硅各向异性腐蚀的计算机模拟

介绍了硅各向异性腐蚀的特点和采用的模型,分析影响硅各向异性腐蚀速率的因素,然后借助计算机MEMS CAD软件ACES和IMEE对硅在KOH溶液情况下各向异性腐蚀情况进行了模拟,其模拟结果对硅各向异性腐蚀速率的研究有一定的参考价值.     

硅各向异性腐蚀中自动终止技术的研究

本文就 P~+重掺杂硼扩散自动终止腐蚀技术进行了研究,得到了腐蚀速率比随杂质浓度变化的曲线。并用氧化-还原反应理论对实验结果进行了解释。     

利用硅的各向异性腐蚀技术批量制作压力传感器

介绍一种新颖的采用硅的各向异性化学腐蚀工艺形成压力传感器的技术.给出了各向异性腐蚀的机理,报告了三种不同腐蚀液(KOH,EPW,TMAH)的腐蚀工艺及实验结果.并结合腐蚀技术介绍了硅电容压力传感器的制作工艺.     

各向异性基底上超薄膜生长的计算机模拟

通过改变原子沿不同方向的扩散概率P ,原子在基底上的扩散步数W及沿周界的扩散步数W′,得到与实验结果一致的分形生长、枝晶状生长、团状生长等生长形态和“台阶流动”的生长现象以及相应的定量结果     

压力传感器中的各向异性腐蚀技术

研究了半导体压阻式压力传感器制作中的关键工艺——硅各向异性腐蚀．采用两种腐蚀液：m(TMAH)：V(H2O)=50g：50ml和m(KOH)：V(IPA)：V(H2O)=50g：15ml：35ml,在80～85℃腐蚀,均获得了较为理想的效果．制作的1MPa多晶硅压力传感器的输出线性度、迟滞和重复性分别约为0．06％、0．02％和0．02％．     

几类各向异性介质中震源的数值模拟

本文根据弹性理论中的几个基本方程。导出弹性均匀各向异性中的Christoffel 方程。及由此得出地震波的传播速度与介质的弹性参数间的数值关系,并利用有限元法计算出波场.     

饱和岩石各向异性弹塑性损伤模拟

自然界岩石是各向异性的,其破坏性也是非均匀的,岩石各向异性力学特性研究非常必要.提出了一种弹塑性破坏模型,该模型可以描述弹性变性、损伤不可逆变形和塑性变形,以二阶张量来描述损伤的扩展,损伤演化相关于微裂纹扩展标准.并以应变自由能获得有效弹性刚度矩阵,推导出了损伤参数限制范围,提出了以室内试验决定损伤参数的相应表达式.模拟了不同加载路径情况下的岩石力学行为,数值结果和试验结果较为一致.该模型被推广应用于不同加载路径的岩石水力学行为的模拟之中,数值结果显示该模型能模拟岩石孔隙水力学基本特征.     

各向异性DLA集团的计算机模拟研究

利用计算机模拟得到了不同跳动概率之差下各向异性DLA集团的计算机模拟图，根据M(r)∝r^D。获得了其Hausdorff维数，并讨论了跳动概率之差和各向异性DLA集团结构之间的关系．模拟结果表明：不同S-Q下的DLA集团均具有菱形结构，且随着S-Q的增加，DLA集团渐趋扁长，维数逐渐降低,当S-Q趋向于1时，DLA集团的形状将趋向于水平方向上的一条直线，维数趋向于1．在平面区域((x，y)x∈(-∞，∞)，y∈(-α，α))内的粒子数Ny和在{(x，y)|x∈(-α，α)，y∈(-∞，∞))内的粒子数Nx之差Ny-Nx随着S-Q的增加而快速增大，且当S-Q不变时，P=R越大，Ny-Nx也越大,当S-Q不变时，随着α的增加，Ny-Nx近似线性增加。     

