PT／P（VDF—TrFE）复合膜及悬空结构热释电传感器研究

将溶胶－凝胶法制备的钛酸铅（ＰＴ）纳米粉粒掺入聚偏氟乙烯－三氟乙烯共聚物［Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）］中，制成ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）复合热释电敏感膜，提高其热释电优值和探测优值。用ＫＯＨ腐蚀硅衬底使ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜热释电传感器形成悬空结构。实验结果表明，掺入体积比为０．１２ＰＴ粉粒的ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）敏感膜，比同样成膜条件的Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）膜的热释电优值提高２０％，探测优值提高３５％；悬空结构大大降低了热导，使传感器在低频段的电压灵敏度和电流灵敏度提高了１０倍以上。根据实验结果，提出了弱铁电体连续基体与铁电体颗粒均匀复合后，计算复合膜介电系数和热电系数的方法。     

压电复合材料PT—P（VDF／TeFE）的静水压压电性

用热轧辊机制备了压电复合材料ＰＴ－Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＴＥ），并利用ＬＣＲ电桥和Ｂｅｒｌｉｎｃｏｕｒｔ电路分别测量了其介电常数和压电常数，实验结果表明它具有良好的静水压压电特性。最后了该复合材料在水听器的应用。     

压电复合材料PT－P（VDF／TeFE）的静水压压电性

用热轧辊机制备了压电复合材料ＰＴ－Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ），并利用ＬＣＲ电桥和Ｂｅｒｌｉｎｃｏｕｒｔ电路分别测量了其介电常数和压电常数，实验结果表明它具有良好的静水压压电特性。最后讨论了该复合材料在水听器中的应用     

PT／P（VDF—TrFE）中聚合物基体对压电效应的贡献

用压力脉冲法研究了在钙掺杂ＰＴ（钛酸铅）陶瓷粉末与Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）（偏氟－三氟乙烯共聚物）复合材料中ＰＴ粉末与聚合物基体对于总的压电效应的贡献。实验结果表明，在此类复合型压电材料中，聚合物基体对于整体压电性的作用是不可忽视的，而且，陶瓷粉末与聚合物基体对于整体压电性的贡献恰好是相互抵消的。     

P(VDF/TrFE)热释电探测器的研究

采用电晕极化和超低频电场极化两种方法极化偏氟乙烯/三氟乙烯共聚物P(VDF/TrFE)73/27,发现制得的热释电探测器性能相似.计算了P(VDF/TrFE)73/27热释电探测器的介质损耗噪声,发现计算值与探测器噪声测量值符合得很好,从而得出P(VDF/TrFE)73/27热释电探测器噪声主要来源于P(VDF/TrFE)73/27介质损耗噪声.     

0—3型压电陶瓷—聚合物复合材料的乘积性质

提出０－３型压电陶瓷－聚合物复合材料具有乘积性质，并基于复合材料的串联和并联模型进行了理论分析，分析表明，０－３型压电陶瓷－聚合物复合材料产生最大乘积效应的必要条件为两组元的体积分数约０．５左右，作为实例，分析了ＰＺＴ－ＰＶＤＦ、ＴＧＳ－ＰＶＤＦ和ＢＴ－ＰＶＤＦ热释电复合材料的实验结果，发现了增强热释电效应，结果与理论预测相符合。     

近场静电纺丝制备P(VDF TrFE)压电纤维

采用近场静电纺丝法制备了P（VDF TrFE）（聚偏氟乙烯PVDF和三氟乙烯TrFE的共聚物）压电纤维,研究了不同的电纺工艺参数对纤维直径和形貌的影响。结果表明,近场静电纺丝法的工艺参数对纤维形貌特征有决定性影响。其中,P（VDF TrFE）电纺溶液的质量浓度对纤维的形成起决定性因素,当P（VDF TrFE）电纺溶液质量比小于12%时,液滴下落过程中溶液中的溶剂挥发速度不够,导致电纺工作时溶液沉积到衬底前无法呈纤维状;在合适的驱动电压范围内,施加的电压越大,纤维直径越细;同样,采集器的移动速度越快,纤维的直径越细;电纺获得的P（VDF TrFE）纤维直径可达（0.7~12） μm。此外,根据P（VDF TrFE）自身的压电特性,给以纤维一定的弯曲形变,测试了电纺丝法制备的P（VDF TrFE）纤维是否产生极化。实验结果表明,原位制备的纤维未能表现出明显的压电性。     

