Ca2Gd8(SiO4)6O2:Tb3+薄膜的制备及其发光性能研究

用溶胶-凝胶法制备了Ca2Gd8(SiO4)6O2:Tb3+薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪对所得发光薄膜进行了表征.XRD的结果表明薄膜在1000℃完全结晶,并且与标准卡片符合得很好.AFM和SEM的结果表明薄膜表面均匀,没有裂痕,粒子排列紧密,平均直径为90 nm,薄膜的厚度为1.3μm.当用233 nm激发时,Tb3+的发射光谱由蓝光发射和绿光发射两部分组成,前者对应5D3-7FJ(J=6,5,4,其峰值分别位于376,418,440 nm);后者对应5D4-7FJ(J=6,5,4,3,其峰值分别位于490,544,587,623 nm).在Ca2Gd8(SiO4)6O2薄膜基质中,Tb3+的最佳掺杂浓度为Gd3+的9mol%.     

溶胶-凝胶法制备Gd2SiWO8:Dy薄膜及其发光性能

采用溶胶-凝胶法在SiO2基底上制备了Gd2SiWO8:Dy薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和荧光光谱仪对所得到的发光薄膜进行了表征.XRD的结果表明薄膜在1000℃完全结晶,并且与标准卡片符合得很好.AFM的结果表明薄膜表面均匀,没有裂痕,粒子致密,平均尺寸为120 nm,薄膜的厚度为660 nm.WO42-的吸收在280 nm处,以此为激发波长得到在Gd2SiWO8薄膜基质中,Dy3+离子表现出它的特征黄光发射,位于483 nm和575 nm,分别归属于Dy3+的4F9/2-6H15/2和4F9/2-6H13/2跃迁.     

La2O3:Sm3+纳米发光材料的燃烧法合成及其性能研究

通过燃烧法制备了La2O3:Sm3+纳米材料,用XRD和TEM对其形貌结构进行了表征和分析,并研究了其发光性质。结果表明：La2O3:Sm3+纳米材料为六角结构,颗粒尺寸大约为34 nm; Sm3+的掺杂引起其衍射峰的位置发生略微的右移; Sm3+的本征激发带位于411 nm左右;在近紫外光（411 nm）的激发下,观察到 4G5/2 → 6H5/2 (568 nm)、 4G5/2 → 6H7/2 (611 nm, 强度最高) 和 4G5/2 → 6H9/2 (654 nm)三个主发射峰;发射光谱表明La2O3:Sm3+中Sm3+离子的格位对称性较低;材料样品的衰减寿命约为202 us,色度坐标大约为(0.5849, 0.4143)。     

溶胶-凝胶合成Er3 和Ho3 离子掺杂的Gd2(MoO4)3上转换发光纳米晶

采用柠檬酸与乙二醇溶胶-凝胶法合成了Er3 和Ho3 离子分别掺杂的铝酸钆Gd2(MoO4)3纳米晶.用XRD证实了产物的结构,用扫描电镜与透射电镜研究了产物微观形貌与尺寸.在980nm激光泵浦下,Ho3 掺杂Gd2(MoO4)3纳米晶发出很强的位于660nm的红光,而Er3 掺杂Gd2(MoO4)3纳米晶发出很强的位于540nm左右的红光.共掺Yb3 分别对Ho3 与Er3 起着显著的敏化作用.从发光强度与激光功率变化图中可知,Ho3 与Er3 的发光均属于双子光发光过程.     

Ca2Gd8(SiO4)6O2:Tb3+薄膜的制备及其发光性能研究

用溶胶-凝胶法制备了Ca2Gd8(SiO4)6O2Tb3+薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪对所得发光薄膜进行了表征.XRD的结果表明薄膜在1000℃完全结晶,并且与标准卡片符合得很好.AFM和SEM的结果表明薄膜表面均匀,没有裂痕,粒子排列紧密,平均直径为90 nm,薄膜的厚度为1.3μm.当用233 nm激发时,Tb3+的发射光谱由蓝光发射和绿光发射两部分组成,前者对应5D3-7FJ(J=6,5,4,其峰值分别位于376,418,440 nm);后者对应5D4-7FJ(J=6,5,4,3,其峰值分别位于490,544,587,623 nm).在Ca2Gd8(SiO4)6O2薄膜基质中,Tb3+的最佳掺杂浓度为Gd3+的9mol%.     

