铒离子浓度对掺铒钒酸钇(Er~(3 ):YVO_4)的光谱及其3μm激光性质的影响

铒离子具有丰富的能级结构，在合适光源激发下，它的荧光谱覆盖了从红外、可见以致紫外的宽广的光谱区域．以它作为激光工作物质的激光晶体及其光谱和激光性质的研究受到广泛的重视．本文分别利用波长为808nm和978nm的半导体激光作激发源和抽运源分别对掺杂浓度为1％、5％、10％、以及30％原子百分比的Er3 ：YVO4晶体的荧光及3μm激光性质进行了研究．考察了Er3 浓度对荧光及激光性质的影响．由吸收谱的结果可以看到，在800nm和970nm附近具有吸收峰，在这两个波长位置上目前较容易实现大功率的半导体激光泵浦，因而这两条吸收线尤其对半导…     

小功率半导体激光二极管的稳定控制及其在原子实验中的应用

介绍一种高稳定的半导体激光二极管恒温、稳流控制方式。使用该方式电路，室温下半导体激光二极管注入电流波动为10^-5，温度波动优于10^-4。并介绍高稳定半导体二极管激光在原子超精细跃迁线形吸收谱和塞曼相干共振谱观测中的应用。     

半导体中超快过程的研究

用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程．通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载流子与载流子的散射几率有关;对于锗硅量子点,由于载流子的散射几率下降,使动量弛豫时间增加至130飞秒．用超快反射谱法测量了载流子的能量弛豫过程和扩散过程,用高能量激光激发得到载流子的能量弛豫时间约为几个皮秒,这与载流子与声子的散射几率密切相关;而用低能量激光激发可得到光生载流子的扩散时间约为1百皮秒量级．     

InBr分子光谱研究

ＩＩＩＡ族单卤化物由于其在卤素刻蚀半导体材料中的重要作用及在半导体淀积生成新的光电材料过程中作为一种重要媒介物而引起人们的关注．尤其是近年来报道了ＩＩＩＡ族单卤化物在可见光波段类似稀有气体单卤化物，具有激光作用的电子谱，更引起了人们的极大兴趣．因此，研究其基本的光谱性质、动力学过程及测量有关参数，具有重要意义． 本文采用激光诱导荧光方法对 ＩｎＢｒ分子的电子谱进行了研究，发现在 ３７７０５ ｃｍ－１附近存在一新电子态，并讨论了 ２６６ ｎｍ激光作用于 ＩｎＢｒ分子的激发、辐射通道．最后测量了 ＩｎＢｒ分…     

纳米微晶结构氧化锌中激子发光的研究进展

由于ZnO具有大的激子束缚能,有利于在室温下获得高效稳定的紫外辐射.因此,对ZnO激子发光的研究极有希望解决半导体照明、紫外半导体激光器等多种技术面临的瓶颈问题.综述了ZnO中激子的典型光致发光谱、激子的结构及复合发光过程.重点介绍了温度、激发功率、量子限域效应以及激光辐照等因素对ZnO激子发光的影响.     

单瓣近衍射极限输出的带外腔半导体激光器

实验研究了带外腔反馈注入的宽接触条形激光器，并用光线传输矩阵分析了该外腔结构。利用闪耀光栅及耦合输出反射镜对表面未镀增透膜的半导体激光器构成外腔，选择一定模式的激光反馈注入回激光器，从而限制了其他模式在半导体激光器内的振荡，压缩了激光器输出激光的光谱宽度。当激光器驱动电流为2．7倍阈值电流时，获得230mW输出功率，0．6nm谱宽，单瓣近衍射极限的激光输出。用一平面镜代替光栅作为外腔反射镜，获得了320mW输出功率，1．5nm谱宽的单瓣近衍射极限的激光输出。     

能提供高功率的Ar/Xe和F激光谱线的ArF/XeF准分子激光器

电激发的ArF/XeF准分子激光器中，在产生准分子辐射之前，观察到了稀有气体及氟原子谱线的激光发射。一些Ar/Xe的谱线终止于亚稳能级，它们对于了解ArF/XeF准分子的形成有很重要的意义。观察到了五条新的氟原子激光谱线。讨论了这些脉冲工作的原子、分子激光谱线在研究高气压放电条件下准分子态激发动力学的作用。     

激光诱导钾分子荧光谱

本文使用A激光器476．5nm谱线激发稠密钾蒸汽，观察K2扩散带发射谱，黄色谱区光强有若干个峰值且谱线红移出现连续谱和禁戒原子跃迁。K2扩散带强度与泡温无明显关系而直接依赖激光功率。文中对实验结果做了讨论。     

用发光聚合物制作新型激光器

半导体聚合物能做成“塑料”激光二极管吗？这个问题在一年前还不可能提出。然而，最近随着作为激光材料的半导体聚合物的出现，现在不仅能设想这样的器件，而且全世界都在朝这个目标开展积极研究。探索聚合物激光二极管可行性的第一重要步骤是用有希望的激活介质演示其光泵发光、受激发射、增益和激光发射情况。最近，已对十几种以上的不同半导体聚合物发射光谱（分布在整个可见谱范围[1-4]）与进行了观测并对照上述各种现象。本文重点是考察不同分子结构半导体聚合物与光泵激光有关的现象并推想建造“塑料”激光二级管的两种路线，半导体…     

光栅调谐外腔半导体激光器腔参量对其双稳动态特性的影响

本文通过对半导体激光器（LD）速率方程的数值求解，分析了外腔半导体激光器（ECLD）腔参量（谱线展宽因子α，LD面向外腔的端面反射率R等）对于双稳环跳变的动态特性的影响。     