铁电复合材料TGS—PVDF的介电和热释电性能的研究

制备了TGS-PVDF铁电复合材料,测量了该材料的介电常数、介质损耗和热释电系数,计算了该材料的热释电优值因子,并初步测试了由该材料制成的热释电探测器的性能。     

叠层片式PTC热敏陶瓷与基体研究进展

叠层片式PTC热敏陶瓷(MLPTC)具有尺寸小、质量轻、电阻低、通流量大、反应快、无明火、无触点、无噪音和可修复等优点,可作为低压电路中过流保护和温度补偿等元件。介绍了叠层片式PTC热敏陶瓷的发展历程和研究现状,以及该样品基体配方的研究,分析了当前制备工艺中存在的问题,并提出了解决的方法,同时指出叠层片式PTC热敏陶瓷向着低阻化、片式化、微型化和绿色化方向发展。     

高T_cPTC陶瓷材料的配方研究

选用国产原材料，在（Ｂａ０．３Ｐｂ０．７）ＴｉＯ３＋４％ＡＳＴ＋０．０８％Ｍｎ（ＮＯ３）２材料中，添加（０．２～０．４）％（Ｎｂ２Ｏ５＋Ｙ２Ｏ３）＋０．２％ＢＮ＋（３～５）％ＣａＴｉＯ３（全为摩尔比）。采用传统陶瓷工艺，经１１５０℃适当烧结，可获得ρ２５ｃ≤１０４Ω·ｃｍ，Ｔｃ≥３８０℃，ρｍａｘ／ρｍｉｎ≥１０３，Ｖｂ≥６５０Ｖ的实用高ＴｃＰＴＣ陶瓷材料。     

BaTiO_3半导瓷PTC现象的机理研究进展

综述了近年来PTC机理研究的进展。着重讨论以下几点:Heywang 及Jonker模型;单个晶界电性测定;用阻抗分析区分晶界及晶粒电阻;应力与PTC效应;晶界结构与PTC效应;晶界第二相、晶界层与PTC效应;化学吸附气体作为电子陷阱。最后讨论了今后还需进一步研究的方面。     

Ni/BaTiO3陶瓷复合材料的制备及其PTC效应

为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料。对该复合材料的研究表明,在还原气氛下烧成的Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料具有很弱的PTC效应,但其PTC效应可通过适当的热处理工艺(600℃,空气气氛)得到有效恢复。其升阻比与室温电阻率为:(ρmax/ρmin=60)和(ρ=6.1?·cm)。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

BaTiO_3系PTC热敏电阻施主加入物的研究

常用的施主加入物是Ｙ３＋和Ｎｂ５＋，施主掺入量一般控制在ｘ＝０．２％～０．３％为宜。影响施主掺入量的因素有原料纯度、烧结助剂、掺入施主的工艺等。研究了常用施主加入物的理化特性对ＰＴＣ热敏电阻性能的影响，提出了施主加入物的技术标准。     

低室温电阻率正温度系数热敏电阻器

Ｖ２Ｏ３与聚合物复合可制备室温电阻率０．４Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应高达１０个数量级的热敏电阻材料。讨论了Ｖ２Ｏ３含量、聚合物种类和含量对室温电阻率和ＰＴＣ效应的影响规律，并对复合材料的微观结构进行分析，用隧道效应解释了ＰＴＣ效应。     

PTC热敏电阻移峰加入物的研究

探讨了移峰加入物的移动效率及其引入时工艺上应注意的问题。研究了常用的移峰加入物的化学特性、物理特性对ＰＴＣ热敏电阻器性能的影响。并据此提出了常用的移峰加入物的技术标准。     

碳酸钙对BaTiO_3系PTC热敏电阻电性能的影响

研究了碳酸钙对ＢａＴｉＯ３ 系ＰＴＣ热敏电阻电性能的影响。结果表明,随着钙加入量的增加,ＢａＴｉＯ３ 的低温相变点, 移向更低的温度; 促进烧成时芯片的致密化; 使ＢａＴｉＯ３ 晶粒尺寸几乎呈线性下降; 使晶粒、晶界电阻下降; α、Ｒｍ ａｘ／Ｒｍ ｉｎ 无大的变化, ρ２５增大, Ｖｂ 提高。碳酸钙的理化指标, 对ＰＴＣ热敏电阻电性能也有很大影响, 据此推荐了ＢａＴｉＯ３ 系ＰＴＣ热敏电阻用ＣａＣＯ３ 的技术标准     

BaSnO3热敏电阻器电学性能的研究

介绍了以BaCO3和SnO2粉料为主原料,SiO2、Bi2O3和Sb2O3为助烧剂,Ta2O5为施主掺杂改性剂,Na与Mn无机盐为受主掺杂改性剂,采用传统固相反应法制备BaSnO3的半导体陶瓷的方法。经测试与分析可知,该半导体陶瓷的相对密度高达理论密度的97%。通过对样品电学性能的初步研究,发现该样品具有NTC效应。