S 波段20kW 平均功率正交场放大器研究

针对S 波段长脉宽、大工作比正交场放大器应用需求,仿真优化了短管支撑曲折线慢波结构的色散及耦合阻抗特性,提出了输能结构改进方案,对高频系统进行了优化设计,仿真结果与冷测结果具有较好一致性,冷测结果表明,该设计实现了高频系统的宽频带及高效率。首次采用99.5% 细晶氧化铝陶瓷作为控制极与阴极间绝缘介质,解决了绝缘组件大平均电流下击穿问题。首次采用固态放大器和二级正交场放大器搭建了三级放大链测试系统,实现了S 波段正交场放大器大工作比测试,热测结果表明,在脉冲宽度300μs、工作比8% 条件下,该放大器在300 MHz 带宽内脉冲功率大于250 kW,平均功率大于20 kW,全带宽内效率大于52%,该放大器使S 波段大功率正交场放大器技术水平迈上了新台阶,也是当前国际上脉冲宽度最宽、工作比最大的正交场放大器产品。     

C波段高增益放大器的设计

为了使放大器在C波段得到足够大的放大效果,提出了二级放大电路的设计方案,采用两个放大器串联的方式,并完成相关的设计。相关设计主要包括偏置电路、匹配电路等,在ADS环境下计算微带线的尺寸并对放大电路进行仿真。通过实际测试,达到了预期的效果。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

<正>微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm,双栅     

高增益,10%带宽,兆瓦级,L波段速调管放大器

本文叙述了一种高增益、10％带宽、兆瓦级,L波段速调管放大器D4038管在电压78.5kV,电流44.5A工作条件下,1.5dB瞬时带宽峰值功率输出1.4MW,平均功率7.6kW,整个带宽内增益大于47dB,效率大于30％;文中还描述了该管的设计考虑和要解决的主要技术关键;着重介绍了谐振性耦合腔输出通路的设计(简称RCCO),并给出实际热测结果。     

一种低噪声,高增益放大器的设计

适合于不同应用场合的放大器种类很多,设计的侧重点不同。本文针对通信系统、信号检测中广泛应用的低噪声、高增益放大器,扼要地阐述这类放大器的设计方法,并给出设计实例。     

X波段300 kW正交场放大器设计

首次提出采用高二次发射系数铂钡合金作为冷阴极,实现了X波段正交场放大器(CFA)宽脉冲和大工作比稳定工作。提出了双螺旋耦合翼片慢波结构与波导之间采用缝隙耦合加切比雪夫阻抗变换器输能结构设计方案。通过对慢波结构及高频系统仿真分析与设计,实现了慢波结构与输能组件间的宽频带良好匹配,电压驻波比及插损特性仿真结果与冷测结果具有很好的一致性。热测结果表明,放大器在1 GHz带宽内脉冲功率大于300 kW,效率大于57%,增益大于14 dB,填补了国内X波段宽带大功率正交场放大器的空白,是当前国际上脉冲宽度最宽、工作比最大的X波段正交场放大器产品。     

60倍高增益钕玻璃放大器

激光二极管(LD)抽运的高增益钕玻璃激光放大器具有增益频带宽、热影响少、能够重复频率工作、体积小等优点,并且因为容易与大口径的钕玻璃放大器组合实现超大能量的激光输出,使得其在强场物理领域应用广泛。但由于钕玻璃受激发射截面小,比YAG等常用的激光晶体低1个数量级,所以要实现高增益放大倍率较困难。中国科学院北京国科世纪激光技术有限公司采用三维旋转对称抽运结构,如图1所示,玻璃管外壁与激光二极管相对的部分镀有反光膜,玻璃棒和玻璃管之间通循环冷却水。图2为增益放大的光路。在注入钕玻璃放大器的能量分别为18μJ和30μJ时,…     

高增益二极管泵浦固体激光放大器

对高增益二极管泵浦固体激光放大器进行了设计,在输入脉冲峰值功率为１～１０００Ｗ级、脉宽为１０～３０ｎｓ的条件下,利用８０８ｎｍ半导体泵浦源对一种新型几何结构的固体增益介质进行泵浦,实现１００ｍＪ级的脉冲能量输出。     

高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器．该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成．电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好．MMIC芯片测试指标如下：在1.9～4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB．芯片尺寸：1mm×2mm×0.1mm．这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器．     

高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器

报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9～4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.     

