不同电镀参数组合对电镀填孔效果影响研究

电镀填孔存在填孔爆发期,即在填孔爆发期内盲孔底部和面铜的电沉积速率之比逐渐达到最大值,其中电流密度对填孔爆发期以及爆发前后盲孔内外铜层的电沉积速率变化有较大影响,若能了解其规律可帮助优化电镀参数,以期望缩短电镀填孔时间,获得较好填孔效果。在不同电流密度及盲孔孔径下,电镀填孔不同时期(初始期、爆发期、末期)持续时间以及填孔过程中盲孔底部、面铜电沉积速率的变化规律,并在不同填孔时间段内使用不同电镀参数进行电镀填孔。研究表明:在电镀填孔不同时期采用不同电镀参数组合,能缩短电镀填孔时间,获得较好盲孔填平效果。     

脉冲电镀在微盲孔填孔上的应用

电子产品的轻薄短小的发展趋势要求印制线路板的布线密度越来越高,这就使得板上的孔(包括通孔、埋孔和盲孔)径必须越来越小。在导通盲孔上直接叠孔的结构是实现最高布线密度的有效方法之一。作者通过水平脉冲电镀进行了微盲孔填孔电镀实验,在最佳的工艺条件下,在厚径比达到1.4:1的情况下仍然获得了良好的填孔效果,并对影响微盲孔填孔能力的一些因素进行了初步的探讨。     

电镀填孔超等角沉积(Super Filling)影响因素探讨

超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包括形成超等角沉积过程中添加剂作用机理、盲孔厚径比、孔型以及喷流量等影响因素。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率...     

PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术.通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果.     

图解电镀铜填孔机理

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,本文根据过程监控切片图,简述填孔电镀作用机理,分别介绍了CEAC、CDA电镀铜填孔机理和孔壁铜完整性对电镀铜填孔的影响,以期加深广大PCB业者对盲孔电镀铜填孔工艺的了解。     

电镀填孔工艺影响因素之探讨

分别从化学、物理及基板三方面探讨了影响电镀填孔工艺的一些基本因素。     

半固化片填孔性能方法的研究与探讨

文章通过试验研究不同类型半固化片的填孔规律,总结出评判半固化片的填孔性能的方法,对制作HDI使用半固化片直接填孔选材与工艺有重要的参考意义。     

通孔电镀铜填孔浅析

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通孔的填充介质目前主要有三种,分别为导电膏、树脂、纯铜。比较此三种填充方式,纯铜填孔技术工艺流程短,可靠性高。该文介绍了通孔填孔的反应机理,并论述了通孔填孔电镀技术的优势。     

填孔电镀盲孔微蚀分界线成因浅析

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,同时也伴随产生一些普通电镀未有之现象,本文主要介绍其中的一种,填孔电镀盲孔切片中孔内分界线的形成原因。     

电镀填盲孔取消闪镀直接填铜工艺研究

文章主要阐述HDI电路板在电镀填孔制作中的一种填铜新工艺，经垂直沉铜后取消闪镀，直接进行填铜。用正交表L16（45）安排不同介质厚度、浸酸时间、浸酸浓度、三因素进行电镀试验，进行综合分析得到了填铜的最佳参数。     

盲孔镀铜过程中添加剂的作用研究

熟悉盲孔镀铜配方中各种添加剂的作用,对理论研究和实际生产都具有重要的意义。文章以一种常见的镀铜配方为例,借助金像显微镜和循环伏安溶出法(CVS)详细研究了配方中各种添加剂的作用。     

Development of different copper seed layers with respect to the copper electroplating process

Two types of copper seed layers deposited by MOCVD and long throw sputtering (LTS) onto a tantalum barrier layer were used for electroplating (EP) of copper in the forward pulsed mode. MOCVD and PVD copper seed layers were compared with respect to step coverage, electrical resistivity, texture and adhesion behaviour. The different properties induce different electroplating fill attributes, including grain size and adhesion behaviour. MOCVD Cu seed layers show high step coverage, but do not adhere to the Ta barrier after the Cu EP. LTS Cu reveal strong (111) texture and excellent adhesion before and after Cu EP. Therefore, a CMP process could only be performed on patterned wafers with PVD/EP copper to obtain electrical data. The fabricated Cu lines show a high yield with respect to opens and shorts and standard deviations of the line resistance across the wafer.     

导通孔填充镀铜技术

概述了导通孔填充镀铜技术的应用和工艺条件,贯通孔填充和Si贯通电极（TSV）填充等其它的填充镀铜技术和今后的展望。     

硫酸铜镀液镀铜机理概述

概述了硫酸盐镀铜的基本原理以及镀液组分的作用机理,同时给出电镀铜厚与电镀参数之间的依赖关系,对生产有一定的指导意义,希望能为新工艺的开发提供理论依据。     

电镀填孔影响因素分析

现有的HDI和IC基板的芯层填通孔方法是一个基于在已敷形的通孔的金属化与整平后,用环氧树脂进行机械填充,及在随后附加介质层积层之前形成一层铜涂覆层的多步流程。新的填通孔技术消除了填充,整平和封装步骤的分离,缩短了电路板制造的流程。讨论了对于一系列基板厚度和孔径的铜通孔填充性能随化学参数,工艺变量和电镀设备设计的变化进行了透析。     

Effects of a magnetic field on the copper metallization using the electroplating process

We investigated the effects of a magnetic field on the electroplated copper films for the ULSI processes. The magnetic field was induced vertical to the electrodes and varied ranging from 0 to 600 G. The electroplating process was performed with on-off square pulse current source. The variation of the magnetic field vertical to the electrodes affected the deposition rate of the electroplated copper film, step coverage and gap filling in trench. As the intensity of the magnetic field increased, the deposition rate of the copper film increased, and also the resistance of electromigration increased. However, the magnetic field did not affect resistivity and surface morphology of the electroplated Cu film. At higher intensity of the magnetic field, good step coverage was obtained.