超高频声表面波压控振荡器

本文介绍了ＵＨＦ频段声表面波压控振荡器的原理、设计与实验结果。实验制作的ＵＨＦ声表面波压控振荡器的工作频率为４１６ＭＨｚ；压控频偏＞４００ｋＨｚ；压控线性度为±３％；输出功率为７～１０ｄＢｍ。     

声表面波压控振荡器的可靠性

对一种声表面波压控振荡器的工作失效率进行了预计。建立了由５个单元组成的可靠性串联模型。应用可靠性预计手岫计算了各单元的工作换效率。结果表明,在＋７０℃和Ｍｔ环境条件下,预计这种振荡器的故障工作时间为１３７８１ｈ。如果将元器件的质量提高１个等级,在相同条件下的平均无故障工作时间将大于２００００ｈ。     

高频声表面波压控（调频）振荡器的研制

本文讨论了声表面波压控(调频)振荡器的原理及设计方法,并实际制作了振荡器,中心频率为657MHz,频偏约为1.5×10~(-3),平均压控灵敏度为98kHz/V,线性度±2%,温度稳定度为±3.7×10~(-5)(-20—+60℃)。     

高性能声表面波调频振荡器的研究

分析了声表面波谐振器的性能 ,论述了声表面波振荡器的工作原理及设计方法 ,最终完成中心频率为797.3 MHz的振荡电路 ,调频带宽 2 MHz(2 5 0 0 PPM)。文中对影响调频带宽、相位噪声的因素进行了分析讨论。本项目研究成果已获得实际应用     

射频应用的压控振荡器相位噪声的研究

相位噪声是压控振荡器（VCO）的关键参数之一。本文阐述了VCO相位噪声的特性，分析了时不变和时变两种相位噪声模型，给出了优化相位噪声的方法。     

X波段宽带低相噪压控振荡器

简述了X波段宽带压控振荡器的压控灵敏度线性问题和降低其输出相噪的方法,同时给出了有关分析和实验结果.     

低噪声微波压控振荡器

利用振荡器的相位噪声模型,详细论述了低噪声微波压控振荡器的设计方法,并给出了实验结果。该振荡器具有嗓声低、频率稳定度高、电调线性好等特点。     

射频应用的压控振荡器相位噪声的研究

相位噪声是压控振荡器(VCO)的关键参数之一。阐述了VCO相位噪声的特性,分析了时不变和时变两种相位噪声模型,给出了优化相位噪声的方法。     

声表面波电视频道振荡器

设计制作了系列的SAW振荡器,可用于小功率电视发射机作本振源。这种SAW频道振荡器的体积小,性能稳定可靠,安装使用方便。     

声表面波调频振荡器

论述了声表面波调频振荡器的原理及设计方法，探讨了有关电路，并制作了中心频率３８０．８ＭＨｚ的声表面波调频振荡器。当调制信号频率区ＤＣ至８００ｋＨｚ变化，幅值为２．５Ｖ时，调频频偏大于５５０ｋＨｚ；当调制信号频率小于或等于２００ｋＨｚ，幅值为１．０Ｖ时，调频非线性失真小于３．５％。振荡器经过温度补偿，温度稳定性优于±１５０ｐｐｍ（－４０℃～＋５０℃）。     

低噪声集成压控振荡器声性能分析

提出了一种低相位噪声时基核心电路的压控振荡器的设计方法。通过对采用由普通差分放大器单元和容性耦差分放大器单元构成的环行振荡器的噪声分析 ，由容性耦合差分放大器单元构成的环行振荡器，因其带通特性和负阻特性而具有较好的噪声能力，可用于对频率稳定度有较高要求的ＶＣＯ等电路中。     

低相位噪声CMOS环形压控振荡器的研究与设计

针对个人电脑和通讯系统对频率合成器中振荡器的低相位噪声的要求,对基本的环形振荡器结构进行改进,设计了两种宽带低相位噪声CMOS环形压控振荡器(VCO),在800 MHz振荡频率、1 MHz频偏下,测试的相位噪声分别为-123 dBc/Hz和-110 dBc/Hz.两个VCO的调谐范围分别为450～1 017 MHz和559～935 MHz.     

