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铁宏安 《固体电子学研究与进展》2009,29(3)
采用0.18μm1.8V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成。测试结果表明在1.575GHz时,工作电流8mA,增益20dB,噪声系数小于1.7dB,IIP3为-10dBm。 相似文献
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Ian Piper Al Ward 《世界电子元器件》2004,(10):59-61
本文分析了一个小型(6mm×15mm)两极、低噪声、无限稳定的放大器设计,用于802.11a、HiperLAN2和HiSWANa接收机应用。在5.5GHz时,放大器具有22.2dB增益、1.4dB噪声系数、线性输出功率(P-1dB) 11.5 dBm、三阶输出截距点(OIP3) 28 dBm,频率覆盖目前北美、欧洲和日本无线局域网络规定使用的5 GHz频谱部分。 相似文献
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Korkut Yegin 《电子设计技术》2012,19(9):60+62
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性,甚至使人畏惧。不过,采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET,可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器(参考文献1)。本设计就讲述了一个有0.77dB噪声系数的低噪声放大器。 相似文献
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应用于双频GPS接收机的CMOS低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
结合双频GPS接收机的主要性能,提出了第一级低噪声放大器实现方案和电路实现方式.通过对影响单端LNA性能主要因素的分析,在电路结构和封装打线方式上进行改进,实现了低噪声系数高转换增益的单端LNA,从而提高了接收机灵敏度和噪声性能. 相似文献
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设计了应用于便携式GPS接收机射频前端中的CMOS低噪声放大器和正交混频器. 该电路中的低噪声放大器采用带源端电感负反馈的输入级,并引入功耗约束下的噪声和输入同时匹配技术. 正交混频器基于吉尔伯特单元. 电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现,总的电压转换增益为35dB,级联噪声系数为2.4dB,输入1dB压缩点为-22dBm,输入匹配良好,输入回损为-22.3dB, 在1.8V电压供电下,整个全差分电路功耗为5.4mW. 相似文献
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本文给出某小型化大增益低噪声中视频接收机的研制方法。主要解决的问题是体积小、重量轻、增益高、噪声系数低,介绍在设计中采取的几项措施使它达到总体指标。最后给出在设计中主要注意的事项和遗留问题。 相似文献
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针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz~9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。 相似文献
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基于130 nm PD-SOI工艺,设计了一种用于GPS接收机射频前端的单片低噪声放大器(LNA)。利用SOI工艺特有的低噪声特性,降低了衬底耦合到电路的噪声。采用单独的带隙基准源和LDO为低噪声放大器供电,降低了电源纹波和高频噪声对放大器噪声性能的影响。测试结果表明,在3.3 V电源电压、1.575 GHz工作频率下,该LNA的噪声系数仅为1.49 dB,增益为13.7 dB,输入回波损耗S11、输出回波损耗S22均小于-15 dB,输入P1 dB为-13 dBm,IIP3为-0.34 dBm。 相似文献
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