热分层湍流计算机模拟的数学模型研究

以湍流标准ｋ－ε模型为基础,综合考虑代数应力模型（ＡＳＭ）及湍流热流输运方程,建立了热分层流动的热浮力湍流修正数学模型。理论及在液纳空腔内的热分层湍流计算机模拟中的应用表明,该模型在一程度上反映了由于流动过程中温度不均而导致的各向异性特征,并为解决热分层流中温度随时间变化的计算机模拟难题提供了一个较为简单,稳定的模型。     

各向异性DLA集团的计算机模拟研究

利用计算机模拟得到了不同跳动概率之差下各向异性DLA集团的计算机模拟图,根据M(r)∝rD获得了其Hausdorff维数,并讨论了跳动概率之差和各向异性DLA集团结构之间的关系.模拟结果表明:不同S-Q下的DLA集团均具有菱形结构,且随着S-Q的增加,DLA集团渐趋扁长,维数逐渐降低.当S-Q趋向于1时,DLA集团的形状将趋向于水平方向上的一条直线,维数趋向于1.在平面区域{(x,y)|x∈(-∞,∞),y∈(-a,a)}内的粒子数Ny和在{(x,y)|x∈(-a,a),y∈(-∞,∞)}内的粒子数Nx之差Ny-Nx随着S-Q的增加而快速增大,且当S-Q不变时,P=R越大,Ny-Nx也越大.当S-Q不变时,随着a的增加,Ny-Nx近似线性增加.     

硅微机械加工的削角补偿技术

通过分析硅的结晶学特性及实验考察硅各向异性腐的择估腐蚀面和削角线，研究了尖角与玟角的掩模补偿方案，提取了削角因子，并且给出了针对于特定腐蚀深度的最佳补偿图形及设计参数。研究结果表明该方法可对硅微机械加工中凸角腐蚀的削角部分进行全面补偿。     

硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究

掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.     

Experimental Study on Wax Protective Coating for Wet Deep Silicon Etching Processes

Inthefabricationofsilicon basedMEMSde vices,3Dstructuresneedtobeformedbymeansof anisotropicetchingprocesses,inwhichcavities,can tilevers,diaphragmsandahostofotherstructuresare carvedoutofamonolithicsiliconsubstrate.Anisotropicwetetchingprocesseswithconcen…     

高密度各向异性速度分析技术及应用

常规的NMO技术是在假设地层各向同性的前提下提出来的,而真实的地层却是各向异性的,如果用常规的NMO技术进行地震数据的处理势必会影响数据的成像质量。近些年来随着海上地震采集技术的不断发展,电缆长度不断增加,使得地层各向异性的影响更加突出。本文对不同海域大偏移距地震数据进行了高密度各向异性速度分析技术的应用,从对比该技术与常规NMO技术得出的道集和叠加剖面上看,该技术获得了更好的效果,从而论证了高密度各向异性速度分析技术能够较好地解决地层各向异性带来的问题。     

基于米字型各向异性扩散的破损藏式古唐卡修复研究

在利用原始的BSCB模型修复图像时,其扩散过程会造成图像的等照度线有一定程度上的交叉,使得修复后的图像视觉效果不太理想。针对以上问题,通过对原始的PM各向异性扩散模型进行改进,提出了米字型各向异性扩散模型,然后将其应用到BSCB模型的扩散过程中,提出了改进的BSCB图像修复模型。最后,利用文中提出的修复模型和其他的改进的BSCB模型对破损古唐卡图像进行修复。结果表明,和原始的BSCB模型以及其他改进的BSCB模型相比较,提出的模型在没有增加算法的时间复杂度的情况下,在视觉效果上和均方误差（MeanSquareError,MSE）的评价指标上表现都很突出。     

Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用

对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。     

各向异性渗流数值计算中的旋转控制体积法

在各向异性渗流计算中,因地质构造复杂多变,常常会遇到主渗透方向与网格坐标方向不一致;从而在对扩散项进行数值离散时,其系数矩阵中出现负值元素和对角线元素不占优,导致计算得不到正确解.文中提出了旋转控制体积法,通过对所计算控制体积旋转,使其与主渗透方向一致,确保系数矩阵中各元素为正值.该方法保证了计算结果的合理性,对类似具有各向异性问题的数值模拟具有重要参考价值.