光学击穿时闪光点的念球现象

气态、液态以及固态介质的光学击穿，都出现闪光现象，其结构是念球形的。本文着重讨论了光学击穿的念球现象。     

高功率微波大气击穿的理论分析与计算

本文对高功率微波（ＨＰＭ）在大气中的击穿进行了理论分析与数值计算，推导出“尾蚀”效应的时间解析公式，且数值计算与该公式的结果基本一致，解析分析与数值模拟的结果都说明了ＨＰＭ在大气中所能传输的能量与微波的初始能量密切相关，在ＨＰＭ场强超过击穿阈值愈高时。尾蚀效应愈严重，逃逸时间愈短，当ＨＰＭ的功率密度大于３０ｋＷ／ｃｍ＾２时，穿过大气的能量增加很少。     

脉冲激光导致水光学击穿阈值计算的简化模型

通过对自由电子密度速率方程的简化,得到了计算光学击穿阂值的解析式。将计算结果与波长分别在可见光和近红外波段,脉宽分别为纳秒、皮秒和飞秒的激光脉冲在纯净水和含有杂质的水中实验测量的击穿阈值做了比较,吻合较好。对于纳秒激光脉冲。在纯净水中多光子电离提供初始电子,随后雪崩电离很快在电离的过程中占主导地位。对于短脉冲,多光子电离作用显得尤为重要,并且在击穿的过程中复合损失和碰撞损失对击穿阈值的影响逐渐消失。     

金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应

金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应.目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少.研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始发生的瞬时电介质击穿(TZDB)效应和测试过程中产生的时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应.此外,电介质层材料的介电常数值越高,其耐电介质击穿的能力越高.析出效应的监测电场强度的设定值应该同时考虑电介质层材料与测试结构的特性,监测电场强度的设定范围建议为0.15～0.24 MV/cm,以防止在析出效应监测过程中发生电介质击穿,混淆两种不同的失效机理,造成误判.     

空气击穿过程中电子损耗对击穿阈值的影响

通过对高功率激光空气击穿的物理机理、电离机制的讨论,得到空气击穿过程中激光焦区内自由电子密度公式。考虑电子弹性碰撞损耗、电子复合损耗影响,给出了新的击穿阈值公式。该公式的计算结果同实验数据一致。     

飞秒激光致双液滴光学击穿和等离子体分布研究

为了研究超短激光脉冲与双液滴相互作用过程中的光学击穿和等离子体分布,基于麦克斯韦方程组和电离速率方程,构建了飞秒激光与双液滴的瞬态耦合模型,使用有限元分析方法,对飞秒激光辐照微米量级双液滴的自由电子密度和光场分布进行了计算,得到了双液滴结构对液滴光学击穿和等离子体变化的影响。结果表明,第2个液滴的击穿阈值约为同等条件下单液滴击穿阈值的35%;等离子体的形态和击穿点的位置随双液滴间距发生变化,且在聚焦区域产生纳米等离子体射流;第2个液滴对激光能量的吸收随着双液滴间距的增加而减少;当分别使用满足击穿阈值的光强入射,双液滴吸收的能量约为单液滴的3%;第2个液滴对激光能量的吸收随光强增大而增大,能量吸收比例最终趋于0.01,仅为单液滴的1.5%。该研究为激光诱导水击穿和激光在大气中的传输提供了一定的参考。     

紫(外)激光作用下Si(CH3)4的MPI与Si原子的共振电离

在紫（外）激光作用下,利用平行板电极装置及飞行时间（ＴＯＦ）质谱仪,研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子的多光子电离（ＭＰＩ）、多光子解离（ＭＰＤ）及由Ｓｉ（ＣＨ３）４解离产生的Ｓｉ原子的共振电离。得到了４０４－３７８ｎｍ内Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＭＰＩ光谱及某些波长点处的ＴＯＦ质谱。根据实验结果,讨论了Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＰＩ机理,得到了一些有意义的结论。     

