影响陶瓷过滤机产能的因素

介绍了陶瓷过滤机的工作原理、影响陶瓷过滤机产能的因素以及提高陶瓷过滤机产能的最佳方法.     

金属基陶瓷颗粒增强复合材料的制备方法

介绍了金属基陶瓷颗粒增强复合材料(metal matrix ceramic reinforced cornposites)的基体与陶瓷增强相的选择,同时指出如何有效地改善金属基体与陶瓷颗粒增强相之间的浸湿性问题.总结了烧结前期复合坯体的一些主要制备方法.又介绍了金属基陶瓷复合材料(MMC)的烧结工艺,重点介绍了通电烧结,比较了各新工艺的基本原理和优缺点,最后对金属基陶瓷颗粒增强复合材料进行了技术展望.     

氮化硅多孔陶瓷

国内率先报道"结构陶瓷"-"功能陶瓷"一体化的新型复合陶瓷———氮化硅多孔陶瓷,介绍氮化硅多孔陶瓷的特征和潜在应用,并展望了其研究现状与前景。     

TM-21陶瓷过滤机应用与过滤效果探讨

本文介绍了陶瓷过滤机的结构,阐述了陶瓷过滤机的的工作原理,分析了影响陶瓷过滤机脱水效果的因素、陶瓷过滤机常见故障的原因,提出了提高陶瓷过滤机过滤效果的措施。     

新型陶瓷刀具的研究与应用

简要介绍了新型陶瓷刀具在国内外的现状及研究发展动态，介绍了陶瓷刀具的磨损机理及各种结构形式。     

现代陶瓷工具材料

本文介绍目前几种主要的陶瓷工具材料——纯氧化物陶瓷、混合氧化物陶瓷和硼化物陶瓷的研究、材料性能及其应用。     

陶瓷材料的微波连接技术进展

陶瓷材料和陶瓷基复合材料(CMC)在科学技术中发挥着越来越重要的作用。陶瓷以及CMC的连接技术是它们能够广泛应用的关键。与普通的陶瓷连接工艺相比较，微波连接技术具有耗时短、节约能量、成本低、对母材热损伤小等特点，因而获得了较快的发展。本文介绍了陶瓷材料和CMC的微波连接技术的发展概况，重点介绍了同种陶瓷(包括氧化物陶瓷和非氧化物陶瓷)之间的微波连接和异种陶瓷之间的微波连接。     

金属—陶瓷梯度涂层延长风口,渣口寿命的可行性研究

分析了均匀陶瓷涂层在高炉风口、渣口上应用效果不佳的原因，介绍了金属—陶瓷梯度涂层的性能，探讨了应用金属—陶瓷梯度涂层延长高炉风口、渣口寿命的可行性，介绍了具体的工作内容与方法。     

精细陶瓷的特性,应用及发展

综述了精细陶瓷的研究范畴、特性、应用、市场及目前的研究状况。重点介绍了复相陶瓷、纳米陶瓷、高强度高韧性陶瓷及生物陶瓷。     

陶瓷刀具材料的研究进展

陶瓷刀具材料是一种先进的刀具材料.文章介绍了陶瓷刀具材料的特点和种类,指出了陶瓷刀具材料发展方向,并展望了其发展前景.     

晶体硅切割料浆中回收高纯硅的研究

单晶硅和太阳能电池多晶硅都需要将硅锭用金属丝和碳化硅粉研磨切割成硅片,在切割过程中有约43%的硅被研磨成粉末进入切割料浆中,如果能将这部分Si回收利用,意义很大。本文对晶体硅切割料浆中Si的回收方法进行了实验研究,提出了水中沉降分离Si和在Zn金属或Zn-Mg合金熔体中偏析提纯Si生产太阳能级多晶硅的方法。     

副产SiCl4生产光纤用高纯SiCl4

本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用ＳｉＣｌ４并提纯使其达到生产光导纤维秀的质量要求。ＳｉＣｌ４作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量。ＳｉＣｌ４是工业硅原料与ＨＣｌ气体合成产物的一部分,其杂质含量很高。研究探讨光纤用ＳｉＣｌ４中各种杂质元素和其它化合物存在的形态、除去的方法和其对光子传递及光通信的影响和危害,并建立工业化光纤用高纯ＳｉＣｌ４生产线是本文研究的目的。将生     

