用溶胶—凝胶法制备[（Pb,La）（Zr,Ti）O3]铁电薄膜

利用溶胶－凝胶法制备了［Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］铁电薄膜。利用ＤＴＡ－ＴＧ，ＸＲＤ和ＳＥＭ研究了［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］凝胶的分解、晶化过程［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］薄膜的显微形貌。为了获得致密无龟裂的［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３］薄膜，应使用具有适当粘度的前体溶胶，这是通过控制其浓度和水解度来获得的。     

涡街流量计用压电陶瓷材料的研究

在分析Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３＋ＢｉＦｅＯ３＋Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｔｉ，Ｚｒ）］Ｏ３系列压电性能的基础上，通过调整系统中的锆钛比，得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。     

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究

以无机锆盐为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉ衬底上制备出一种新型Ｐｂ－ＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＰｂＴｉＯ（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心结构。这种结构对于ＰＺＴ的晶化有很好的促进作用,其最终的退火温度为７００℃Ｃ－Ｖ特性,介电步率响应,漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。     

掺Y~（3＋）、La~（3＋）的（Sr，Ca）TiO_3系多功能陶瓷

用稀土离子Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）对（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３掺杂，以Ｂａ－Ｓｉ－Ａｌ玻璃为助熔剂，在１３５０～１４５０℃还原性气氛中烧成，获得工艺性能良好、烧结温度较低、晶粒电阻率低（１０（－２）Ω·ｃｍ）、非线性高（α达１０以上）的陶瓷材料。在制备过程中省略了以往用碱金属离子涂覆并进行热扩散的工序。用缺陷化学理论，根据测量的ＩＣＴＳ谱、Ｉ－Ｖ特性和Ｃ－Ｖ特性系统研究了Ｙ（３＋）、Ｌａ（３＋）掺杂对晶粒半导化、压敏特性和介电特性的影响。热处理过程中，Ｏ－的化学吸附是这类陶瓷产生晶界势垒的主要原因。     

硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究

在已有的以夫机锆盐为原料,用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺基础上,地制备出ＰｂＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３／ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心式新结构。由于采用了这种闪心式结构,使得ＰＺＴ铁电薄膜的退火温度由原来的９００℃降到了７００℃。通过实验检验了新结构的铁电和介电性能。发现夹心结构有助于提高ＰＺＴ薄膜的品质。     

硅基铁电薄膜的制备与电性能研究

用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）方法制备了有ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）过渡层的硅基Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜，顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅。在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜，测试结果表明有ＰＴ过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能。     

组分变化对La掺杂PZST反铁电陶瓷电性能的影响

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷Ｚｒ∶Ｓｎ比的变化对电性能的影响。随着Ｚｒ∶Ｓｎ比的增加，开关电场ＥＡＦＥ－ＦＥ减小，回滞ΔＥ增大，峰值介电常数εｍａｘ增加并且变得尖锐，铁电－反铁电相变温度ＴＦＥ－ＡＦＥ和居里温度ＴＣ升高。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。     

掺Pb[(Y1/2Nb1/2)0.06(Zr1/2Ti1/2)0.94]O3铁电陶瓷的性能

研究了ＭｎＯ２、ＭｇＯ 掺杂的０．０６Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－０．９４Ｐｂ（Ｚｒ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３ 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数;获得掺杂物与这些性能之间的关系;对实验现象进行了简单的讨论,得出一些有益的结论     

La—Ca—Mn—O薄膜的巨磁效应

报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量Ｃａ的调制Ｍｎ＾４＋的含量变化导致磁性结构转变，用双交换模型解释了该象现，对实验给出满意的解释。     

双施主掺杂对BaTiO_3基半导瓷结构和性能的影响

系统地研究了Ｓｂ~（３＋）、Ｎｂ~（５＋）掺杂对多晶（Ｂａ、Ｐｂ、Ｃａ）ＴｉＯ_３微观结构和电性能的影响。结果表明：双施主掺杂比单一Ｓｂ~（３＋）“或Ｎｂ~（５＋）更能降低试样的室温电阻率。比较了Ｌｉ~＋的存在与否对瓷料烧结性能、电性能及热稳定性的影响。     

(Ba1-xSrx)TiO3系铁电陶瓷的制备及其介电性能研究

本文研究了（Ｂａ１－ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３系铁电陶瓷的制备工艺。讨论了配方组分，烧结工艺，工作频率等因素对材料的显微结构，介电损耗Ｄ，温度系数α等性能的影响。研究表明，ＳｎＯ２掺杂较ＺｒＯ２掺杂的ＢＳＴ系材料的移动叠加效应要好；适当提高烧结温度；延长高温保温时间，有利于晶粒长大，进而有利于克服晶界缓冲型展宽效应，两者均可 有效提高材料的温度系数α，而工作频率的改变使材料测得的介电常数有所不同。另外，随     

（Pb,Nd）（Ti,Mn,In）O3陶瓷的微波介电性质

近年来，越来越多的具有高介电常数和低介质损耗的陶瓷介质用于微波领域。（Ｐｂ，Ｎｄ）（Ｔｉ．Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷是一种新型的微波介质材料。在本文中，作者致力于（Ｐｂ．Ｎｄ）（Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ）Ｏ＿３陶瓷的微波介电性质的研究，并且讨论了Ｍｎ含量对微波介电性质的影响。     

化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。     

含铋层化合物BaTiO3和系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｂ，Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良     

含铋层化合物BaTiO_3系独石电容瓷料

分别以Ｂｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｐｂ等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物，用以降低ＢａＴｉＯ３系瓷料烧成温度。通过调整ＢａＴｉＯ３的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验，探讨含铋层化合物ＢａＴｉＯ３瓷料组成对其性能的影响。以ＢａＯ／ＴｉＯ２为０．９９的ＢａＴｉＯ３烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料，其性能符合美国ＥＩＡ标准Ｘ７Ｒ指标，制成的独石电容器性能优良，稳定可靠。     

高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

SrTiO3压敏电阻耐浪涌电流特性的研究

本文研究了用一次烧成法制备的Ｍｎ＾２＋和Ｃｕ＾＋为受主掺杂的ＳｒＴｉＯ３低压压敏电阻，在浪涌电流冲击后，其压敏和介电特性的变化规律及影响因此。证Ｃｕ＾＋掺杂的试样具有较高的耐浪涌电流能力。     

压电及其它功能器件

３压电及其它功能器件９５２６９压电致动器的制作及其特性——ＫｏｒｅａｎＪ．ＩｎｓｔＴｅｌｅｍａｔＥｌｅｃｔｒｏｎＡ，１９９４；３１（３）：２４７～２５４研究了用Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３（ＰＺＴ）粉末制作单片形或叠层形压电致动器，并研究了其压电特性、位...     

Mn对一次烧成钛酸锶陶瓷复合功能的影响

采用一次烧成工艺制备了Ｍｎ掺杂的ＳｒＴｉＯ３电容－压敏复合功能陶瓷,采用ＳＥＭ观察了ＳｒＴｉＯ３复合功能陶瓷的微观结构,测量了不同氧化热处理温度下ＳｒＴｉＯ３陶瓷的电学特性,采用ＸＰＳ研究了ＳｒＴｉＯ３复合功能陶瓷中Ｍｎ主要以Ｍｎ＾２＋的化学状态,并分析了Ｍｎ的掺杂行为。研究结果表明：一次烧成ＳｒＴｉＯ３陶瓷达到较高的烧成致密度,Ｍｎ主要以Ｍｎ＾２＋的形式存在于晶界,氧化热处理过程Ｍｎ低价粒表面的