公式。采用该优化方法设计的低噪声放大器可以接近或等于单个晶体管的最小噪声系数。在0.25μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明设计的低噪声放大器可以在不同的功耗下接近最小噪声系数,从而验证了提出的噪声优化方法的有效性。     

X波段低噪声放大器的仿真与设计

仿真设计了一款 X 波段低噪声放大器（ LNA ）,选用 NEC 公司的高电子迁移率晶体管NE3210S01,直流偏置电路采用双电源供电,采用低阻抗特性的扇形微带短截线代替旁路电容和3λ／4高阻抗线阻止射频信号对直流的影响,用源极负反馈的方法增加稳定性,并采用微带线耦合的方式达到隔直流的效果,借助 ADS软件进行设计、仿真和优化。仿真结果显示,放大器在9．5 GHz 10．5 GHz频率范围内增益为（24．2±0．5） dB,噪声系数小于0．8 dB,输入、输出驻波比均小于1．5,结果显示该款低噪声放大器适用于雷达系统。     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2GC波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果,放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200MC,放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

基于ADS2005的低噪声放大电路的优化仿真设计

针对功耗和体积均受限的专用小型无线通信系统提升通信距离的要求,以提高接收机灵敏度为研究目的,采用软件仿真ADS2005的方法改进了低噪声放大电路RF2373的设计。在仿真软件下通过建立低噪放RF2373的二端口模型,得出了二端口的5参数特性曲线。采用微带线匹配的方法获得了低噪声放大电路的优化二端口模型,以及匹配后的S参数特性曲线。匹配后的各项S参数较匹配前均有所改善,设计的低噪声放大电路满足射频前端电路的特性要求。给专用测试系统的无线数据传输的硬件设计提供了理论基础。     

兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究

基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示,工作频率范围覆盖24～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段,噪声系数可达到2.4～2.5 d B的水平,小信号增益在21.1～24.1 d B之间,输出1 d B功率压缩点大于14.4 d Bm的水平。     

CMOS低噪声放大器Miller效应分析与噪声优化

根据反馈分解理论将晶体管栅漏电容分解等效到放大器输入输出两端,研究了栅漏电容对低噪声放大器(LNA)输入阻抗和噪声系数的影响.基于分析结果对阻抗及噪声公式进行了修正,提出功耗约束条件下的LNA噪声优化方法.设计的2.4 GHz LNA基于中芯国际(SMIC) 0.18 μm RF CMOS工艺,版图后仿结果表明：在1.2 V的工作电压下,该低噪声放大器直流功耗仅为2.4 mW,噪声系数为1.0 dB,功率增益为16.3 dB,输入输出反射损耗均小于-22 dB,三阶互调点IIP3为-3.2 dBm.相比已有的设计,根据修正公式设计的LNA在功耗、输入阻抗匹配、噪声系数等性能指标上有较大的改善.     

基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计

基于Jazz 0.35μm SiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6～3)GHz工作频带内,增益为17.8～19.2 dB,增益平坦度为±0.7 dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.     

高频小信号LC谐振放大器的设计

本文介绍了高频小信号LC谐振放大器的设计思路与具体电路实现,主要由衰减网络、LC谐振放大、电压跟随和电源四大模块组成。衰减器采用电阻式TT型网络实现;LC谐振放大中选用功耗小的2N2222型三极管进行两级放大,LC谐振部分为放大器的负载;电压跟随采用集成运放OPA355,以实现电路阻抗的良好匹配;为了给放大器工作提供稳压电源,采用LM317稳压芯片设计了一个电源。经测试,放大器低功耗、高增益,具有良好的选择性。     

一种低功耗CMOS并行双频低噪声放大器

基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种低功耗单端输入转差分输出的并行双频低噪声放大器。采用带有源级电感负反馈的共源共栅结构,在功耗限制下在双频段对输入阻抗和噪声性能同时进行优化,实现并行接收,并具有单端输入转差分输出的功能。该低噪声放大器核心电路尺寸为450μm×350μm。仿真表明,低噪声放大器(LNA)在1.227GHz和1.575GHz工作频率处的输入回波损耗分别为-11.61dB和-12dB,功率增益分别为14.67dB和12.68dB,噪声系数分别为2.3dB和2.53dB,输入l dB压缩点分别为-18.5dBm和-14.5dBm。在1.8V电源电压下,功耗仅为8.4mW,可用于航空航天领域的电子系统中。     

CDMA射频接收机中的交调干扰

针对CDMA(Code Division Multiple Access)射频接收机中LNA(low noise amplifier)的非线性度引发的交调干扰问题,本文基于CDMA手机平台,结合CDMA单音抗扰度实验,定性地分析了交调干扰的产生过程以及此干扰对射频单音指标的影响。并利用单音裕量值计算出了满足CDMA BC0(cellular)频段的LNA IIP3(inputthird-order intercept point)指标:+7.8dBm。同时进行IP3(third-order intercept point)实验验证IIP3计算值与实际值的一致性。分析表明射频接收机中的交调干扰是发射泄露的信号与邻道单音干扰信号交叉调制产生。LNA的线性度指标IIP3对交调干扰起决定性作用。要使交调产物越小,所需要的IIP3值越大。     

利用ADS设计低噪声放大器

介绍了一种利用ADS仿真器设计低噪声放大器的方法。先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标，然后在采用NEC的2SC5507（NE661M04）管的基础上，依据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和ADS仿真，最后使得低噪声放大器的设计结果达到设计初期的期望值，并成功地完成了低噪声放大器的电路设计。