低噪声CMOS环型压控振荡器的设计

应用增益补偿技术，设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器，该电路具有较低的压控增益，较好的线性，较强的噪声抑制能力。采用lstsilicon 0,25μmCMOS工艺进行仿真，结果显示：在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为一108dBc。     

准恒定压控增益的压控振荡器设计

在DRM DAB系统设计中,压控振荡器需要满足宽的调频范围,而其压控增益的差别需要控制在一定的范围内,以使得锁相环的稳定性得到提高,同时为了降低锁相环环路对噪声的敏感性,我们需要低的压控增益。据此,本文所采用的可变电容阵列结构有效地满足了上述要求,使用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真得到的结果显示在1.71G振荡频率1MHZ频偏处的相位噪声为-124.3d Bc/Hz.压控范围为1.71-2.31GHz。     

宽频率范围的单子带压控振荡器设计

基于TSMC 180 nm CMOS工艺,提出了一种振荡频率为2～3 GHz的宽频率范围、低相位噪声的单子带压控振荡器(VCO).采用双平衡吉尔伯特混频结构,将单子带5～6 GHz压控振荡器与固定频率3 GHz压控振荡器进行下混频,可得到振荡频率为2～3 GHz的单子带压控振荡器,实现相对带宽从18.18％到40％的展...     

声体波谐振器压控振荡器

声体波谐振器(FBAR)压控振荡器(VCO)技术探讨了高品质因数Q谐振器并实现宽频率调谐难题,完成了声体波谐振器MBVD模型参数建立、电路的选择与布局,以及最优化的设计与制作,尽量消除了FBAR与IC之间的引线产生的影响,克服了频率调整问题.研制了中心频率2.1GHz的VCO振荡器,研究结果表明,其输出功率为5～10 dBm,调谐范围为2.044‰,边带相噪为-143 dBc/1 Hz@1 MHz.     

11GHz CMOS环形压控振荡器设计

设计了一种全差分高速环形压控振荡器(VCO).该VCO有三级,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和,快慢通路的增益由底部电流源决定,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流,最终实现对振荡频率的调节.分析了VCO的工作原理及其相位噪声.电路采用TSMC公司0.18μm标准CMOS工艺制作.测试结果显示:芯片工作频率为10.88～11.72GHz,相位噪声为-101dBc/Hz@10MHz,输出信号抖动为3.8ps rms,在1.8V电源电压下的直流功耗约为75mW.该VCO可以应用于锁相环和频率合成器中.     

声表面波振荡器应用飘红

声表面波振荡器是20世纪60年代末、70年初出现的一种新型振荡器。自Maines、Grabb和Lewis等人报道了这种振荡器之后,在这40年的时间内,人们对声表面波振荡器的研究取得了很大的进展,不仅阐明了它的原理、类型,而且研究了声表面波振荡器的性能及影响性能的各种因素,促进了制造工艺技术     

11GHz CMOS环形压控振荡器设计

设计了一种全差分高速环形压控振荡器（VCO）．该VCO有三级,每一级的增益是快慢通路增益的矢量叠加和,快慢通路的增益由底部电流源决定,差分控制电压通过镜像电流源控制快慢通路的各自电流,最终实现对振荡频率的调节．分析了VCO的工作原理及其相位噪声．电路采用TSMC公司0.18μm标准CMOS工艺制作．测试结果显示：芯片工作频率为10.88～11.72GHz,相位噪声为－101dBc/Hz@10MHz,输出信号抖动为3.8ps rms,在1.8V电源电压下的直流功耗约为75mW．该VCO可以应用于锁相环和频率合成器中．