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红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究 总被引:4,自引:2,他引:2
推导了d^3(C^*3v)组态离子的中间场能量矩阵,建立了红宝石(Cr^3+:Al2O3)晶体基态^4A2零场分裂(ZFS)参量D及^2E态分裂△E(^2E)与晶体结构之间的定量关系;假设晶格畸变的基础上,统一地计算了Cr^3+:Al2O3晶体的ZFS参量D、Zeemang因子、精细光谱及^2E态的分裂△E(^2E),计算结果与实验观测十分吻合,定量的研究结果表明:当Cr^3+离子掺入Al2O3晶 相似文献
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液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
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Y1铁电薄膜材料研究进展 总被引:3,自引:2,他引:1
曾经引起铁电学界轰动的Y1材料,其组成已公之于世,其结构为(Bi2O2)2+(An-1BnO3n+1)2-氧化铋基层状铁电材料。目前研究较多的是SrBi2Ta2O9,SrBi2Nb2O9以及它们的固溶体。文章介绍了有关Y1材料的研究背景,研究现状及发展前景 相似文献
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《激光与光电子学进展》1994,(5)
激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5-Nd ̄(3+)1.LnBGe2O4(Ln=La-Er和Y)在结构上分为两类。有较大Ln(La-Pr)者具有CeBSiO5的非对称结构(C23—P31空间群),有较小Ln(Gd-Er和Y)者具有CaBSi... 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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激光熔敷NiCrSiB合金组织与物相研究 总被引:11,自引:2,他引:9
报道了对NiCrSiB激光熔敷合金中共晶组织的研究和观察,将共晶中的第二相标定为Ni31Si12。γ′(Ni3Si)相与γ(Ni,Cr)相共存于枝晶中,共晶包围着枝晶形成合金的基体,其上弥散分布着硬质强化相CrB,Ni3B和M23(CB)6。研究方法包括SEM(扫描电子显微镜),电子探针,XRD(X射线衍射),EDAX(能谱分析)和波谱分析等 相似文献
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研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。 相似文献
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激光晶体的研究领域当前又重新显现出空前活跃景象。就其发展方向可归结为LD泵浦激光晶体的探索,以及新波长激光材料和可调谐激光晶体的研究。扼要论述了近年来激光晶体的研究现状与发展方向。 相似文献
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Na_5Tb(WO_4)_4晶体的光谱特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
A_5Re(WO_4)_4(A为碱金属,Re为稀土元素)是一类高稀土浓度、低猝灭、高效基质发光材料,由于发光中心浓度高,有可能成为优良的激光材料。 本工作是在已有工作的基础上,继续研究不同稀土元素的Na_5Re(WO_4)_4晶体的光谱特性,旨在寻找更优良的发光晶体,为进一步研究它们的激光性能做准备。 相似文献
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回顾液晶科学和液晶显示技术的发展历程,盘点液晶科学和液晶显示产业的辉煌成就,列数为液晶科学和液晶显示产业做出贡献的国内外液晶领域科学家,赞叹液晶把世界显示得缤纷多彩,介绍《现代显示》杂志和河北工业大学应用物理系为中国液晶显示事业所尽的微薄贡献。 相似文献
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VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。 相似文献
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本文报导生长Nd:MgO:LiNbO_3晶体的工艺条件及在法国的应用,测试了晶体的吸收光谱及荧光光谱,实现了晶体具有低阈值、高斜率效率的连续激光输出及锁模调制等激光特性。此晶体已为法国用于制得波导激光器、波导放大器和FM锁模波导激光器。 相似文献
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