Ce3+掺杂对GdAl3(BO3)4:Dy3+和GdAl3(BO3)4:Tb3+荧光粉发光性能的影响

用湿化学方法合成了Ce3 /Dy3 及Ce3 /Tb3 共掺GdAl3(BO3)4发光材料.利用X射线衍射仪对其进行了物相分析,结果表明:合成物为纯的六方相GdAl3(BO3)4微晶.利用荧光分光光谱仪进行光谱分析,测定了合成样品的激发和发射光谱.发现在紫外激发下,GdAl3(BO3)4:Dy荧光粉发射出很强的偏黄的白光,其发射峰分别位于480,575和665 nm,对应于Dy3 的4F9/2→6H15/2,13/2,11/2跃迁.掺Ce3 对Dy3 起到敏化作用,GdAl3(BO3)4:Dy,Ce发出很亮的暖白光,且强度是GdAl3(BO3)4:Dy的3倍左右.同时,在Ce3 /Tb3 共掺的样品中,由于Ce3 与Tb3 间的能量传递,Tb3 的541 nm特征峰显著增强.     

溶胶-凝胶法制备Gd2SiWO8：Dy薄膜及其发光性能

采用溶胶-凝胶法在SiO2基底上制备了Gd2SiWO8：Dy薄膜，用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和荧光光谱仪对所得到的发光薄膜进行了表征。XRD的结果表明薄膜在1000℃完全结晶，并且与标准卡片符合得很好。AFM的结果表明薄膜表面均匀，没有裂痕，粒子致密，平均尺寸为120nm，薄膜的厚度为660nm。WO4^2-的吸收在280nm处，以此为激发波长得到在Gd2SiWO8薄膜基质中，Dy^3＋离子表现出它的特征黄光发射，位于483nm和575nm，分别归属于Dy^3＋的^4F9／2-^6H15／2和^4F9／2-^6H13／2跃迁。     

新型结构Y_2O_3:Eu~(3+)发光材料的合成方法

综述了几种新型结构Y2O3:Eu3+发光材料的研究进展.详细介绍了核壳结构球形SiO2/Y2O3:Eu3+发光材料的合成方法,该方法可以大大降低荧光粉的成本.同时,还介绍了纳米Y2O3:Eu3+颗粒的表面修饰以及一维纳米结构材料的合成技术,并对各种合成方法所得产品的粒径、发光性能做了分析和比较,同时对各种方法的特点进行了归纳和总结.     

绿色发光材料NaLa(MoO_4)_2:Tb~(3+)的微波辅助溶胶-凝胶法制备及其性质

采用微波辅助溶胶-凝胶法制备了系列绿色发光粉NaLa31-x(MoO4)2:Tb+x(x=0.02,0.1,0.15)。用X射线粉末衍射仪和荧光分光光度计等分析和表征所合成样品的物相结构和发光性质。结果表明:所合成的NaLa(MoO4)2:Tb3+晶体结构与NaLa(MoO4)2相似,属四方晶系结构;样品的激发光谱为位于250~350 nm的1个宽带,最大激发峰位于300 nm处;发射光谱由一系列尖峰组成,最强的发射峰位于544 nm处,归属于Tb3+的5D4-7F5跃迁。NaLa(MoO4)2:Tb3+的发光强度随Tb3+掺杂浓度的增加逐渐加强,当Tb3+浓度为10 mol%时发光强度最大,而后随Tb3+浓度的增加而降低,发生浓度猝灭。根据Dexter能量共振理论,该浓度猝灭系Tb3+的电偶极-电偶极的相互作用所致。通过含氧酸根阴离子(SO2-4)的掺杂有效提高了NaLa(MoO4)2:Tb3+体系的发光亮度。     

改进溶胶-凝胶法低温合成YAG∶Eu纳米粉末及其发光性能

通过水溶胶-凝胶法合成Eu掺杂钇铝石榴石纳(YAG∶Eu)米粉末.采用X射线衍射仪、热重和差热分析仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和发光谱仪等研究粉末的结构、形貌和发光光谱.结果表明:合成的YAG∶Eu纳米粉末平均粒径为50nm,在煅烧过程中其活化能为24.1 kJ/mol,YAG∶Eu纳米粉末晶体表现出橙-红发射特...     