聚焦光学系统光学限制效应的分析

本文利用高斯分解法给出了聚焦光学系统中光学非线性介质引起的光学限制效应，以及几何排布对其的影响。结果表明，近场几何排布下的光学限制效应十分不同于远场情况。具有正非线性系数的介质是不能用来做光学限制介质的。     

飞秒激光诱导水光学击穿的椭球体模型

基于飞秒激光脉冲在焦点区域的成形特征和速率方程,通过对自由电子密度速率方程中电子扩散速率和雪崩速率的修正,提出了适用于飞秒激光脉冲诱导水光学击穿的椭球体(ETS)模型.采用四阶朗格-库塔(Runge-Kutta)方法对该模型进行了脉宽为100 fs和300 fs情况下的数值模似.得到了光学击穿阈值以及击穿区域内不同时刻的电子分布,并且预测了焦点区域内不同位置处自由电子随时间的变化趋势.结果表明,用ETS模型计算出的水的击穿阈值较传统模型更好地与实验结果吻合.     

理想聚焦系统光限幅效应的理论分析

本文利用高斯分解法对聚焦光学系统中非线性介质引起的光限幅效应进行了优化分析,首次讨论了远场和近场（焦平面上）几何排布下的光限幅效应和灵敏度,且详细地分析了远场情况光限幅效应与样品到小孔距离的关系。     

新型低击穿电压He—Ne激光器

本文介绍了新型低击穿电压He-Ne激光器的基本工作原理与特性。我们研制的250mm新型He-Ne激光器,与普通型He-Ne激光器相比,其击穿电压可下降1/3左右,激光管工作时管压降下降300～500V,而激光功率却有所增高。     

表面波声—电—光效应及其在光信号处理中的应用

本文综述了国外表面波声—电—光效应和器件的发展。叙述了表面波声—电—光效应的基本概念、信号处理功能以及它在光信息处理中的应用。     

Improved Breakdown Voltage of Partially Depleted SOI nMOSFETs with Half-Back-Channel Implantation

:FB (floating-body) and BC (body-contact) partially depleted SOI nMOSFETs with HBC(half-back-channel) implantation are fabricated.Test results show that such devices have good performance in delaying the occurrence of the "kink" phenomenon and improving the breakdown voltage as compared to conventional PDSOI nMOSFETs,while not decreasing the threshold voltage of the back gate obviously.Numerical simulation shows that a reduced electrical field in the drain contributes to the improvement of the breakdown voltage and a delay of the "kink" effect.A detailed analysis is given for the cause of such improvement of breakdown voltage and the delay of the "kink" effect.     

采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压

制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs.测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说,在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现,并且背栅阈值电压没有太大的变化.数值模拟表明降低的电场有助于击穿特性的提高和翘曲现象的延缓.详细分析了提高击穿特性和延缓翘曲效应的原因.     

显微结构对BaTiO3陶瓷电热性能的影响

该文研究了显微结构对BaTiO3陶瓷电热特性与击穿电场的影响.采用固相反应法制备BaTiO3粉体,经干压结合冷等静压工艺成型后,在不同温度下烧结成陶瓷样品.随烧结温度提高,陶瓷晶粒长大、结构更致密,由此导致极化强度与电热效应绝热变温明显提高,但击穿电场下降.等静压工艺可进一步提升瓷体致密度并促进晶粒长大,使电热效应提升.     

聚腈分子的飞秒时间分辨光克尔效应

本文利用飞秒时间分辩光克尔效应，对主链为Ｃ＝Ｎ结构的两种共轭聚腈高分子的溶液和薄膜进行研究，所测得的时间分辨光克尔信号均表现为超快响应。     

基于布里渊效应的连续分布式光纤传感技术

基于布里渊效应的光纤传感(BEOFS)技术具有长距离、高精度、连续分布式、多参量传感的独特优点,在介绍BEOFS技术的原理、发展现状以及重要应用领域的基础上,对实现长距离、高精度、快速分布式布里渊光纤传感的关键技术进行研究和探讨,给出了提高系统传感速度的方案.