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气态、液态以及固态介质的光学击穿,都出现闪光现象,其结构是念球形的。本文着重讨论了光学击穿的念球现象。 相似文献
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高功率微波大气击穿的理论分析与计算 总被引:8,自引:0,他引:8
本文对高功率微波(HPM)在大气中的击穿进行了理论分析与数值计算,推导出“尾蚀”效应的时间解析公式,且数值计算与该公式的结果基本一致,解析分析与数值模拟的结果都说明了HPM在大气中所能传输的能量与微波的初始能量密切相关,在HPM场强超过击穿阈值愈高时。尾蚀效应愈严重,逃逸时间愈短,当HPM的功率密度大于30kW/cm^2时,穿过大气的能量增加很少。 相似文献
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金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应.目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少.研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始发生的瞬时电介质击穿(TZDB)效应和测试过程中产生的时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应.此外,电介质层材料的介电常数值越高,其耐电介质击穿的能力越高.析出效应的监测电场强度的设定值应该同时考虑电介质层材料与测试结构的特性,监测电场强度的设定范围建议为0.15~0.24 MV/cm,以防止在析出效应监测过程中发生电介质击穿,混淆两种不同的失效机理,造成误判. 相似文献
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为了研究超短激光脉冲与双液滴相互作用过程中的光学击穿和等离子体分布,基于麦克斯韦方程组和电离速率方程,构建了飞秒激光与双液滴的瞬态耦合模型,使用有限元分析方法,对飞秒激光辐照微米量级双液滴的自由电子密度和光场分布进行了计算,得到了双液滴结构对液滴光学击穿和等离子体变化的影响。结果表明,第2个液滴的击穿阈值约为同等条件下单液滴击穿阈值的35%;等离子体的形态和击穿点的位置随双液滴间距发生变化,且在聚焦区域产生纳米等离子体射流;第2个液滴对激光能量的吸收随着双液滴间距的增加而减少;当分别使用满足击穿阈值的光强入射,双液滴吸收的能量约为单液滴的3%;第2个液滴对激光能量的吸收随光强增大而增大,能量吸收比例最终趋于0.01,仅为单液滴的1.5%。该研究为激光诱导水击穿和激光在大气中的传输提供了一定的参考。 相似文献
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聚焦光学系统光学限制效应的分析 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用高斯分解法给出了聚焦光学系统中光学非线性介质引起的光学限制效应,以及几何排布对其的影响。结果表明,近场几何排布下的光学限制效应十分不同于远场情况。具有正非线性系数的介质是不能用来做光学限制介质的。 相似文献
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研究了场板终端技术对改善 MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用 ,结果表明 ,MOSFET在高压应用时 ,漏极靠近表面的 PN结处电场最强 ,决定器件的击穿特性。通过对实验研究与计算机模拟结果的分析 ,表明在不同的栅压下 ,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响 ,合理地控制场板长度能有效地提高器件的击穿电压。 相似文献
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飞秒激光诱导水光学击穿的椭球体模型 总被引:2,自引:0,他引:2
基于飞秒激光脉冲在焦点区域的成形特征和速率方程,通过对自由电子密度速率方程中电子扩散速率和雪崩速率的修正,提出了适用于飞秒激光脉冲诱导水光学击穿的椭球体(ETS)模型.采用四阶朗格-库塔(Runge-Kutta)方法对该模型进行了脉宽为100 fs和300 fs情况下的数值模似.得到了光学击穿阈值以及击穿区域内不同时刻的电子分布,并且预测了焦点区域内不同位置处自由电子随时间的变化趋势.结果表明,用ETS模型计算出的水的击穿阈值较传统模型更好地与实验结果吻合. 相似文献
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本文介绍了新型低击穿电压He-Ne激光器的基本工作原理与特性。我们研制的250mm新型He-Ne激光器,与普通型He-Ne激光器相比,其击穿电压可下降1/3左右,激光管工作时管压降下降300~500V,而激光功率却有所增高。 相似文献
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表面波声—电—光效应及其在光信号处理中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
本文综述了国外表面波声—电—光效应和器件的发展。叙述了表面波声—电—光效应的基本概念、信号处理功能以及它在光信息处理中的应用。 相似文献
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本文利用飞秒时间分辩光克尔效应,对主链为C=N结构的两种共轭聚腈高分子的溶液和薄膜进行研究,所测得的时间分辨光克尔信号均表现为超快响应。 相似文献
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基于布里渊效应的连续分布式光纤传感技术 总被引:2,自引:0,他引:2
基于布里渊效应的光纤传感(BEOFS)技术具有长距离、高精度、连续分布式、多参量传感的独特优点,在介绍BEOFS技术的原理、发展现状以及重要应用领域的基础上,对实现长距离、高精度、快速分布式布里渊光纤传感的关键技术进行研究和探讨,给出了提高系统传感速度的方案. 相似文献
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薄栅氮化物的击穿特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果 相似文献
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