Yb0.05: Gd0.20Y0.75Al3(BO3)4和Yb0.05: Y0.95Al3(BO3)4晶体的生长和性质研究

采用助熔剂法生长Yb0.05:Gd0.20Y0.75Al3(BO3)4(Yb:GdYAB)和Yb0.05:Y0.95Al3(BO3)4(Yb:YAB)晶体.比较这两种晶体的室温吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命及热膨胀、比热等热学性质.结果表明,Yb0.05:Gd0.20Y0.75Al3(BO3)4晶体是一种优秀的激光自倍频晶体,可以实现自倍频激光输出,并且具有宽的可调谐范围.     

新型（Y，Gd）（BO3，VO4）：Eu荧光粉的合成及发光性能研究

采用草酸根沉淀稀土粒子使其充分混合进行前处理，用固相反应合成了硼钒酸钇钆铕稀土荧光红粉。对试样进行了X射线衍射、光致激发和发射光谱表征。产物与（Y，Gd）VO4：Eu相比，掺入了与钒等摩尔量的硼，硼的掺入提高了发光强度，但没有改变钒酸盐的四方晶系结构。分析了不同浓度Gd^3＋掺杂对试样发光强度的影响以及基质离子VO4^3-和BO3^3-对激活剂Eu^3＋的能量传递机理。同时将产物与（Y，Gd）VO4：Eu和（Y，Gd）BO3：Eu的发光性能进行对比，发现（Y，Gd）-（BO3，VO4）：Eu具有更好的发光强度和色纯度，有望在工业上作为一种优良的新型灯用或PDP显示器用荧光粉。所用方法与传统固相法相比，反应温度降低了100℃，所得试样易粉碎、粒度细，发光强度提高10％以上。     

溶剂热-溶胶凝胶两步法合成(Y,Gd)(P,V)O_4:Eu~(3+),Bi~(3+)荧光粉及其发光研究

采用溶剂热-溶胶凝胶两步法合成了(Y1-z,Gd z)1-x-y(P z,V1-z)O4:x Eu3+,yBi3+系列红色荧光粉。用XRD、SEM和荧光分光光度计,对试样的晶体结构、表面形貌及发光性能进行了表征。结果表明:样品为四方晶系,掺杂离子的加入对基质晶体结构影响不大;样品形貌均一,呈短杆状或椭圆状;激发光谱由位于250~400 nm的O2--V5+带和Eu3+-O2-带组成;最强发射峰位于619 nm,归属于Eu3+的5D0→7F2特征跃迁发射;Eu3+的最佳掺杂量为5 mol%(x=0.05);掺杂Bi3+、Gd3+、P5+后,样品发射强度得到显著提高,Bi3+的掺杂还会使激发带红移至400 nm。说明这类荧光粉是可用于近紫外芯片激发的白光LED用红色荧光粉。     

La,Ce,Tb含量对(La,Ce,Tb) BO3发光性能的影响

采用高温固相法合成(La,Ce,Tb)BO3荧光粉,并对该荧光粉进行XRD和SEM分析。结果表明:(La,Ce,Tb)BO3的晶体结构和LaBO3相同,Ce3+,Tb3+的掺入没有改变晶体的结构,发光粉颗粒大小均匀,形貌规则,粒度在5μm左右。研究了(La,Ce,Tb)BO3的光谱性质,在(La,Ce,Tb)BO3的发射和激发光谱中除了有Tb3+的特征发射和激发峰外,还有Ce3+的特征发射和激发峰。     

