SnO_2-Sb薄膜材料的制备及气敏性能

利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。结果表明，该薄膜对ＮＯ２气体有较好的气敏特性。当测试温度升高，其气敏响应时间相差无几，但恢复时间变短，同时气敏灵敏度相对提高，当温度达到２００℃以上时，灵敏度基本恒定。同时还可看出，不同阻值的薄膜其气敏灵敏度相差不大。     

Fe2O3：SnO2薄膜的气敏透射光学特性

用溶胶－－凝胶法制备Ｆｅ２Ｏ３：ＳｎＯ２薄膜，研究了它的气敏透射光学特性，分析了实验结果，并解析了气敏光学透射机理。     

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料,制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相,ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。     

溶胶凝胶法制备二维气敏光学薄膜及其氨气敏光学性能研究

本文研究了用溶胶凝胶法制作二维ＳｎＯ２；ＴｉＯ２混合薄膜并测量了它在氨气氛中的气敏透射谱，发现对低浓度委组最佳灵敏区显示出对二维薄膜厚度的依从性。利用这些现象可制成对低浓度敏感且有气体选择性的气敏传感器件。     

采用表面技术改善气敏薄膜特性

对镀Ｐｔ的Ｆｅ２Ｏ３／ＳｎＯ２双层气敏薄膜进行了ＳＥＭ和ＸＰＳ分析，表明贵金属表面修饰技术对敏感薄膜的改性作用。对制成的元件进行了测量，证实了表面技术对敏感薄膜的灵敏度，选择性及稳定系数等主要性能指标都有一定程度的改善。     

SnO_2∶Fe_2O_3混合薄膜的制备及其在丙酮蒸汽中的反射光谱

以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ，ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ及无水乙醇为主要原料，采用溶胶凝胶法制备了ＳｎＯ２∶Ｆｅ２Ｏ３混合薄膜，测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。     

SnO2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

利用溶胶－凝胶法合成出纳米晶ＳｎＯ２薄膜,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶ＳｎＯ２薄膜栅ＦＥＴ式气敏元件,实现了制备纳米晶材料的溶胶－凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明,纳米晶ＳｎＯ２薄膜栅ＦＥＴ式气敏元件可以在常温下工作,元件的漏电流在乙醇气体中减小,掺杂镧以后,漏电流变化幅度增大。     

MOD─SnO＿2气敏材料的TEM、SEM分析

分别用ＴＥＭ、ＳＥＭ分析了ＭＯＤ－ＳｎＯ＿２粉末和薄膜，结果表明，根据热处理条件的不同，晶粒尺寸在几十纳米到微米之间；如果控制旋涂薄膜的厚度小于１００ｎｍ，并进行陡然升温热处理，则簿膜光滑无裂纹；即使得到的ＳｎＯ＿２膜存在微裂纹，但是由于微裂纹形成的颈部尺寸比薄膜厚度大得多，故其气敏特性仍然应当由膜厚决定。     

超微粒氧化锌,锡复合薄膜的断面研究

本文用扫描电于己微镜（ＳＥＭ）观察了ＺｎＯ／ＳｎＯ２，ＳｎＯ２／ＺｎＯＵＰＦ的断面形貌，所研究的薄膜系采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备。结果表明：用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，通过二次蒸镀的方式所制备的双层超微粒子薄膜（ＵＰＦ），膜层间具有明巳的扩散现象，由扩散所形成过渡层的形态与复合的方式有关。同时，对其气敏选择性机理进行了一定的探讨。     

激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后，对ＳｎＯ２薄膜的反应机理进行了讨论     

反应溅射TiO_2薄膜

报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气的流量，得到具有良好导电性能和一定吸收的特殊性能的ＴｉＯ２薄膜。     

TiO2薄膜的光触媒作用

本文介绍了ＴｉＯ２薄膜的光触媒机理和特性以及ＴｉＯ２薄膜的制造和应用。ＴｉＯ２作为光触媒应用于照明光源和灯具等处，它可以净化空气杀菌、去除表面的污垢，减少了照明系统的污染，提高照明效率。     

SnO2薄膜的溶胶—凝胶制备及气敏性能的研究

采用非醇盐溶胶－凝胶工艺制得纳米微晶ＳｎＯ２多孔薄膜，该法易于实现ＳｎＯ２与多种添加剂的均匀掺杂。通过调整薄膜的微观结构使薄膜对Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＯ在最佳工作温度的灵敏度比调整前分别提高了３倍和１４倍。     

C2H2／H2／SiH4等离子体聚合及其沉积物的结构与性能的研究

利用Ｃ２Ｈ２／Ｈ２／ＳｉＨ４混合单体等离子体聚合沉积在ＨＤＰＥ板表面制备薄膜，发现薄膜与ＨＤＰＥ粘接良好，Ｈ２使薄膜与基体附着性能提高但其沉积速率下降，而引入ＳｉＨ４则使薄膜的耐磨性能有较大的提高。ＩＲ和ＸＰＳ光谱表明：薄膜中含有较多的－ＯＨ，Ｏ－Ｃ，Ｃ－Ｓｉ和Ｓｉ－Ｏ基团，随着ＳｉＨ４／Ｈ２的增加薄膜中的Ｃ／Ｓｉ比可达１．２２２，说明产物的结构介于无机材料和有机物之间。     

Cr2O3二维薄膜的气敏光学特性研究

本文介绍了用溶胶凝胶法制轩Ｃｒ２Ｏ３二维薄膜的方法,并研究了其在乙醇蒸气中和氨蒸气的气敏透射光谱,发现其光学透过率随乙醇蒸气和氨蒸气浓度增加而显著地单调上升,敏感波段扩展到整个可见光区域。其气敏光学特性的灵敏度、单调性及可重复性均可满足光纤传感技术的要求,有望成为制造气敏光结传感器的新材料。本文变讨论了Ｃｒ２Ｏ３的气敏光学机理。     

纳米微晶SnO2薄膜的制备和光学性能的研究

以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间接带宽增大。     

用于LCD的氧化铝阻挡层的射频反应溅射沉积及其特性

用金属铝靶射频反应溅射制备了Ａｌ２Ｏ３薄膜，用作ＬＣＤ基片玻璃的钠离子阻挡层。报道了射频溅射参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。测试结果表明，所沉积的Ａｌ２Ｏ３薄膜满足ＬＣＤ器件阻挡层的要求。     

薄膜亚微米CMOS／SOS工艺的开发及其器件的研制

本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延，双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器，与厚膜器件相比，薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。     

Au掺杂TiO2／SiO2薄膜的光学非线性特性研究

采用溶胶－凝胶方法制备了Ａｕ掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜（厚度约为１．０μｍ）。Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明，Ａｕ的颗粒镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜的玻璃网络中。谢乐公式计算给出Ａｕ的颗粒大小约为１０ｎｍ。采用Ｚ－Ｓｃａｎ测量技术得此薄膜的光学非线性折射率为１．０９×１０－７ｅｓｕ。     

低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究

以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压ＭＯＣＶＤ法在单晶Ｓｉ基片上制备出了ＴｉＯ２薄膜,研究了基片温度和氧气流量对ＴｉＯ２薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对ＴｉＯ２薄膜的结构的影响。采用Ｘ射线衍射和喇曼光谱对ＴｉＯ２薄膜的结构进行分析,实验表明：基片温度在１１０℃～２５０℃时制备的ＴｉＯ２薄膜是非晶态的,在３５０℃～５００℃时制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结