氖瞬态光电流光谱机理的研究

已有的光电流光谱机理研究只限于使用CW激光照射或相当粗糙的唯象理论(且仅研究了氖的个别谱线)。本文使用毫微秒脉冲激光照射氖空阴极放电管,研究了氖的1S-2P跃迁的十七条谱线光电流信号随时间的变化,发现由亚稳态1S_5、1S_3激光到2P和由短寿命态1S_4激发到2P的谱线时间特性不同。在全面考虑激发、辐射跃迁和电离、复合过程后,根据有关能级原子数密度的变化建立并求解放电管中电子数密度方程,从理论上对光电流时间特性作出解释,理论与实验基本符合。     

专利

半导体激光泵浦固体激光系统由半导体激光器阵列、梯度折射率透镜阵列组成.半导体激光器阵列有很多激发激光的条形结构,激光阵列发出激光通过梯度折射率透镜会聚到固体激光器的端面上实现用光学方法泵浦固体激光.(美国专利号:5369661)     

半导体激光器稳频技术

窄线宽稳频激光器在精密干涉测量、光学频率标准、激光通信、激光陀螺、激光雷达、基本物理常数测量和冷原子系统等研究领域有着广泛的应用。自由运转的半导体激光器每天的频率漂移量可以达到GHz,因此研究半导体激光器的稳频具有十分重要的意义。以780 nm的半导体激光器稳频为例,介绍了目前广泛使用的各种半导体激光稳频技术的基本原理及试验方案,如消多普勒饱和吸收光谱稳频技术、消多普勒双色谱稳频技术、调制转移谱稳频技术、调频光谱稳频技术和频率-电压转换稳频技术,并对各种稳频方法的性能和特点进行了分析。     

若丹明6G乙醇溶液中566nm泵浦的高效可调谐激光输出

报道了使用 5 66nm波长的染料激光激发高浓度的若丹明 6G(R6G)乙醇溶液得到波长在 5 72nm -610nm的可调谐染料激光输出 ,光束发散角为 5mrad ,能量转换效率达到 10 %。比较了使用Nd :YAG激光倍频光 ( 5 3 2nm)与 5 66nm染料激光激励R6G乙醇溶液的不同结果。讨论了染料激光浓度调谐机理 ,并从染料溶液的吸收谱及激发谱讨论了染料溶液抽运光波长的选择。     

岩盐晶体用电场激发时产生激光振荡的可能性

碱卤晶体中色心的激光振荡开拓了在近红外光谱区获得有效的可调谐光源，并在可见和紫外光谱区建立这种光源的可能性。所有现存的色心激光器都是使用光泵激发的，一般使用气体离子激光器的辐射激发。如果能够用电泵浦直接激发，色心激光器的紧凑性将得到相当大的改善。     

布拉格反射波导光子晶体宽光谱量子阱激光器

半导体宽谱激光在传感、光谱学等领域有着重要的应用.传统半导体宽谱激光器主要采用宽增益材料和全反射波导,采用简单量子阱结构制备宽谱激光器一直是个难题.作者首次证明了一种基于布拉格反射波导一维光子晶体的新型量子阱宽谱激光器,其结构主要包括In Ga As/Ga As量子阱和上下布拉格反射镜,通过偏离解理实现激光输出.研究发现在偏离角7°时,器件展现宽谱超辐射发光二极管特性,4.4°偏离角时实现了宽光谱激光输出,光谱宽度达到33.7 nm,连续输出功率36 m W.本研究为探索新型量子阱宽谱激光器提出了一种新的技术途径.     

模具半导体激光强韧化工艺研究

为了研究模具材料半导体激光表面强韧化工艺,采用半导体激光表面淬火工艺,进行了7CrSiMnMoV,Cr12MoV,CrMo铸铁等典型模具材料半导体激光淬火的工艺研究,得到了不同模具材料优化的激光工艺参量。结果表明,激光表面淬火后的硬度满足模具材料的使用要求。这一结果为激光模具表面强韧化处理提供了可靠的保障。     

激光冷却半导体

法国格勒诺布尔高磁场实验室、马德里自治大学和德国慕尼黑科技大学的研究人员通过荧光升频转换,用激光将半导体由70Ｋ冷却到63Ｋ。工序依赖于特定电子态的谐振抽运,它引起由声子吸收过程激发的高能态产生的光致发光。光致发光带走净能量,将半导体冷却。所选半导体为二维砷化镓/砷化铝镓量子阱,它具有无交叠清晰光致发光谱线。1579ｅＶ(785ｎｍ)发射的Ｔｉ∶蓝宝石激光以高至4Ｗ/ｃｍ2的强度抽运材料。研究人员通过施加高达16Ｔ的外加磁场改善谱线输出,然后分析其结果,从而无需另外的温度计就可测量材料的温度。该技术可用来冷却电子元件。…     

采用聚四氟乙烯板表面预电离放电激发XeF准分子紫外发射谱

无外加氟施主情况下，在装有聚四氟乙烯面预电离板的准分子激光器中，放电激发Ｘｅ／Ｎｅ混合气体产生了ＸｅＦ准分子。研究了中心波长为３５１ｎｍ，３５３ｎｍ和３０８ｎｍ的发射谱。放电激发Ｋｒ／Ｎｅ混合气体，观察到了ＫｒＦ２４８ｎｍ发射谱。     

小型LD 脉冲激光测距仪的人眼安全控制

小型脉冲半导体激光测距仪使用的激光波长处于非人眼安全的波段如905nm，要保证测距仪的辐射安全性必须控制激光发射参数。在设计高精度远距离半导体激光测距仪的过程中，必须提高激光发射功率和频率。本文讨论了在设计过程中，满足激光辐射安全国标的最佳激光发射参数。