超重力下燃烧合成Al2O3／ZrO2的成分、结构与性能

通过在铝热剂中引入ZrO2(4Y)粉末,在超重力下燃烧合成制备出不同成分与结构的Al2O3/ZrO2(4Y)大体积复合陶瓷板材,并研究了复合陶瓷成分、显微结构与力学性能之间的关系.XRD、SEM与EDS分析表明,Al2O3/33ZrO2(4Y)是以取向各异且纳微米t-ZrO2纤维呈三角对称镶嵌其上的棒状共晶团为基,其周围分布着t-ZrO2微米球晶;同时,Al2O3/40ZrO2(4Y)则以t-ZrO2微米球晶为基,周围分布着不规则形状的αAl2O3晶及少量的共晶团组织.与国外定向凝固Al2O3/ZrO2(Y2O3),Al2O3/33ZrO2(4Y)复合陶瓷比较强硬性的提高可归因于材料的高致密性、小尺寸缺陷及残余压应力增韧、相变增韧机制所导致的高断裂韧度;同时,Al2O3/40ZrO2(4Y)虽在硬度上有所下降,但弯曲强度与断裂韧度却比国外同类材料分别提高了19.0%与311.1%,故材料的强化可认为是因t-ZrO2微米球晶基体所具有的小尺寸缺陷及相变增韧与微裂纹增韧机制所诱发的高断裂韧度所致.     

微乳液法制备（Y,Gd）2O3：Eu^3＋纳米粒子及光谱特性

采用反相微乳液法制备(Y,Gd)2O3:Eu3 纳米粉体.通过XRD、TG/DSC、SEM、TEM、PL等手段分别对样品的晶化过程、晶粒尺寸、粉体形貌以及发光性能进行分析.结果表明:晶粒尺寸随着晶化温度提高而增加,样品在800℃晶化完全.当乳液浓度为0.37 mol/L时所得粉体颗粒呈近似球形,一次粒径尺寸约20 am.样品在612nm监控光下得到的激发光谱是宽带谱,对应着Eu3 -O2-的电荷迁移带跃迁.发射光谱的特征峰位于612nm处,是由于Eu3 离子的5D0-7F2跃迁造成的.当Eu的原子分数大于10%时发生浓度猝火,导致特征峰强度降低.     

微波场作用下Y2O2S：Tb绿色荧光粉的快速合成及其发光特性

采用微波法快速合成了Y2O2S：Tb绿色荧光粉。用X射线衍射（XRD）仪、扫描电镜（SEM）、荧光分光光度计等对合成产物的相结构、形貌、以及发光特性进行了研究。结果表明：材料的晶体结构为六方晶系，与Y2O2S相同。颗粒的形貌为类球形，分散性很好，平均晶粒尺寸在300nm左右。发射光谱由384，418，439，460，475，498，547，590，624nm等一系列窄带发射峰组成，归属于Tb^3＋从^5D3，^5D4到^7FJ（J=0～6）的跃迁。研究发现Tb的掺杂浓度对样品的发射光谱有着很重要的影响，当其浓度为0．5％（摩尔分数，下同）时，^5D3→^7FJ的蓝光发射发生猝灭，当其浓度为9％时，^5D4→^7FJ的绿光发射发生猝灭。     

Ce~（3＋）,Tb~（3＋）激活的Ln（BO_3,PO_4）绿色荧光粉的合成与真空紫外光谱特性

针对目前PDP用商品绿粉余辉时间较长,以及合成稀土硼酸盐与稀土磷酸盐工序长、能耗高等缺点,本研究以自制的磷酸硼（BPO4）和稀土氧化物为原料,采用一步烧成法合成了结晶良好的Ce3＋、Tb3＋激活的Ln（BO3,PO4）（Ln=La,Y,Gd）绿色荧光粉,并对其在147 nm激发下的光谱性质进行了研究。结果表明：Ln（BO3,PO4）：Ce3＋、Tb3＋（Ln=Y,La,Gd）激发光谱是由来自BO33-和PO43-基质敏化带的120~175 nm和来自Tb3＋离子的4f→5d跃迁的多宽带的175~300 nm组成;改变基质稀土离子,发射光谱中的荧光分支比和色坐标也随之改变,其中以Gd（BO3,PO4）：Ce3＋、Tb3＋荧光粉的荧光分支比为最高;拟合Gd（BO3,PO4）：Ce3＋、Tb3＋荧光粉的衰减曲线后,得出其荧光寿命为2.92 ms,10%的余辉为6.7 ms,优于Zn2SiO4∶Mn2＋商品粉,能够满足PDP器件的要求。