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溶胶半导化工艺制备(Sr,Pb)TiO3系热敏电阻材料 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法制取了钇(Y)掺杂剂溶胶。利用Y溶胶添加剂对钛酸锶铅V型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较,制备了具有不同含量Y溶胶添加剂及Y2O3固相氧化物的(Sr0.5,Pb0.5)TiO3样品。实验结果表明,Y溶胶作为半导化添加剂优于Y2O3固相氧化物,它能改善(Sr,Pb)TiO3系陶瓷的各项性能。通过Y溶胶添加剂所制备的(Sr0.5,Pb0.5)TiO3样品的最小电阻率为2.90×102Ω·cm,其Y溶胶引入量r(Y)为0.45%。 相似文献
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为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。 相似文献
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为了改进0.02Pb(Y1/2Nb1/2 )O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y)PbZrO3 系压电陶瓷的电学性能和力学性能,作者研究了多种常用添加物对0.02Pb (Y1/2Nb1/2 )O3 -yPbTiO3 -(1- y- 0.02)PbZrO3 三元系压电陶瓷性能的作用, 探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明, Sr2+ 和Ba2+ 作为同价取代元素能够提高0.02Pb(Y1/2Nb1/2 ) O3 -yPbTiO3 -(1- 0.02- y) PbZrO3 系材料的机电耦合系数(kp、k33 、kt)、介电常数和压电系数, 降低机械品质因数Qm ; Li+ 、Cr3+ 、Mn2+ 、Ni3+ 、Fe3+ 等金属离子加入0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3-yPbTiO3-(1- 0.02- y) PbZrO3 会提高材料的机械品质因数, 同时也会损害介电、压电性能, 降低弹性柔顺系数, 体现了硬性添加物的一般特性; 退火对0.02Pb (Y1/2Nb1/2) O3 -yPbTiO3- (1- 0.02- y) PbZrO3 压电材料性能有促进作用。 相似文献
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液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
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采用X射线、SEM等分析手段,通过实验研究了以(Sr,Pb,Ca)TiO3复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中,Pb、Bi2O3·nTiO2含量(摩尔分数),n值大小及MnCO3添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Pb含量,可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料;Bi203·nTiO2含量及n值均存在优值;适量MnCO3作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化,室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εr=2000,tgδ≤0.005.试样|△C/C|≤10%,综合性能好的中高压瓷料。 相似文献
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研究了Cr2O3作为改性添加剂对(PbSm)(TiMn)O3系压电陶瓷介电及压电性能的影响.实验表明,添加适量的Cr2O3能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料,其kt=45%~50%,kt/kp=15~18,TCft3=-0.8~-6ppm/℃.因此,在研究、开发高性能压电材料过程中,Cr2O3不失为一种优良的改性材料. 相似文献
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半导陶瓷湿度传感器的组分分析 总被引:4,自引:2,他引:2
本文研究一种用ZrO2,SiO2,Nb2O5和P2O5为原料的半导陶瓷湿度传感器.它的组分是用扫描电子显微镜,X射线衍射仪和X射线能谱仪进行分析.几种氧化物粉末在高温下烧结成由许多微小晶粒组成的多孔半导陶瓷.晶粒周围环绕着Nb(0.2)Zr(0.8)O(2.1),ZrNb(14)O(32),ZrP2O7以及Nb(44)P2O(115)复合物.这些固溶体能够降低晶粒之间的电阻.大气水分子的吸附和毛细凝聚进一步加强了传感器电导. 相似文献
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SiO2对SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质的影响 总被引:6,自引:3,他引:3
对SiO2掺杂的SnO2.CoO.Nb2O5压敏电阻非线性电学性质进行了研究,并对其微观结构进行了电镜扫描,且对其晶界势垒高度进行了测量,实验表明x(SiO2)=0.3%掺杂的SnO.CoO.Nb2O5压敏电阻的非线性系数a高达30,并且具有最高的击穿电场(375V/mm)。采用Gupta-Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随SiO2的添加而变大的现象进行了理论解释。 相似文献
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ZrO2·SiO2·P2O5半导陶瓷是由ZrO2、SiO2和H3PO4用高温固相反应制成.它的傅里叶红外吸收谱是由ZrO2和SiO2的标准谱叠加而成.根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量.这些声子按照不同组合方式形成ZrO2·SiO2·P2O5半导陶瓷的全部傅里叶红外吸收峰.半导陶瓷的喇曼背向散射峰也是由这些基本声子组合而成.对比四角和单斜ZrO2的喇曼特征谱线看出,在未掺杂和用Y2O3或Nb2O5掺杂的半导陶瓷样品中,ZrO2的晶粒微结构分别属于单斜和四角对称晶系. 相似文献
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本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献
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本文对掺杂稀土金属氧化物(La2O3,Y2O,C2O3)钨-铜触头材料进行了试验。通过添加约0.5-20%稀土氧化物制成WCu触头材料测试了氧化物添加剂对其烧结,性能与结构的影响,并对按触性能,即触头电阻,电阻烧损和焊接力进行了模拟系统试验,结果发现,某些稀土氧化物对减少焊接力和降低电弧烧损有很好的作用。 相似文献
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Y1铁电薄膜材料研究进展 总被引:3,自引:2,他引:1
曾经引起铁电学界轰动的Y1材料,其组成已公之于世,其结构为(Bi2O2)2+(An-1BnO3n+1)2-氧化铋基层状铁电材料。目前研究较多的是SrBi2Ta2O9,SrBi2Nb2O9以及它们的固溶体。文章介绍了有关Y1材料的研究背景,研究现状及发展前景 相似文献
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高T_cPTC陶瓷材料的配方研究 总被引:2,自引:1,他引:1
选用国产原材料,在(Ba0.3Pb0.7)TiO3+4%AST+0.08%Mn(NO3)2材料中,添加(0.2~0.4)%(Nb2O5+Y2O3)+0.2%BN+(3~5)%CaTiO3(全为摩尔比)。采用传统陶瓷工艺,经1150℃适当烧结,可获得ρ25c≤104Ω·cm,Tc≥380℃,ρmax/ρmin≥103,Vb≥650V的实用高TcPTC陶瓷材料。 相似文献
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介绍了几种结构合理的超导/半导兼容材料的制作技术及其测试结果,重点讨论了超导体(YBCO)与半导体(Si,CaAs)间缓冲层的选取,并对这几种复合材料的性能作了较详细的分析。 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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本文着重研究了0.6μmTiSi2PolycideLDDNMOS器件工艺技术.用RIE刻蚀获得了0.6μm严格各向异性的精细结构2分析研究表明TEOSSiO2膜厚tf、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度W的重要因素,经优化后可控制W为0.30~0.32μm;在Al与Si之间引入一层TiN/Ti复合层作为Al-Si间的扩散势垒层,获得了良好的热稳定性.上述工艺技术已成功地应用于0.6μmTiSi2PolycideLDDE/DMOS31级环形振荡器的研制,其平均缴延迟为310Ps(0.29mW/级),工作电压 相似文献
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BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了烧结助剂的作用,实验结果表明:如只引入半导化元素,不引入烧结助剂,则室温电阻率ρ25很大,甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入,既改善了PTCR热敏电阻陶瓷的烧结性,又改善了其ρ25、耐电压Vb、PTC效应等特性,从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用AST,现在常用SiO2,其加入量x宜小于2%。SiO2的纯度、杂质等化学特性,与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性,对PTCR热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了BaTiO3系PTCR热敏电阻器用SiO2的技术标准。 相似文献