ZnO压敏元件非线性特性的劣化及恢复

分析了烧成和热处理工艺中可能导致 Zn O压敏元件非线性特性异常的因素 ,如炉温不匀、温度梯度太大 ,降温时间太长 ,炉道通风流量过大等。试验证明 ,在 90 0～ 10 5 0℃下 ,对非线性特性劣化的 Zn O压敏元件进行热处理 ,可使非线性特性恢复正常。     

籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。     

低压ZnO压敏陶瓷冲击老化特性

研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷元件的老化性能,分析了ＺｎＯ压敏陶瓷的冲击老化机理,探讨了改进ＺｎＯ压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明：低压ＺｎＯ压敏陶瓷在大电流冲击作用下,伏安特性的蜕变具有极性效应,冲击电流密度越大,冲击次数越多,冲击间隔愈短,伏安特性的蜕变愈严重。实验发现添加剂预烧及适量Ｓｉ、Ｂ氧化物掺杂可以较好地改善样品的抗老化性能     

低压ZnO压敏电阻器的配方研究

介绍了低压ＺｎＯ压敏电阻器的几个配方试验。此瓷料制作的瓷片其电性能：Ｕ（１ｍＡ＜５０Ｖ，非线性系数α＞３０，漏电流、通流能力均良好。     

低温烧结ZnO压敏陶瓷研究进展

ZnO压敏陶瓷具有优异的非线性特性,广泛应用于电子仪器和电力装置领域.为了满足电子元器件低压化、小型化和集成化的要求,必须开发出烧结温度低且能与Cu、Zn、Al等贱金属实现共烧兼容的ZnO压敏陶瓷体系.总结了当前ZnO压敏陶瓷低温烧结的研究现状,讨论了ZnO压敏陶瓷低温烧结方法的优缺点,同时分析了ZnO压敏陶瓷低温烧结...     

低压ZnO压敏电阻器性能的改善

制作低压ＺｎＯ压敏电阻器的一般方法是添加晶粒助长剂ＴｉＯ２。这样做虽然可降低梯度电压Ｖ１ｍＡ／ｍｍ，但同时也增大了漏电流ＩＬ，降低了元件的稳定性。在掺入ＴｉＯ２，使Ｖ１ｍＡ／ｍｍ下降的同时，适量掺入硼并在８５０℃下进行热处理，可改善小电流特性和非线性，减小ＩＬ，提高稳定性。     

ZnO压敏陶瓷界面态起源与本质的研究

以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质.分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N.的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用.因此,ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态.对界面态本质讨论的结果认为,应区分界面态密度N.及有效界面态密度ns,在做上述区分后,导电机理的解释及势垒高度Φb的计算将更趋于合理化.     

固体激光技术研究

三十年来，华北光电技术研究所在固体激光技术方面持续地、系统地开展一系列研究工作，为工程应用打下了良好的基础。本文对其主要方面作一简要评述。     

固体薄片激光器和固体热容激光器

介绍了能够实现高平均功率的两种固体激光器：固体薄片激光器和固体热容激光器。给出了它们的工作原理和理论上的工作参数。综述了固体薄片激光器和固体热容激光器的研究历史和现状,指出了高平均功率固体激光器未来的发展方向。     

功率合成技术在全固态发射机中的应用实例

在全固态发射机中,功率合成技术得到了广泛应用。结合六盘山电视调频转播台使用的TBV332型全固态调频广播发射机。简述了功率合成器的概念,分析了3种功率合成器在全固态调频广播发射机中的基本原理和应用．同时介绍了对发射机功率合成网络的要求。     

固态微波器件与电路的新进展

描述了固态微波器件与电路五个发展阶段,并重点就当前发展的InP HEMT、窄禁带材料HEMT和HBT、宽禁带材料MESFET和HEMT、RF CMOS、InP HBT、SiGe HBT、RF MEMS等七个领域的发展特点、2006年最新进展,以及未来发展趋势进行了介绍.并就我国发展固态微波器件与电路提出发展建议.     

热透镜效应对固体激光器输出影响研究

对含热透镜的固体激光器谐振腔进行理论分析,得到等效谐振腔的G参数,分析讨论G参数随泵浦功率的变化,给出了不同腔型输出功率的变化情况.采用TmYAP激光器作为研究对象,由实验验让了不同腔型激光输出功率的变化,得出对平平腔固体激光器而言,短腔适合高功率输出的结论.     

一种Ku波段固态发射机的设计

介绍一种Ku波段固态发射机的设计,本发射机是脉冲工作,采用了功率合成,输出脉冲功率45w,工作比为20％.     

新型固态发射机结构设计

介绍了某高机动雷达集中式固态发射机的新型结构，整个发射设备集成安装于一只方舱内，功放组件和开关电源分机共用静压箱，只要一只风机供风，首次设计应用矩形分配器和合成器。分析了整机结构、安装和连结、冷却设计以及主要分机结构设计特点。该新型结构设计精简了发射机结构，操作维护方便，节省了开机时间，提高了发射机性能。论文最后提出了固态发射机的结构研究方向。对固态发射机设计研究具有一定的参考价值。     

小型二极管泵浦固体激光器

简述了小型、微型二极管泵浦的ＮｄＹＶＯ４、ＮｄＹＡＧ、ＹｂＹＡＧ、ＧｒＬｉＳＡＦ激光器、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｅｒ激光器的技术现状。     

S波段高功率固态发射机

介绍了一种Ｓ波段高功率固态发射机。采用２４个千瓦量级的末级功放组件进行功率合成．获得１８ｋＷ以上的峰值功率,其脉冲宽度为１００μｓ,最大占空比可达１０％,瞬时带宽３００ＭＨｚ。     

C波段固态功放设计和实验研究

结合新近研制的两种功率放大器，介绍了C波段中功率固态功放的设计理论和方法，并用微波仿真软件对其偏置电路和功分／合成电路进行优化仿真，给出了仿真结果和电路版图。通过制作并测试两种放大器，验证了该设计方法的可行性。同时，给出了功放的实物照片和测试数据，该功放适用于C波段5．3～5．9GHz频段，功率量级分别为30W、50W，既可以连续波应用也可以脉冲工作，既可作为独立的放大器也可作为雷达功放组件的基本放大单元。