Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。     

Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。     

Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％     

应变Si—xGex／Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了应变Ｓｉ１－ｘ Ｇｅｘ／Ｓｉ异质结材料的生长，并用Ｘ射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析，对于Ｓｉ０．９１Ｇｅ０．０９和Ｓｉ０．８６Ｇｅ０．１４单层，其半宽度ＦＷＨＭ分别为１００〃和２０２〃，对于Ｓｉ０．８９Ｇｅ０．１１／Ｓｉ多量子阱，其卫星峰多达１５个以上，三种样品中的ＧｅＳｉ外延层干涉条纹清晰可见，结果表明，用ＧＳＭＢＥ技术生长的Ｓｉ－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究：I.腐蚀液中的添加剂

总结了阴极铝箔化学腐蚀工艺较电化学腐蚀工艺的优点，就引进的Ｓａｔｍａ化学腐蚀工艺，测定单位表面积的腐蚀失重与比容关系作为对工艺水平的判据。在原工艺槽液中添加质量分数ε为０．５％－２．０％硫酸，使国产箔比容提高２０％－３０％以上。     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究

总结了阴极铝箔化学腐蚀工艺较电化学腐蚀工艺的优点。就引进的Ｓａｔｍａ化学腐蚀工艺，测定单位表面积的腐蚀失重（ｍｇ／ｃｍ２）与比容关系作为对工艺水平的判据。在原工艺槽液中添加质量分数ｗ为０．５％～２．０％硫酸，使国产箔比容提高２０％～３０％以上。     

退火条件对β—FeSi_2形成的影响

本文采用反应沉积－团相外延法制备β－ＦｅＳｉ２溥膜．不同温度及持续时间的后退火处理的Ｘ射线衍射分析表明降低衬底温度，延长退火时间可以提高样品晶体质量．利用卢瑟福背散射方法研究了β－ＦｅＳｉ２的形成过程中的Ｓｉ的扩散。探讨了退火形成β－ＦｅＳｉ２的形成机制．     

Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为

本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Ｓｉ单晶中Ｃｕ和Ｆｅ杂质在Ｆｒａｎｋ型位错上的沉淀行为．发现尽管在Ｓｉ中Ｃｕ杂质浓度远高于Ｆｅ杂质，但Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上，而Ｆｅ杂质会沾污Ｆｒａｎｋ型位错．研究结果表明，样品中微小Ｐｕｎｃｈｅｄ－ｏｕｔ位错的存在和Ｃｕ杂质在Ｓｉ中的重复成核机制是Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上的主要原因．     

Si_（0．5）Ge_（0．5）合金的热氧化物的研究

利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子能谱（ＡＥＳ）分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征．结果表明：这种氧化物为双层结构．靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并堆积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近．在本实验条件下，（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ层的厚度约为２５００Ａ，它的形成时间不足５分种．当氧化的时间延长时，ＳｉＯｘ的厚度随之增加，但（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏｘ的厚度几乎不变．还发现：在这些氧化物中，Ｓｉ２ｐ和Ｇｅ３     

Si0.5Ge0.5合金的热氧化物的研究

利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱和俄歇电子能谱分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明：这种氧化物为双层结构。靠近表面的一层为（Ｓｉ，Ｆｅ）Ｏｘ混合层，在其下面是纯的ＳｉＯｘ层，Ｇｅ被排斥并积在ＳｉＯｘ／Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５界面附近。     

准泡发射区基区SiGe异质结双极晶体管

本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为５０，ＢＶＣＢＯ为２８Ｖ，ＢＶＥＢＯ为５Ｖ．在９００ＭＨｚ共射Ｃ类工作状态下，连续波输出功率５Ｗ，集电极转化效率６３％，功率增益７．４ｄＢ．     

MeV Si离子注入对BF_2注入Si样品特性的影响

本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍有大量的二次缺陷．退火前附加一次ＭｅＶＳｉ离子轰击可以有效地消除ＢＦ２注入区内的二次缺陷，抑制Ｂ原子的扩散，并提高Ｂ原子的电激活率．     

非晶硅锗单结电池的研究

ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａ－ＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２．０１％的ａ－ＳｉＧｅ单结电池。     

SiGe／Si HBT制造中干法,湿法腐蚀技术的研究

介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法，湿计腐蚀的机理，腐蚀方法，影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异１质结晶体管中的应用。     

铝电解电容器用腐蚀箔的SEM与EBSD研究

采用扫描电子显微镜（SEM）和背散射电子衍射（EBSD）技术分析国产铝光箔与进口铝光箔的表面质量、晶粒大小和织构度对阳极氧化腐蚀箔比容的影响。结果表明,由于光箔轧制与再结晶退火工艺的原因,国产铝光箔表面缺陷多,粗糙度大,晶粒小和织构度低,在相同腐蚀条件下,腐蚀箔的比容比进口铝光箔腐蚀后的比容低,且幅度超过5％。     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究

首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化．     

As~＋注入Si_（1－x）Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究

作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究，并与未注入ＡＳ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的应变弛豫进行了比较．结果表明，退火后，注入ＡＳ_的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ外延层中的应变分布不同于未注入ＡＳ＋的应变分布．对于未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，其Ｘ射线衍射峰的半宽度ＦＷＨＭ由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽．对于注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，９５０℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤，使晶格得以恢复，且其退火后的     

900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下,ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时,连续波输出功率为５Ｗ,集电极转化效率为６３％,功率增益为７．４ｄＢ．     

900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性

本文对用准泡发射区基区工艺制备的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管进行了微波功率性能的研究．ＳｉＧｅＨＢＴ在偏置电压ＶＣＥ＝４Ｖ和偏置电流Ｉｃ＝３００ｍＡ时截止频率ｆＴ＝７．５ＧＨｚ．在共射结构Ｃ类工作状态下,ＳｉＧｅ异质结双极晶体管工作在９００ＭＨｚ时,连续波输出功率为５Ｗ,集电极转化效率为６３％,功率增益为７．４ｄＢ．