高炉冶炼低硅生铁的热力学分析

通过对高炉冶炼过程中硅元素的还原迁移的热力学计算分析,说明了在高炉环境下,炉渣中的SiO2不能被还原,生铁中的硅完全来自于焦炭和煤粉灰分中游离态的SiO2;Si的溶解反应极大地促进了Si的还原反应;温度是影响硅还原的最关键因素。简述了高炉低硅冶炼工艺的控制要点,包括降低高炉的理论燃烧温度,提高CO分压,提高烧结矿的冶金性能,适度强化,增加喷煤比,并指出精细操作是高炉冶炼低硅生铁的关键。     

某些元素对硅钢性能的影响

介绍了硅钢中某些元素对其性能的影响，并扼要分析了某些元素对硅钢性能影响的机制。其中碳是引起硅钢发生磁时效的重要元素之一，随着硅钢中碳含量的增加，其铁损增加；而硅含量增加能显著降低硅钢铁损。磷、名、铜是主要杂质元素，但适量的磷可提高硅钢的防锈能力。锡和锑均是表面活性元素，它们可使硅钢最终退火织构中｛１１１｝面组分减少，｛１００｝和｛１１０｝面组分增加，从而降低硅钢铁损，提高其磁感应强度。     

混合稀土变质对Zn-27Al-Si合金组织和力学性能的影响

通过试验和分析,发现稀土对Zn-27Al-Si合金中初晶硅的变质机理是稀土吸附在硅晶体生长表面,抑制了硅的生长,从而产生较大的过冷,使硅晶体细化。试验结果还表明由于硅晶体的细化使合金的力学性能得到显著提高。     

低硅高锰钢生产实践

分析了低硅高锰钢生产过程中硅含量超标的原因。对转炉工序采取了弱沸腾出钢,严格控制下渣量等技术措施,有效控制了转炉工序的增硅;通过选择合理的精炼工艺并进行工艺优化,实现精炼工序增硅量的最小化,从而实现低硅高锰钢硅含量的稳定控制。     

一步纳米银催化刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列

通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线, 并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO₃浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律. 研究结果表明: 较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成, 这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷, 同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低, 更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列; 在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中, 溶液中AgNO₃浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用, AgNO₃浓度过低或过高时, 硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇, AgNO₃浓度为0.02 mol·L-1时, 硅纳米线会生长变长, 最终形成多孔硅纳米线阵列. 随着硅纳米线的增长, 纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象; 且当HF溶液浓度超过4.6 mol·L-1时, 随着HF酸浓度的增加, 硅纳米线的长度随之增加. 同时, 硅纳米线的顶部有多孔结构生成, 且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多, 这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核, 导致硅纳米线侧向腐蚀的结果. 最后, 根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释, 归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解.      

工业硅还原剂木炭的替代研究进展

分析了工业硅的生产原理,并结合工业硅冶炼对还原剂的要求,列出适合工业硅生产的常见还原剂.综合论述了数十年来国内外专家学者对工业硅还原剂替代的研究成果.最后提出现阶段我国工业硅生产中还原剂替代倘存的一些问题.     

Silicon microsegregation and first stage graphitization in white cast irons

The distribution of silicon in a series of as-cast white irons containing up to 3.25 pct Si and from 2.39 to 3.94 pct C was studied using electron probe microanalysis. The silicon content of the proeutectic austenite dendrites is a linear function of the silicon content of the alloy. The periphery of these dendrites is richer in silicon than the core due to the rejection of the element from the cementite formed during eutectic solidification and the enrichment is most pronounced at slow rates of solidification. It was also firmly established that silicon is present in the eutectic cementite, the level increasing with solidification rate and with the silicon content of the alloy. The nonuniform distribution of silicon persisted for a large part of a graphitization anneal. The effects of the silicon in the cementite and at the austenite-cementite interface on the nucleation of graphite during first stage graphitization are discussed in terms of the thermodynamics of graphitization.     

熔盐电解法制备硅纳米线及其生长过程研究

结合熔盐电解法制备了数微米长、200nm左右宽的纳米级硅线。采用预烧结的多孔SiO2粉末为阴极、等摩尔比的CaCl2-NaCl混合熔盐为电解质、石墨棒为阳极,在700℃、1.8V槽电压下通电5h后获得产物单质Si。研究了单质Si在电化学形核及后续生长过程中的微观结构及形貌演变规律,发现在晶体Si电化学形核后逐渐堆积形成"珠串"状结构,构成了硅线的雏形,在高温作用下,该结构继续生长最终形成纳米级硅线结构。