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国外红外用大尺寸锗晶体的生产方法及水平 总被引:3,自引:2,他引:1
介绍了美国、独联体、日本、比利时和以色列用于8 ̄12μm红外系的锗 晶体的生产地、定向结晶法、铸造法、斯捷潘诺夫法、旋转晶片法、斯拉克巴杰法和籽晶垂直梯度凝固法,国外已分别用CZI地和定向凝固法生产出Φ300mm和Φ520mm的大直径锗单晶。 相似文献
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半导体材料的红外光学特性及应用 总被引:7,自引:1,他引:6
综述了半导体材料的红外光学性能及相关的力学、热学性能,讨论了影响红外透过率的主要因素,介绍了几种半导体材料在红外光学方面的应用 相似文献
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1影响因素概述光学高温计是一种非接触式的高温测量仪表,目前,光学高温计被广泛地用来测量浇铸、轧钢、玻璃熔融、锻打、热处理等的温度,是冶金、化工和机械等工业生产过程中不可缺少的高温测量仪表。光学高温计在正确的运用情况下,读数的准确度一般保持在±10℃。但在某些情况下,虽然操作正确,温度的读数仍可能与实际值相差悬殊。因此光学高温计在实际使用时,若遇到影响光学高温计读数正确性因素时必须加以修正。影响光学高温计读数正确性的因素,有以下几项:(1)非全黑体的影响;(2)吸收介质的影响;(3)反射光线的影响;(4)仪表周围温度的变化;… 相似文献
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锗纳米线的制备与生长机理 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了锗纳米线在制备技术、生长机理方面的研究现状与最新进展,主要对溶剂热合成法、化学气相沉积(CVD)法、模板法和激光烧蚀法等制备方法和金属催化气-液-固(VLS)生长机理、氧化物辅助生长机理等作了较为详尽的论述。 相似文献
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简要叙述了Nd-Fe-B合金在平衡、非平衡条件下的凝固规律及其晶体生长特点。高性能烧结Nd—Fe-B磁体对母合金组织的要求(不含α—Fe,具有明显的柱状晶,柱状晶尺寸均匀,宽度在5~25μm之间,富Nd相有序排列,分布均匀)及Nd-Fe—B磁体在通讯、电子、医疗等行业的大量应用,促进了新兴近快冷厚带制备技术的诞生。系统阐述了新兴近快冷厚带制备技术的特点与优势;从柱状品的生长条件出发,重点说明了诸如化学成分优化、氧含量、温度场、冷却速度等关键工艺参数的控制原则。 相似文献
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采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOVPE)工艺 ,分别在p型和n型Ge衬底上生长了GaAs电池 ,发现Ge甚至可以扩散到GaAs电池结区 ,导致电池性能严重下降 ,而Ga和As的扩散 ,常常导致异常Ⅳ曲线 ;在GaAs外延层观察到的主要晶体缺陷是反相畴和线位错 ,通过降低生长温度和优化成核条件 ,获得了较好的界面特性 ,在n Ge衬底上获得了效率为 2 0 .2 % (AM0 ,2 5℃ ,2cm× 4cm)的GaAs电池 ,在p Ge衬底上获得了性能较好的Ge电池。 相似文献
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“B”试剂回收锗新工艺在我厂的应用及改进 总被引:1,自引:1,他引:0
肖华利 《稀有金属与硬质合金》1996,(1):11-14
介绍了“B”试剂回收锗新工艺在株洲冶炼厂生产应用情况。针对生产中出现的问题,对该工艺进行了改进研究。结果表明:将连续补加YW-100改为间断补加YW-100,可以使YW-100的耗量降至连续外加的1/6~1/4,并减轻了萃取过程中的乳化现象;将反萃剂“B”试剂浓度由原工艺的2.0~2.3mol/L降至0.5~1.0mol/L,可以省去滤饼两次洗涤工序和蒸发工序,并解决了循环液体积膨胀需定期排放的污染环境问题,从而提高了锗的回收率和降低了“B”试剂的耗量。生产实践证明了上述结果。 相似文献
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评估了氧和铝在Al2O3中的自扩散参数,分析了其扩散机理.得出:(1)在1770~2100K 温度范围内,氧分压不超过1.0×105Pa时,杂质总含量为30×10-6~500×10-6,Mg,Ti含量低于30× 10-6的未掺杂Al2O3单晶中,氧的自扩散系数与温度的关系式,氧分压和扩散方向对该扩散系数 值影响不明显.(2)在1943~2178K范围,多晶Al2O3中铝的自扩散系数在10-15到10-14m2/s之间, 扩散活化能为 477 kJ/mol.(3)单晶Al2O3中主要杂质为TiO2和 MgO,掺Ti将降低氧的自扩散系 数,增加铝的自扩散系数;掺Mg使氧的自扩散系数略有增加;其他杂质对氧和铝在Al2O3中的 扩散系数影响不大.(4)氧和铝均通过空位扩散. 相似文献
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The effect of buried misfit dislocation on the distribution of Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on a relaxed SiGe buffer layer was investigated. The strain field of arrays of buried dislocations in a relaxed SiGe buffer layer provided preferential nucleation sites for quantum dots. Burgers vector analysis using plan-view transmission electron microscopy (TEM) verified that the preferential nucleation sites of Ge SAQDs depended on the Burgers vector direction of corresponding dislocations. The measurement of the lateral distance between SAQDs and dislocations together with crosssection TEM observation clarified that the location of SAQDs was at the intersection of the dislocation slip plane and the top surface. The misfit strain should be an additional factor governing the uniformity in size, shape and distribution of Ge SAQDs. 相似文献