(Sr,Pb)TiO3的自燃烧合成及性质

用自燃烧法合成了／单相（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３,用ＴＧ、ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＴＥＭ等手段分析了干凝胶自燃烧的反应过程,测量了粉末的晶粒尺寸,测试了（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３的居里温度。结果表明,自燃烧法合成的（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷粉末的晶化温度为４１８℃。在５００～７００℃分别煅烧燃烧灰烬１ｈ,得到晶化的微细均匀的陶瓷粉末。５００℃的煅烧产物为主相,一次颗粒约为３０ｎｍ,其他温度煅烧的产物均为中方相,一     

掺Y3+的TiO3系V型PTC材料制备工艺研究

以（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３为主要原料,以Ｙ２Ｏ３为掺杂剂制备样品,论述了（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３系Ｖ型ＰＴＣ材料的制备工艺要点,确定了掺杂剂的最佳掺量,并对其半导机理进行了分析。     

涡街流量计用压电陶瓷材料的研究

在分析Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３＋ＢｉＦｅＯ３＋Ｓｒ（Ｃｕ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｐｂ［（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）（Ｔｉ，Ｚｒ）］Ｏ３系列压电性能的基础上，通过调整系统中的锆钛比，得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。     

（Sr,Pb）TiO3复合钙钛矿型铁电体的晶体结构

应用化学共沉淀法制备系列Ｐｂ／Ｓｒ比例的（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３粉末，标定了体材料的晶体结构，计算了材料的晶胞参数，给出了晶胞参数随Ｐｂ／Ｓｒ比例的变化规律。     

溶胶半导化工艺制备（Sr,Pb）TiO3系热敏电阻材料

用溶胶－凝胶法制取了钇（Ｙ）掺杂剂溶胶。利用Ｙ溶胶添加剂对钛酸锶铅Ｖ型正温度系数材料进行了半导化。为便于比较,制备了具有不同含量Ｙ溶胶添加剂及Ｙ２Ｏ３固相氧化物的（Ｓｒ０．５,Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品。实验结果表明,Ｙ溶胶作为半导化添加剂优于Ｙ２Ｏ３固相氧化物,它能改善（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ３系陶瓷的各项性能。通过Ｙ溶胶添加剂所制备的（Ｓｒ０．５,Ｐｂ０．５）ＴｉＯ３样品的最小电阻率为２．９０×１０２Ω·ｃｍ,其Ｙ溶胶引入量ｒ（Ｙ）为０．４５％。     

Cr2O3改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．     

La_2O_3－PbO－SrO－CuO四元系超导材料中的新相

Ｌａ２Ｏ３－ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＣｕＯ四元系超导材料中的新相蒋华车广灿＃李方华（中国科学院物理研究所，＃中国科学院物理研究所国家超导实验室，北京１０００８０）本文报道了Ｌａ２Ｏ３－ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＣｕＯ四元系超导材料的透射电子显微镜研究，发现该材料有一种...     

Sr－Pb－Bi系中高压介质瓷结构与性能研究

采用Ｘ射线、ＳＥＭ等分析手段，通过实验研究了以（Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ３复合钙钛矿为基的中高压介质瓷中，Ｐｂ、Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２含量（摩尔分数），ｎ值大小及ＭｎＣＯ３添加剂等因素对其微观结构及性能的影响规律。适当调节Ｐｂ含量，可获得一系列不同温度系数的高介低损耗瓷料；Ｂｉ２０３·ｎＴｉＯ２含量及ｎ值均存在优值；适量ＭｎＣＯ３作添加剂有利于介质损耗降低和介电常数温度系数的优化，室温介电常数会随其加入量的增加而降低。研制出εｒ＝２０００，ｔｇδ≤０．００５．试样｜△Ｃ／Ｃ｜≤１０％，综合性能好的中高压瓷料。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。     

PTCR型（Sr,Pb）TiO3陶瓷材料的半导化研究

研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。     

CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

串联叠加式固态脉冲调制器的设计

介绍了固态调制器电路常用的拓扑结构,讨论了开关直接串联与加法器叠加两种拓扑结构的特点。设计了基于IGBT的串联叠加式固态刚管脉冲调制器,调制器通过充电电源变压器实现电位隔离,采用6路调制单元串联叠加,并利用脉冲变压器升压至40 kV。重点讨论了该类型调制器研制中的关键技术,分析了脉冲变压器铁芯饱和现象并提出解决方法;讨论了吸收电路的计算选取,给出了有无吸收电路时,IGBT的C、E两端电压波形;分析并解决了脉冲波形过冲控制以及电磁干扰噪声抑制问题。     

