一种实现高带外抑制声表面波滤波器结构

为了获得高的带外抑制，我们设计了一种单相单向换能器与镜像阻抗连结换能器结合的滤波器结构。该结构由双通道组成，每通道上由一个电级宽度控制单相单向端变迹加权换能器和一个抽指加权换能器组成，它具有带外抑制高、插损小、体积小和制作容易等优点，克服了常规滤波器级联带来的插损大，难匹配的问题。最后给出了我们制作在１２７．８６°Ｙ－ＸＬｉＮｂＯ＿３基片上的高带外抑制声表面波滤波器结果，其中心频率为７０ＭＨｚ，带宽为１．５ＭＨｚ，带外抑制大于７０ｄＢ，插损小于１３ｄＢ，芯片尺寸小于５ｍｍ×１０ｍｍ。     

高带外抑制声表面波扇形滤波器的研制

根据混合场等效电路模型,详细分析了抽指加权结构对扇形又指换能滤波器频响的影响。在考虑了指间反射、三次行程以及指条寄生阻抗等情况下,根据扇形换能器的导纳矩阵及其外围电路参数得到器件总的频率响应,并通过改变发射和接收换能器指对数来改善扇形又指换能滤波器带外抑制。     

使用Remez交换算法优化设计带有MSC的声表面波带通滤波器

介绍了将线性相移ＦＩＲ数字滤波器的优化设计方法－Ｒｅｍｅｚ交换算法应用到带有多条耦合器的声表面波带通滤波器的设计中。该方法可以兼顾矩形系数、阻带抑制和带内波纹等多种因素，实现最优设计。还将两个变迹叉指换能器的同步中心选择到了带外，因而可以采用单指结构，降低了工艺要求。最后给出了一个７０ＭＨｚ的中频声表面波滤波器设计实例。     

声表面波滤波器中虚假信号的抑制

本文介绍了声表面波滤波器设计中抑制虚假信号的方法，给出了实验结构和结果，结果表明，该方法效果较为明显。     

一种低损耗声表面波滤波器

本文从声表面波滤波器的基本原理出发，介绍了我们研制的低损耗声表面波滤波器，给出了实验结果，经实验证实有较好的频率特性。     

提高声表面波带通滤波器合格率

我们“声表面波器件终测QC小组”组建于1998年9月，从1999年到2001年连续三年的QC课题分别获信息产业部QC成果一等奖，小组成员受TQc教育200h以上。     

一种低损耗高抑制的声表面波滤波器

该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y X LiNbO3为基片材料,其中心频率约475 MHz,插入损耗小于2 dB,阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性,结果表明该设计方法具有很好的实用性。     

通信用声表面波滤波器

通信用声表面波滤波器天津光电通信技术有限公司季来运,李树凤１．引言声表面波（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ简写为ＳＡＷ）器件最早应用于军用系统中,随着现代通信技术的发展,声表面波器件得到了越来越广泛的应用,在各种电子系统设备中发挥着越来越大...     

一种声表面波滤波器的优化计算方法

介绍了一种新的优化计算方法，从理论上详细论述了这种计算方法，编制了计算机程序，给出了计算结果。     

低损耗高阻带抑制声表面波滤波器

为了提高雷达信号的接收灵敏度,提出一种低损耗高性能的单相单向换能器,其设计采用了电极宽度控制来实现。发射和接收叉指换能器分别选取适当的加权函数,能得到更低的旁瓣电平。设计制作了中心频率67 MHz,3 dB带宽1 MHz,单向性为21 dB,插损3.8 dB,阻带抑制大于45 dB的低损耗高阻带抑制声表面波滤波器。     

叉指换能器模型对声表面波滤波器的影响及其设计考虑

本文论述了叉指换能器(IDT)模型对声表面波滤波器(SAWF)综合设计的影响;指出了现有综合设计方法共同存在的问题;并提出了一种新的设计思想和方法。该方法能将IDT的物理模型直接纳入SAWF综合设计之中,并能消除现有方法不可避免存在的器件实际响应与设计目标响应之间的偏离,提高SAWF的设计精度。     

用于中频SAWF的本征窗最小二乘设计

提出了将本征窗函数法和数学上的最小二乘原理相结合的声表面波滤波器设计方法。该方法具有本征函数法和窗口函数法的优点,同时又采用了最小二乘法来提高设计精度。减小了叉指条数,并可以实现高的阻带衰减。     

一种连续通带宽带双工器的研制

设计并制作了工作在2.2～2.8GHz的带状线结构3dB定向耦合器和2只通带分别为2.2～2.5GHz及2.5～2.8GHz的8阶微带发夹线结构带通滤波器,利用该耦合器和带通滤波器设计制作连续通带宽带双工器,并通过ADS进行仿真。由仿真结果可知,在2.2～2.8GHz双工器全频带内输入端口的反射系数S11均优于-17.00dB,通带2.2～2.5GHz带内插损S21最优为-2.09dB,通带2.5～2.8GHz带内插损S31为-2.53dB,其中两通带的交接点2.5GHz处插损约-6.5dB。实测结果与仿真结果基本吻合。     

以Li2B4O7为基片150MHz SAWF的设计与研制

介绍了以Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７为基片，１５０ＭＨｚ声表面波窄带滤波器的设计与制作，在设计中采用了波导耦合谐振器的结构形式，按新研究的光刻腐蚀方法，成功地制作出了１５０ＭＨｚ的窄带滤波器，验证了波导耦合谐振滤波的理论，证实了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７确实是较怕表面波基片材料。     

确定BAW梯形滤波器阶数的方法

为确定体声波(BAW)梯形滤波器的阶数,使用仿真法研究了滤波器的带外抑制与并、串联薄膜体声波谐振器(FBAR)的电容比Cps和滤波器阶数N的关系。基于FBAR的Mason 解析电路模型构建了1~6阶BAW梯形滤波器,Cps取值为1~6,对1~6阶BAW梯形滤波器进行仿真,取滤波器的左带外抑制进行统计并绘制曲线图。此外,BAW梯形滤波器的阶数可包括半阶数,用同样仿真法改变阶数(N=1.5,…,5.5)对滤波器进行仿真。仿真结果表明,当Cps一定时,带外抑制基本随滤波器的阶数等量增加。当滤波器的阶数一定时,带外抑制随Cps的增加而增加。在优化设计时,并、串联FBAR谐振器区面积比(即Cps)一般设置为1~4,在此范围内滤波器阶数每增加一阶,带外抑制平均增加约10 dB;滤波器的阶数增加半阶时,带外抑制约增加整阶数的一半,即5 dB,而此时通带内的插损基本保持不变。故设计滤波器时,根据设计指标中的带外抑制可初步确定滤波器的阶数。     

一种宽阻带窄带腔体滤波器的设计

该文介绍了一种窄带带通腔体滤波器的原理和设计方法,通过加载电容原理,使滤波器的寄生通带远离通频带,并设计了带哑铃型横杆的谐振器结构,在谐振器连接点形成电压驻波零点,从而进一步抑制滤波器的寄生通带,实现了具有宽阻带的带通腔体滤波器。最后,利用微波仿真软件CST设计了一款中心频率为2.45 GHz,相对带宽为4.08%的窄带带通腔体滤波器。仿真结果表明,滤波器带外抑制高,阻带范围宽,通带内驻波良好,满足设计指标要求。