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近年来,随着微机械加工技术的不断发展,人们对小功率的场致发射阴极的研究日趋活跃,本文介绍了近年来国内外对场致发射阴极的制备,电学特性及应用方面的研究进展情况,并说明该技术的发展必将取得更广泛的应用. 相似文献
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场致发射阵列(FEA)平板显示器的实现,标志着FEA发展到新的阶段,对FEA的研究析的要求。场致发射的实验研究是目前推进FEA技术的一种重要手段。文中主要从FEA场致发射的过程和分析发射失稳现象,并从理论上加以探讨研究。结果表明,FEA中发射不均匀是普遍的,设计中采取均流均温措施是必要的;FEA使用前的老化钝化是必不可少的工艺手段;场致发射常伴随着热发射,对热发射的控制和利用是场致发射研究的重要内 相似文献
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本文采用考虑空间电荷影响的空间电场计算程序,对场致发射体进行模拟计算;初步研究了发射体的几何形状尺寸与其发射特性之间的联系。通过计算分析,可以认为发射体的尖端曲率半径及栅极的开口直径是影响发射体发射特性的最主要的因素。合肥国家同步辐射实验室的LIGA 深度光刻技术,能给出一个可行的几何结构。计算表明点阵密度为107/cm 2 的直径为6 m m 的硅发射体发射阵列,在80 V 的栅极电压下可以取得10 A 以上的发射电流 相似文献
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提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。 相似文献
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本文提出了以玻璃为基质,以厚感光有机膜为铸模,利用光刻法制作大面积金属场致发射阴极阵列的新方法,对该方法的工艺结果进行了计算机模拟并在现有条件下进行了初步的工艺探索,最后讨论了改进措施。 相似文献
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钼尖场致发射阵列阴极的性能研究 总被引:8,自引:4,他引:8
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电,尖锥和棚极孔间的暗电流,电极间的放电和放气,以及环境真空度和尖锥的均匀性等。所得结果以进一步开展有射频器件和显示器件方面的应用研究打下了一定基础。 相似文献
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1引言场致发射阴极阵列对发射体尖端受污染是非常敏感的,这些污染来自真空封装内的各种残余气体。这些气体除了会改变尖端表面的性能,还会被场致发射的电子电离。这些能量高的离子撞击尖端引起尖端表面结构的变化,从而使发射电流不稳定,甚至使器件失效。因此,必须基本了解各种残气对场致发射阵列灵敏度的影响,以保证器件的发射电流具有长期的稳定性及可靠性。目前对场致发射真空微电子器件人们感兴趣的是将它用作矩阵寻址电子束激发源的平板场发射显示器(FED)。场致发射显示器与阳极射线管相类似,只是它采用薄型平板封装。FED工… 相似文献
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电化学生长法制备薄膜阵列场致发射阴极的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍一种制备薄膜场发射阵列阴极的新方法,这就是以玻璃为衬底的电化学生长法。文章给出了用这种方法生成的铜尖端阵列的形貌和结构,并给出了它的发射曲线。这些曲线表明,它们很好地与Foeler-Nordheim公式一致。 相似文献
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考虑外场和镜像电荷的影响,对F-N公式进行了改进,利用改进的势垒穿透公式对阴极阵列场致发射太赫兹源的物理机制进行了分析,利用渡越时间效应导出了束波相互作用的能量交换,并在此基础上讨论了电子注能量增量、电子注功率、负载电导和束波转换效率等。 相似文献
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