S波段高效GaN逆E类功率放大器

介绍一种高效逆E类功率放大器的设计方法,并选用GaN器件设计了工作于2.3GHz的逆E类功率放大器。当供电26V,输入功率26dBm时,放大器输出功率40.2dBm,工作效率76.1%,PAE为73.3%。提供了详尽的仿真与实测数据并对放大器性能进行分析。用数字预失真技术对逆E类功率放大器进行线性化校正并取得了良好的效果。     

基于复合介质结构的圆波导高增益阵列天线研究

该文提出了一种基于复合介质结构覆层来提高圆波导天线阵列增益的新方法,利用数值分析方法对异向介质结构和基于异向介质结构圆波导高增益天线阵列的电磁特性进行了数值仿真研究,并将它们与传统圆波导天线阵列进行了比较。结果表明, 应用这种复合介质覆层结构可以有效地实现辐射能量的聚集,从而提高了天线阵列的增益,降低了天线阵列副瓣电平,有效地改善了天线阵列的辐射特性。     

S波段GaN大功率放大器的设计与实现

本文介绍了基于新型GaN宽禁带半导体材料的大功率器件的特点和优势,采用微波仿真软件ADS对一款S波段的GaNMOSFET进行优化仿真设计,得到了良好的仿真结果,并给出了该功放的实物和测试数据。测试结果表明,该功放适用于2．1～2．7GHz,功率量级为IOOW,连续波和脉冲制式均可工作,对GaNMOSFET功率器件高增益...     

一种高增益的CMOS差分跨导放大器

本文设计了一种可用于∑△A/D转换器的全差分跨导放大器（OTA）。本放大器采用0.6μm工艺实现，其两级间使用共源共栅补偿、并采用了动态共模反馈，其标定动态范围（DR）为82.8dB、开环直流增益为90.9dB，在最坏情况下需要84.3ns以稳定到0.1%的精度。     

CMOS高线性变增益放大器

设计了用于无线接收机的中频变增益放大器.该放大器由运算放大器和电阻反馈网络组成.分析了闭环变增益放大器产生失真的原因,通过提高输出电阻的线性等方法降低了输出大信号的失真.设计的全差分变增益放大器使用韩国"东部"CMOS 0.25 μ m工艺,电源电压3.3V,在2Vpp差分输出下,失真低于-80dB,放大器功耗3mW.     

一种高增益三级运算放大器

提出了一种高增益三级运算放大器。采用五管全差分、套筒式共源共栅、典型共源级结构作为运算放大器的放大级,采用共模抑制电路、频率补偿电路、高摆幅偏置电路,提高了运算放大器的性能。结果表明,在3 V电源电压、4 pF负载电容的条件下,该运算放大器的开环直流增益为155 dB,单位增益带宽为112 MHz,相位裕度为84.1°,电源抑制比为151 dB,共模抑制比为-168 dB。该运算放大器的补偿电容较小,节省了面积。     

L波段高增益功放模块设计

设计了一种小型化L波段高效率高增益脉冲功率放大模块,该模块使用微波混合集成电路技术,其体积比同等性能传统L波段功率放大器大大减小。测试结果表明,在工作电压36V、脉宽200μs、占空比10%时,L波段1.2~1.4GHz带宽内模块输出功率能达到80 W,增益近40dB,总效率大于40%,模块体积仅有25.5 mm×22.0mm×5.0mm。