视频版权自动认证系统的思考与设计

希望设计一套自动化,智能化,高效率的视频版权认证系统,系统总体采用了五层结构,设计了帧内数据的采样方法和由帧内采样数据构成的采样值数组,对该采样值数组进行哈希变换,求得了基本特征值,将得到的值组织成了四树权帧顺序寻址多层哈希树,将该哈希树与其他数据一起组织成了数据区块,本区块包含着前一数据区块的加密哈希值和当前时间戳,计算本数据区块的哈希值,将其加密存储在本区块的最后的数据位置,形成了数据区块链,对封面、封底区块进行加密,对整个数据打包,形成视频节目自动版权证书,论述了容错机制.     

基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术

STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。     

基于HSP50214B的256QAM信号的下变频实现

本文介绍了可编程数字下变频器件HSP50214B的内部结构和功能模块,并结合一种实际信号的下变频要求,介绍了器件与应用相关的输出方式、控制端口,并详细说明功能模块的参数设计。最后,通过VHDL硬件描述语言编程,利用可编程逻辑器件CPLD完成对HSP50214B的设计的实现。通过一个完整的软件无线电系统中下变频HSPS0214B的设计过程,介绍了HSP50214B的一般应用方法。     

A DFT study on ternary compounds of GaAlAs and InAlAs nanoclusters

The realistic structures such as hexagonal ring, hexagonal sheet, ladder and cube isomers of GaAlAs and InAlAs are designed and optimized using density functional theory. The hexagonal ring structure is found to be more stable from the calculated energy. The dipole moments of GaAlAs and InAlAs nanoclusters are reported and hexagonal ring of GaAlAs and ladder structure of InAlAs nanoclusters are found to have a high dipole moment. The point symmetry of GaAlAs and InAlAs nanoclusters has either C₁ or C_s symmetry. The HOMO–LUMO gap provides an insight into the transition of the electron for different isomers of GaAlAs and InAlAs clusters. The electron density depends on the geometry of the cluster. The electronic properties are discussed in terms of ionization potential and electron affinity. The hexagonal sheet isomer has the high value of IP and EA due to its geometry. The cube structured GaAlAs and InAlAs nanoclusters have the highest binding energy. The embedding energy is found to be low for GaAlAs and InAlAs hexagonal sheet isomers. The vibrational studies identify the stable clusters of GaAlAs and InAlAs nanoclusters. The result of the present work will give insight into tailoring and improving the electronic properties of GaAlAs and InAlAs nanoclusters which find their importance in optoelectronic devices.     

C波段宽带上变频器的集成化设计

介绍了一种C波段宽带上变频器的集成化设计。利用垂直过渡的形式提高了模块的集成度。用HFSS对垂直过渡进行了仿真,结果表明在整个C波段内,输入、输出驻波小于1.07。上变频器采用上、下分腔结构,上腔主要包含混频、滤波、放大功能,下腔主要包含功分、放大功能,上、下腔采用垂直过渡进行微波信号的级联。给出了上变频器的测试结果,带内平坦度小于1 dB,杂波抑制大于60 dB,测试结果验证了设计方法的正确性和可行性。该上变频模块已经用于雷达系统中。     

CAN总线接口扩展设计与驱动开发

介绍了一种基于S3C6410的CAN总线接口扩展方案,通过SPI接口对CAN接口进行扩展,并给出具体的硬件电路。重点研究了WINCE系统下独立CAN控制器MCP2515的驱动程序。结合CAN总线技术规范和MCP2515的特点设计了相关的软件代码,编写了CAN流接口驱动程序,实验结果表明,在WINCE系统下能够较好实现CAN总线的通信。     

108 GHz 功率放大器模块研制

介绍了105～108 GHz 频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100～110GHz 频段内插入损耗小于0.6 dB,回波小于-10 dB。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105～108GHz频段上增益大于13dB,输出功率大于200mW,达到预期设计指标。     

多站制CW雷达目标动态模拟器设计

针对多站制连续波（CW）雷达工作特点,设计了一种CW雷达目标动态模拟器,满足多站连续 波测 量系统动态模拟联试的需求。采用高性能CPCI工控机作为模拟器硬件平台,信号处理单元 以CPCI板卡为载体,模拟控制信息依据弹道数据生成。模拟器通过控制测距信号的时间延迟 ,实现目标距离变化的模拟;通过载波频移控制,实现目标速度的模拟;通过数控衰减器控 制模拟信号的幅度,实现目标信号强弱的模拟。通过多站制测量系统动态模拟联试,验证了 模拟器的有效性和距离与速度的相关性。